И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет icon

И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет




НазваИ. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет
Сторінка1/3
И.И.Мечникова<> <> <>Физическийфакульте т<><><><>6 6 - я отчет
Дата04.08.2012
Розмір0.5 Mb.
ТипОтчет
  1   2   3


Министерство образования и науки Украины

Одесский национальный университет имени И.И.Мечникова

Ф и з и ч е с к и й ф а к у л ь т е т


6 6 - я отчетная

студенческая научная конференция

посвященная 145-й годовщине

Одесского национального

университета имени И.И. Мечникова


ТЕЗИСЫ ДОКЛАДОВ


Печатается по решению

Ученого Совета физического факультета


Редактор - доктор ф.-м.н. Ваксман Ю.Ф.



  1. - 29 апреля 2010 г.



О д е с с а


^ СЕКЦИЯ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

И ДИЭЛЕКТРИКОВ

(кафедра экспериментальной физики)


Оптическое поглощение и люминесценция

КРИСТАЛЛОВ ZnSe:Ni

Кодинцев А.А.

^ Научный руководитель – доктор наук Ваксман Ю.Ф.


Прямозонные кристаллы группы А2В6, такие как ZnSe, ZnS, ZnTe, легированные переходными металлами, являются очень перспективными оптически активными материалами. Благодаря наличию в зоне проводимости большого количества стабильных электронных уровней примесных металлов, возможно создание на таких кристаллах оптических квантовых генераторов с широким рабочим диапазоном от 0.5 до 5 мкм. Использование таких лазеров дает возможность проводить точные спектроскопические исследования газовых составов, бесконтактную медицинскую диагностику. Возможность получения мощного инфракрасного излучения на данных кристаллах, позволяет использовать их в хирургических целях. Ранее сообщалось о получении таких лазерных материалов, способных генерировать электромагнитное излучение в диапазонах 2.2-3.0 мкм[1] (кристаллы ZnSe:Cr) и 3.77-5.05 мкм[2] (кристаллы ZnSe:Fe). Подробного исследования оптических свойств кристаллов ZnSe:Ni не проводилось.

Исследуемые кристаллы были получены методом диффузионного легирования исходно чистых кристаллов ZnSe. Температуры и длительности легирования составляли соответственно 1073-1223 К и 5-10 часов. Процесс легирования происходил в инертной атмосфере He+Ar. По величине смещения края поглощения кристаллов были оценены концентрации примесных атомов никеля. Максимальная концентрация примеси составила 1·1020 см-3 для кристаллов отожженных при температуре 1223 К.

Исследование оптического поглощения и люминесценции кристаллов проводились при температурах 77-300К. В спектрах поглощения наблюдались полосы с максимумами на 2.57, 2.34, 2.14, 2.02, 1.86, 1.52, 1.46 и 1.41 эВ. Их положения не менялись с изменением концентрации никеля и температуры измерений. Это позволяет установить их внутрицентровую природу. Наблюдение спектров люминесценции показало их корреляцию со спектрами поглощения.

В результате работы, опираясь на полученные экспериментальные данные и известные теоретические сведения, нами были идентифицированы линии оптического поглощения и люминесценции и построена схема оптических переходов в кристаллах ZnSe:Ni.


[1] Ivanov V .Y u., Go d l ew sk i M., Szczerbakow A ., Omel'chuk A ., Davydov A ., Zhavoronkov N .

and Raciukaitis G. Optically pumped mid-infrared stimulated emission of ZnSe:Cr crystals // ACTA PHYS. POLON. A,

2004, V.105, N.6, P.553.

[2] Fedorov V.V., Mirov S.B., Gallian A., Badikov V.V., Frolov M.P., Korostelin Yu.V., Kozlovsky V.I., Landman A.I.,

Podmar’kov Yu.P., Akimov V.A., Voronov A.A. 3.77-5.05 μm tunable solid state lasers based on Fe2+-doped ZnSe

crystals operating at low and room temperatures // IEEE J. Quantum Electron, 2006, V.42, P. 907.


^ РАСЧЕТ МИГРАЦИОННО-ЗАВИСИМОГО ИЗМЕНЕНИЯ

ПРИКОНТАКТНОЙ ОПЗ ОЧУВСТВЛЁННЫХ КРИСТАЛЛОВ


Мунтяну А.В.

Научные руководители – кандидат наук Чемересюк Г.Г., Каракис Ю.Н.

Расчитан энергетический профиль контактных барьеров к кристаллу, содержащего R-центры. Показано, что миграция центров очувствления способна вызвать долговременные изменения вида релаксационных кривых фототока.

Для очувствлённых кристаллов CdS была измерена временнáя зависимость изменения фототока в пределах 50 – 60 минут при освещении собственным светом (515 нм). Из характера этой зависимости и её изменения при различных интенсивностях освещения можно сделать вывод о том, что в её образовании участвуют несколько конкурирующих процессов. Анализ времён протекающих процессов исключает чисто электронные истолкования так как длительность протекающих процессов является типичной для миграционно – ионных явлений. Поэтому для объяснения наблюдаемых зависимостей привлекается возможность изменения концентрационного распределения R-центров.

На основе решения уравнения Пуассона была показана зависимость ширины области пространственного заряда от того ионизированы R-центры или свободны от дырок. Установлено, что ширина ОПЗ с ионизированными R-центрами оказалась меньше чем со свободными от дырок. На основе этого объясняется вид релаксационных зависимостей для различных интенсивностей света. В условиях светового возбуждения заряженные центры очувствления мигрируют в приложенном внешнем поле, обеспечивая сначала некоторое уменьшение фототока из-за увеличения электрического сопротивления контактных областей, а затем его восстановление вследствие очувствления центральной части кристалла.


^ Отримання і дослідження оптичних вихорів за допомогою о'бємних голограм

Тятих К.А.

Науковий керівник: доктор наук Бекшаєв О.Я.


В останні роки велику увагу привертають до себе вихрові пучки світла. Такі пучки відзначаються тим, що мають механічний момент кількості руху відносно осі поширення. Їх застосовують для обробки інформації та керування руху мікрочастинок. Але для отримання вихрових пучків, необхідно мати певні засоби. Найбільш гнучкими, перспективними та зручними є голографічні методи. Частіше за все застосовують тонкі голограми, що мають вигляд дифракційних ґраток з обірваними смугами. Але такі голограми мають ряд недоліків, основним є низька дифракційна ефективність. Тобто, енергія падаючого пучка розподіляється між багатьма дифрагованими пучками. Усунути такі небажані ефекти можна застосовуючи так звані об'ємні голограми, принципова схема утворення яких вперше була запропонована Денисюком.


Об’ємні голограми створені на основі халькогенідних напівпровідникових стекол отримують в лабораторії НДЛ 9.

Основною ж задачею моєї роботи є вивчення властивостей вихрового пучка, отриманого за допомогою об’ємної голограми, і переконання в його сингулярній структурі.


З цією метою, в роботі були поставлені наступні задачі:

1. Розробка і створення оптичної схеми, за допомогою якої продукується вихровий пучок.

2. Візуальне вивчення просторої структури і розподілу інтенсивності у поперечному перерізі отриманого пучка.

3. Дослідження інтерференції отриманого пучка з опорним пучком стандартної структури (гауссовим пучком).

4. Визначення параметрів отриманого вихрового пучка.


В результаті роботи:

1. Створено оптичну схему на основі інтерферометра Маха-Цендера. Схема включає засоби фотоелектричної реєстрації світлових пучків та комп’ютерної обробки отриманих зображень.

2. Отримано поперечний розподіл інтенсивності у пучку, що виходить з лазера, та у вихровому пучку, отриманого за допомогою голограми. Розподіл пучка від лазера має гауссову форму. У вихровому пучку розподіл має кільцеву форму.

3. Отримано картини інтерференції між вихровим та лазерним пучком , що показали існування двох обірваних інтерференційних смуг, що свідчить про існування двох оптичних вихорів розташованих всередині кільця.


^ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ ZnSe:Fe

Бошерницан В.И.

Научный руководитель – доктор наук Ваксман Ю.Ф.


Кристаллы халькогенидов цинка (ZnS, ZnSe, ZnTe), легированные ионами переходных металлов (Cr, Co, Ni, Fe и т.п.), являются перспективными материалами для создания компактных, эффективных лазеров, излучающих в диапазоне 2-5 мкм. Использование лазеров среднего ИК диапазона в качестве источника излучения позволяет эффективнее решать ряд задач в методах высокочувствительного спектрального анализа, дистанционного зондирования атмосферы, в медицине. На основе кристаллов ZnSe:Cr2+ уже успешно реализованы лазеры с полосой перестройки 2.1-3.1 мкм [1]. В [2] сообщалось о создании ZnSe:Fе2+ лазера, излучающего в спектральном диапазоне 3.77-5.05 мкм. ZnSe:Fе2+-лазер является самым длинноволновым из лазеров на основе халькогенидов цинка, легированных переходными элементами. Поэтому исследования люминесценции кристаллов ZnSe, легированных железом, являются актуальными.

В данной работе исследована фотолюминесценция кристаллов ZnSe:Fe, полученных диффузионным легированием. Легирование осуществлялось из металлического порошкообразного железа в атмосфере Ar+He при температурах 1270-1320 К и длительности диффузионного процесса 10-30 часов. Концентрация примеси железа определялась по величине смещения ширины запрещенной зоны. Максимальная концентрация железа составляла 2·1018 см-3 в кристаллах, полученных при температуре 1320 К.

Исследования фотолюминесценции кристаллов ZnSe:Fe производились при температурах 77-300 К. При Т=77 К в кристаллах ZnSe:Fe наблюдаются линии излучения на 1.74, 1.82, 1.89, 1.97, 2.03 эВ, интенсивность которых возрастает с ростом концентрации железа. Положение этих линий не менялось с увеличением температуры от 77 до 300 К. Полученные результаты свидетельствуют о том, что указанные линии излучения обусловлены внутрицентровыми излучательными переходами, происходящими в пределах иона Fe2+. Природа наблюдаемых линий излучения соответствует природе наблюдаемых ранее [3] аналогичных линий поглощения. Величина стоксового смещения составляет 40 мэВ.

На основе полученных нами результатов исследований построена схема оптических переходов, ответственных за поглощение света и люминесценцию в кристаллах ZnSe:Fe.


[1] Акимов В.А., Козловский В.И., Коростелин Ю.В., Ландман А.И., Подмарьков Ю.П, Фролов М.П. Спектральная динамика внутрирезонаторного поглощения в импульсном Cr2+:ZnSe –лазере // Квантовая электроника. 2005. Т. 35. С. 425.

[2] Fedorov V.V., Mirov S.B., Gallian A., Badikov V.V., Frolov M.P., Korostelin Yu.V., Kozlovsky V.I., Landman A.I., Podmar’kov Yu.P., Akimov V.A., Voronov A.A. 3.77-5.05 μm tunable solid state lasers based on Fe2+-doped ZnSe crystals operating at low and room temperatures // IEEE J. Quantum Electron. 2006. V. 42. P. 907.

[3] Vaksman Yu. F., Nitsuk Yu. A., Yatsun V. V., Nasibov A. S., and Shapkin P. V. Optical Absorption and Diffusion of Iron in ZnSe Single Crystals //Semiconductors, 2010, Vol. 44, No. 4, pp. 444–447.


Оптические свойства кристаллов ZnTe:Ni

Бережной Е.А.

Научный руководитель – кандидат наук Ницук Ю.А.


Кристаллы халькогенидов цинка легированные переходными металлами, широко используются в качестве активных сред и затворов для лазеров, излучающих в инфракрасной области спектра. Кристаллы ZnTe, легированные железом и никелем, являются перспективным материалом для фоторефракторов [1]. Поэтому исследование оптических свойств кристаллов теллурида цинка, легированных никелем является актуальным.

В данной работе были исследованы оптические свойства кристаллов ZnTe:Ni, полученных диффузионным легированием исходно нелегированных кристаллов ZnTe, полученных методом свободного роста. Диффузионный процесс осуществлялся из напыленного на одну из больших поверхностей металлического слоя никеля в атмосфере Ar+He при температурах 1020-1120 К. Длительность диффузионного процесса составляла 5 часов. Полученные кристаллы ZnTe:Ni имели темно-коричневую окраску в отличие от красно коричневой окраски нелегированных кристаллов.

Исследовано оптическое поглощение в видимой и ИК-области спектра. Нелегированные кристаллы ZnTe при Т=77 К характеризуются краем поглощения на 2.28 эВ. Показано, что при легировании никелем край поглощения смещается в сторону меньших энергий. По величине смещения определена концентрация примеси никеля. Максимальная концентрация примеси никеля составляет 6·1019см-3 в кристаллах, полученных при 1120 К.

В области 2.35-1.8 эВ при Т=77К наблюдаются линии поглощения, которые обусловлены внутрицентровыми оптическими переходами из основного 3T1(F)-состояния на G-состояния иона Ni2+.

В области 1.1-0.5 эВ наблюдаются полосы поглощения, обусловленные переходами из основного 3T1(F)-состояния на низкоэнергетические возбужденные состояния 3Т2(F) и 3А2(F) иона Ni2+.

Наличие полос поглощения в видимой области позволило определить диффузионные профили примеси никеля и рассчитать коэффициенты диффузии D примеси никеля в кристаллах ZnTe при температурах 1020-1120 К. При температуре отжига кристаллов 1120 K коэффициент диффузии никеля составляет 6∙10-9 см2/с. По температурной зависимости D(T) определены коэффициенты D0=0.03 см2/с и Еа=1.9 эВ в уравнении Аррениуса.

На основе полученных результатов и имеющихся расчетов энергетических состояний иона Ni2+ идентифицирована и построена схема оптических переходов, ответственных за поглощение света в кристаллах ZnTe:Ni.


  1. Kreissl J., Schulz H.-J. Transition-metal impurities in II-VI semiconductors:characterization and switching of charge states // J. Cryst. Growth. – 1996. – V. 161. - P. 239-249.



^ СЕКЦИЯ ХИМИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ

(кафедра общей и химической физики)


ГОРЕНИЕ УГОЛЬНЫХ ПЫЛЕЙ

Муница В.С.

Научный руководитель — доктор наук Шевчук В.Г.


Горение твердых топлив в распыленном виде является наиболее приемлемым способом сжигания,позволяющим добиваться высоких скоростей процессов, в следствие высокой реакционнной поверхности.По этой же причине, многие технологические процессы с использованием распыленных горючих веществ являются весьма пожароопасными.Особенно остро эта проблема стоит в угольной промышленности, где регулярно происходят шахтные взрывы с участием гибридных смесей воздуха, метана и угольной пыли.Поэтому, разработка моделей воспламенения и горения таких систем,является важной народно-хозяйственной проблемой,которая,несмотря на долгое время своего существования,начинает решаться только сейчас.

В то время,как горение метано-воздушных смесей хорошо изучено,гибридные смеси остаются практически не исследованными. Самая важная проблема заключается в выяснении роли угля в подобных процессах.Действительно,если уголь воспламеняется и сгорает быстро,но может являться дополнительным источником энергии, и, следовательно,интенсифицировать процесс горения.Если же частицы угля сгорают медленно,то они по отношению к метано-воздушным смесям они могут являться стоками тепла и окислителя,т.е. ингибировать процесс горения. Таким образом, важнейшей задачей для решения данной комплексной проблемы является изучение воспламенения и горения угольно-воздушных смесей(пылей). В частности, разработка теории ламинарного пламени в угольных пылях.Последнее,в свою очередь,зависит от механизма горения частиц в волне горения.Действительно,если частицы горят в кинетическом режиме,то,подобно газофазным смесям следует ожидать наличие максимума на зависимости скорости распространения пламени от концентрации угольной пыли для значений концентрации,близких к стехиометрическим,в то время как для пылей частиц,горящих в диффузионном режиме этот максимум находится в области концентраций,в несколько раз превышающих стехиометрические. В настоящей работе эта гипотеза положена в основу упрощенной модели ламинарного пламени в угольных пылях.


[1] D.Bradley,M.Lawes,Ho-Young Park,and N.Usta "Modeling of laminar pulverized coal flames with speciated devolatilization and comparisons with experiments" .Combustion and Flame Volume 144, Issues 1-2, January 2006, Pages 190-204.

[2] Лейпунский О.И. "О зависимости от давления скорости горения черного пороха", ЖХФ, 1960, т.34, №1, с. 177-181.

[3] Новожилов Б.В "Нестационарное горение твердых ракетных топлив". Москва, Наука,1973г. - 171с

^ ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДВОЙНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СЛОЯ ГЕЛЬМГОЛЬЦА

Скворцов Ю.Д.

Научный руководитель – кандидат наук Кондратьев Е.Н.


Большую роль в современной технике играют источники и накопители энергии. Без них немыслим ни один электронный прибор. Используются они как непосредственно для обеспечения питанием тех или иных узлов, так и в качестве элементов, задающих режимы работы отдельных цепей.

На сегодняшний день существует множество видов этих устройств, выполняющих свои задачи в различных областях. Теория и практика применения многих из них разработана и внедрена более века назад (конденсаторы, простейшие гальванические элементы, катушки индуктивности, электрические двигатели/генераторы), другие, ныне использующиеся, изобретены не так давно и продолжают совершенствоваться в наше время (электролитические конденсаторы, аккумуляторные батареи высокой ёмкости). Существуют и приборы, лишь начинающие заполнять ниши в спектре накопителей энергии. Среди них следует упомянуть такие электрохимические устройства, как топливные элементы и ионисторы (суперконденсаторы, по западной терминологии). Разработка и усовершенствование таких элементов открывает совершенно новые перспективы в различных областях индустрии.

Относительно новый в применении тип приборов - ионисторы, получает всё большую популярность в самых разнообразных приложениях, начиная от резервных источников питания электронных приборов и заканчивая электромобилями и электростанциями на альтернативных видах энергии. В наше время многие исследовательские коллективы по всему миру ведут интенсивные разработки в области совершенствования этих приборов с целью улучшения таких показателей, как удельная энергоёмкость, удельная стоимость, рабочее напряжение и других параметров.

Целью данной работы является разработка подхода к исследованию одного из аспектов поведения двойного электрического слоя - скорости накопления заряда и частотной зависимости его импеданса, как элемента электрической схемы. Более глубокое понимание работы этих устройств может как подсказать перспективы их развития, так и открыть новые методики в смежных научных областях.


[1] М.Пелевин, Ионисторы или конденсаторы с двойным электрическим слоем производства Panasonic. Журнал ``Электронные компоненты'' 6, 2008. ООО ИД ``Электроника'', Москва.

[2] В.П.Кузнецов, М.Е.Компан, А.Е.Кравчик, Двойнослойные конденсаторы (ионисторы) на основе нанопористых углеродных материалов - перспективные накопители энергии. Международный научный журнал ``Альтернативная энергетика и экология'' АЭЭ 2(46), 2007.

[3] J. Chem. Sci., Graphene-based electrochemical supercapacitors. Vol. 120, No. 1, January 2008, pp. 9–13. Indian Academy of Sciences.

^ РЕГИСТРАЦИЯ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ СРЕДАХ

Фучеджи Г.И.

Научный руководитель – кандидат наук Полищук Д.Д.


В последнее время бурное развитие высоких технологий и в первую очередь электронно-вычислительной техники вызвало появление новых задач в фундаментальной и прикладной физике. Особо актуальное место среди них занимает проблема нанотехнологии: разработки методов создания наноразмерных объектов и управления их свойствами[1]. В связи с этим достаточно большой интерес представляет проблема создания нанообъектов оптическими методами в таких материалах, как щелочно-галоидные кристаллы (ЩГК) с центрами окраски, которые под действием света преобразуются в нанообъекты определенного назначения. В НИИ Физики ОНУ имени И.И.Мечникова давно и плодотворно проводятся работы с ЩГК[2], но недавно там была разработана новая модель формирования объемных голограмм[3]. Для ее подтверждения необходимо проведение эксперимента по влиянию физико-химических условий на формирование центров поглощения в ЩГК. Целесообразнее всего мониторинг проводить по спектрам поглощения образцов, что и является основной целью данной работы.

Автоматизация спектральных измерений позволяет практически полностью исключить рутинную работу исследователя и позволяет проводить анализ в реальном масштабе времени.

Оптико-механическая часть спектрографов и монохроматоров в последнее время составляет значительную часть стоимости таких установок. Еще 20 лет назад автоматизированные системы типа КСВУ изготовляемые на ЛОМО были чрезвычайно дороги, и основная цена их была в вычислительном комплексе ДВК-3. Такие машины физически и морально давно устарели и неэксплуатируются. В связи с этим нами была проведена автоматизация спектрального комплекса КСВУ-23 на базе современных микрокомпьютерных устройств.

Проведены тестовые измерения на объемных ЩГК-голораммах, которые показали хорошее соответствие экспериментальных спектров со спектрами полученными с помощью компьютерного моделирования.


[1] Воробьев А.А. Центры окраски в щелочно-галоидных кристаллах. Томск: ТГУ, 1968.-С. 390.

[2] Белоус В.М., Мандель В.Е., Попов А.Ю.; Тюрин А.В. Механизмы голографической записи на основе фототермического преобразования центров окраски в аддитивно окрашенных щелочно-галоидных кристаллов. // Оптика и спектроскопия, 1999, Т.87, №2, с.327-332.

[3] Popov A.Yu., Belous W.M., Mandel V. E., Shugailo Yu.B., Tyurin A.V. Drift model of photoinduced processes in alkali-halide crystals during volume hologram recording. // SPIE Proceedings, N3904-22, 1999, p. 195-200.

^ КИНЕТИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НУКЛЕАЦИИ И КОНДЕНСАЦИИ В ПЫЛЕВЫХ ПЛАМЁНАХ
  1   2   3

Схожі:

И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconИ. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 7 я отчет
В связи с этим, изучение оптических и фотоэлектрических свойств кристаллов ZnSe, легированных железом и никелем, на сегодняшний день...
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconЗвіт про роботу Одеського державного університету ім. І. І. Мечникова за 1997-1998. Одеса, 2005. 125 с. 15/10975 Звіт про роботу Одеського державного університету ім. І. І. Мечникова за 1998-1999. Одеса, 2005. 280 с. 15/10976
Отчет о состоянии и деятельности Новороссийского университета за … – Одесса. 41/41-43, 127
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconДодаток 9 до правил прийому до Одеського національного університету імені І.І. Мечникова у 2014 році Порядок подання та розгляду заяв в електронній формі на участь у конкурсному відборі до Одеського національного університету імені І.І. Мечникова
Одеського національного університету імені І.І. Мечникова, Коледжу економіки та соціальної роботи ону імені І.І. Мечникова та Херсонського...
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconІ. І. Мечникова 28 вересня, Вчена рада ону імені І. І. Мечникова визнала особисті досягнення та заслуги професора Нікола Франко Баллоні у становленні італійсько-одеських відносин рішення
Директора Італійського інституту культури обрано почесним професором ону імені І. І. Мечникова
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconИ. И. Мечникова Философский факультет И. В. Голубович биография
Рекомендовано к печати решением Ученого Совета Одесского национального университета им. И. И. Мечникова
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconФилософского факультета одесского национального университета имени И. И. Мечникова
Научной библиотеки ону имени И. И. Мечникова (ул. Преображенская, 24) пройдет семинар
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconРектору Одесского национального университета имени И. И. Мечникова проф. Ковалю И. Н
Ну имени И. И. Мечникова в 20 20 учебном году по специальности и переслать его почтой по адресу
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconРектору Одесского национального университета имени И. И. Мечникова проф. Ковалю И. Н
Ну имени И. И. Мечникова в 20 20 учебном году по специальности и переслать его почтой по адресу
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconПоложення про приймальну комісію Одеського національного університету імені І.І. Мечникова І. Загальна частина
Приймальна комісія Одеського національного університету імені І.І. Мечникова (далі – Приймальна комісія) – робочий орган ону імені...
И. И. Мечникова Физическийфакульте т 6 6 я отчет iconПоложення про приймальну комісію Одеського національного університету імені І.І. Мечникова І. Загальна частина
Приймальна комісія Одеського національного університету імені І.І. Мечникова (далі – Приймальна комісія) – робочий орган ону імені...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи