Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур icon

Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур




Скачати 38.01 Kb.
НазваОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
Дата04.08.2012
Розмір38.01 Kb.
ТипДокументи


ОПИС ПРОПОЗИЦІЇ


Назва: Датчики радіації на основі МОН структур





Анотація пропозиції:

Дія іонізуючої радіації на живий організм завжди викликала цікавість, з моменту відкриття і перших кроків застосування, тому що з самого початку люди виявили її негативний вплив. Радіація смертельно небезпечна. При великих дозах вона викликає небезпечні ураження тканин, а при малих - може викликати рак та ініціювати генетичні дефекти, які, можливо, проявляться у дітей та онуків людини, що була опромінена, або навіть у його ще більш віддалених нащадків. На довершення всіх бід, органи чуття людини не відчувають радіації безпосередньо в момент її дії і не можуть попередити його про наявність грізної небезпеки. Разом з тим, в багатьох сферах діяльності людини неможливо повністю відмовитись від використання джерел радіаційного випромінювання, а в оточуючому людей середовищі присутня велика кількість природних джерел радіоактивного випромінювання. У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих і надійних датчиків радіоактивного випромінювання.

В ННВЦ при ОНУ проводиться робота по розробці надійних та простих у виготовленні напівпровідникових приладів, які дозволяють вимірювати кількісні характеристики доз радіації, отриманих людиною або іншими об‘єктами за певний час.




Інновації та переваги пропозиції:

Можливість детектування поглиненої дози іонізуючих випромінювань за допомогою МОН (метал-оксид-напівпровідник)- транзисторів визначається тим фактом, що при опромінюванні такого транзистора, наприклад, гамма квантами або нейтронами, в діелектрику нагромаджується позитивний або негативний заряд. Накопичуючись в тонкому шарі діелектрика на межі переходу діелектрик-напівпровідник, ці заряди своїм електричним полем модулюють провідність каналу між витоком і стоком. Чим більше нагромаджується зарядів в прикордонному шарі, тим більше ця модуляція. Кількість накопиченого заряду залежить від величини поглиненої дози іонізуючих випромінювань і властивостей діелектрика.

Зміна провідності каналу МОН-транзисторів під дією іонізуючих випромінювань призведе до зміни струму, який тече через канал. Таким чином, по величині зміни канального струму, можна визначити поглинену дозу іонізуючих випромінювань. На практиці виміряють не величину зміни струму, а, фіксуючи канальний струм, виміряють величину зміни напруги затвора (Ug), яке необхідне для отримання заданого фіксованого струму. Для малих і середніх значень поглиненої дози D (від 100 до 1000 рад) добре виконується залежність Ug~D (для товщини оксидів менше 0,5 мкм).




^ Порівняння зі світовими результатами:

Пропонований детектор спроектований і виготовлений на основі МОН-транзистора за звичайною планарною МОН-технологією із залученням додаткових технологічних операцій, що дозволяють контролювати процес виготовлення, починаючи з контролю початкових пластин кремнію і закінчуючи готовими структурами. При цьому спостерігалася мінімальна густина поверхневих станів на межі оксид - кремній, мінімальна товщина перехідного шару оксиду і необхідні значення радіаційної чутливості.

Пропонований до виробництва детектор може бути модернізований залежно від необхідного діапазону його можливого застосування.




^ Ключові слова для пошуку: (укр., англ.)

Технологічні ключові слова (для класифікації):

радіаційний захист (Radiation Protection), Сенсорні технології (Sensor Technology related to measurements), Медичні технології (Electromedical and Medical Equipment), ядерна фізика (Nuclear Physics), Сенсори біометричні та навколишнього середовища (Environmental and Biometrics Sensors, Actuators)





^ Права інтелектуальної власності (патентно-конкурентоспроможні результати):


 Патент отримано





^ Стан готовності розробки:


 Промисловий зразок



Сфера ринкового застосування розробки:

Виберіть пункти меню, що описують ті сфери, в яких може бути використана технологія


 Електроніка та телекомунікації


 Прикладні розробки в фізиці та точних науках

^

 Медицина, охорона здоров’я, біотехнології



 Виміри та стандарти


 Захист людини та навколишнього середовища





Тип розшукуваного партнера / Тип потрібної співпраці:


 НДІ  Університет/інститут

 Науково-виробниче об’єднання  Консалтингова фірма

 Промислове підприємство





Партнерський вклад/Необхідний досвід і кваліфікація


 Розробка і виготовлення на замовлення


 Фінансові ресурси


Схожі:

Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconОпис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур
У зв‘язку з викладеним вище, очевидна потреба у створенні простих І надійних датчиків радіоактивного випромінювання
Опис пропозиції назва: Датчики радіації на основі мон структур iconРеєстраційний опис інноваційної пропозиції назва пропозиції : Розділ науки І техніки
Основні якісні та технічні характеристики (описати цінність для потенційного споживача та технічні параметри)
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи