Исследование биполярных транзисторов icon

Исследование биполярных транзисторов




Скачати 63.16 Kb.
НазваИсследование биполярных транзисторов
Дата23.09.2012
Розмір63.16 Kb.
ТипИсследование

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ


НАЦИОНАЛЬНЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ХАИ»


кафедра №504


Лабораторная работа №3


Исследование биполярных транзисторов


группа_________________

бригада №______________

студент________________

Дата выполнения работы___________


Харьков, 2004


Цель работы: Ознакомиться с типами и маркировкой биполярных транзисторов, овладеть методикой снятия статических вольтамперных и динамических характеристик, проверить активные свойства транзистора в схеме с общим эмиттером, а также определить его малосигнальные низкочастотные параметры.


Схема включения транзистора





Элементы схемы:

  • В4, В5 – источники постоянного напряжения ;

  • R1, R2 – переменные резисторы;

  • RН – резистор нагрузки ;

  • VT – биполярный транзистор;

измерительные приборы:

  • В – щитовой вольтметр;

  • мкА – щитовой микроамперметр;

  • мА – щитовой миллиамперметр;

  • М – мультиметр;

  • ГCC – генератор стандартных сигналов.


В работе исследуется биполярный транзистор:

маркировка____________;

тип проводимости_______;

материал______________;

категория по частоте___________;

категория по мощности_________;

предельно эксплуатационные параметры:

максимально допустимый ток коллектора IK.max=________;

максимально допустимое напряжение на коллекторе UK.max=______ .

(Примечание: тип проводимости БТ и полярность питающих напряжений указываются на схеме для конкретного модуля)


  1. Результаты эксперимента




    1. Исследование БТ в динамическом режиме: RН = 2 кОм, ЕК = 10 В.

      1. Передаточная динамическая характеристика по току IK = f(IБ)

Таблица 1.

IБ, мкА







---

IК, мА











Примечание:

IБ – ток базы; IК – ток коллектора.

опорные точки характеристики:

IБ.А = ………. ; IК.А = IК.НАС/2 = ………. - координаты рабочей точки А;

IК.НАС = ………; - значение коллекторного тока в режиме насыщения.

Рассчитанное значение базового тока на границе насыщения:

IБ.НАС =2 IБ.А = ……… .


      1. Исследование активных (усилительных свойств) транзистора

а) режим работы БТ:

IК.А = ………. – ток коллектора в рабочей точке;

UK.A = ……. – напряжение коллектора в рабочей точке;

UБ.A = ……. – напряжение базы в рабочей точке.

б) амплитудные значения напряжений на входе и выходе схемы:

UВЫХ = UK.m = ……. – на коллекторе БТ;

UВХ = UБ.m = ……… - на базе БТ.


1.2. Исследование БТ в статическом режиме

(Резистор нагрузки RН закорочен)


1.2.1. Семейство входных (базовых) статических вольтамперных характеристик IБ = f(UБЭ), UКЭ = const


Таблица 2.1 UКЭ = 0

IБ, мкА
















UБ, В

















Таблица 2.2 UКЭ = 5 В

IБ, мкА
















UБ, В

















Примечание:

IБ – значение базового тока; UБ – значение базового напряжения;

UБ.П = ……… - пороговое напряжение (для кремниевого БТ).

Координаты рабочей точки:

IБ.А = ………. ; UБ.A = …….; UK.A = ……. .


1.2.2. Семейство выходных (коллекторных) статических вольтамперных характеристик IК = f(UКЭ), IБ = const


Таблица 3




IБ, мкА













UК1 = 0,5 В

IК1, мА













UК2 = 10 В

IК2, мА














Примечание:

IБ - базовый ток (параметр характеристики);

IК1, IК2 – коллекторные токи в крайних точках характеристики;

UК1, UК2 – значения коллекторных напряжений в крайних точках ВАХ.

Координаты рабочей точки:

IБ.А = ………. ; IК.А = …….; UK.A = ……. .


  1. Теоретический анализ результатов измерений




    1. Графическое представление экспериментальных характеристик

      1. Передаточная динамическая характеристика БТ, рис.2___см.табл. 1






      1. Входные статические ВАХ, рис. 3___________см. табл. 2

      2. Выходные статические ВАХ. рис. 4__________см. табл. 3



2.2. Построение линии нагрузки: ЕК = 10 В, RН = 2 кОм (см. рис. 4)

Ток короткого замыкания - IК.КЗ = ЕК/ RН = …………….;

Напряжение холостого хода - UK.ХХ = ЕК = ……….. .

Координаты рабочей точки А: (см. рис. 2 – рис. 4)

I
Б.А = ………. ; UБ.A = ………; IК.А = …….; UK.A = ……. .



    1. Расчет малосигнальных низкочастотных параметров БТ

      1. Параметр h11 __________________________________(см. рис….)

(название параметра)



      1. Параметр h12 __________________________________ (см. рис….)

(название параметра)



      1. Параметр h21 _________________________________ (см. рис….)

(название параметра)



      1. Параметр h22 _________________________________ (см. рис….)

(название параметра)



    1. Расчет крутизны (параметра проводимости прямой передачи)



    1. Вычисление теоретического значения коэффициента усиления






    1. Вычисление экспериментального значения коэффициента усиления




ВЫВОДЫ

Схожі:

Исследование биполярных транзисторов iconИсследование полевых транзисторов
Цель работы: овладеть методикой снятия статических вольтамперных характеристик полевых транзисторов, проверить активные свойства...
Исследование биполярных транзисторов iconДегтярев Ю. И. Исследование операций. М.: Высшая школа, 1986. Зайченко Ю. П. Исследование операций
Вентцель Е. С. Исследование операций: Задачи,принципы,методология. М.: Наука, 1980
Исследование биполярных транзисторов iconДегтярев Ю. И. Исследование операций. М.: Высшая школа, 1986. Зайченко Ю. П. Исследование операций
Вентцель Е. С. Исследование операций: Задачи, принципы, методология. М.: Наука, 1980
Исследование биполярных транзисторов iconДокументи
1. /Схемотехника усилительных каскадов на биполярных транзисторах Ровдо А.А..pdf
Исследование биполярных транзисторов iconИсследование выпрямительных диодов
Экспериментальное исследование и определение основных параметров схемы однополупериодного выпрямления
Исследование биполярных транзисторов iconИсследование структурообразования при электрокристал-лизации металлов
Исследование и разработка новых технологий на основе высококонцентрированных источников энергии
Исследование биполярных транзисторов iconЗразок оформлення статті
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы LaB6-MeB6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование биполярных транзисторов iconЗразок оформлення статті
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы LaB6-MeB6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование биполярных транзисторов iconЗразок оформлення статті
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы LaB6-MeB6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование биполярных транзисторов iconОбразец оформления статьи
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы Lab6-Meb6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи