Исследование полевых транзисторов icon

Исследование полевых транзисторов




Скачати 70.48 Kb.
НазваИсследование полевых транзисторов
Дата23.09.2012
Розмір70.48 Kb.
ТипИсследование

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ


НАЦИОНАЛЬНЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ «ХАИ»


кафедра №504


Лабораторная работа №4


Исследование полевых транзисторов

с управляющим p-n переходом


группа_________________

бригада №______________

студент________________

Дата выполнения работы___________


Харьков, 2004


Цель работы: овладеть методикой снятия статических вольтамперных характеристик полевых транзисторов, проверить активные свойства транзистора в схеме простейшего усилителя, а также определить основные динамические параметры транзистора.


Схема включения транзистора

Э
лементы схемы:

  • В4, В5 – источники постоянного напряжения ;

  • R1, R2 – переменные резисторы;

  • RН – резистор нагрузки ;

  • R - ограничительный резистор ;

  • VT – полевой транзистор;

измерительные приборы:

  • В – щитовой вольтметр;

  • мА – щитовой миллиамперметр;

  • М – мультиметр;

  • ГCC – генератор стандартных сигналов.


В работе исследуется полевой транзистор:

маркировка____________;

тип проводимости канала_______;

материал______________;

категория по частоте___________;

категория по мощности_________;

предельно эксплуатационные параметры:

максимально допустимый ток стока IС.max=______;

максимально допустимое напряжение на стоке UС.max=______;

максимально допустимое напряжение на затворе UЗ.max=______.

(Примечание: тип проводимости канала ПТ и полярность питающих напряжений указываются на схеме для конкретного модуля)

  1. Результаты эксперимента


1.1. Исследование ПТ в статическом режиме

(Резистор нагрузки RН закорочен)


1.1.1. Семейство стокозатворных статических вольтамперных характеристик IС = f(UЗ), UС = const


Таблица 1.1 UС = 10В

IС, мА
















UЗ, В

















Таблица 1.2 UС = 5 В

IС, мА
















UЗ, В

















Таблица 1.3 UС = 2 В

IС, мА
















UЗ, В

















Примечание:

IС – значение тока стока; UЗ – значение напряжения на затворе;

UС – значение напряжения на стоке (параметр характеристики).

UЗ.ОТС = ……… - напряжение затвора отсечки;

IС.НАЧ = ……….. – начальное значение тока стока.

Координаты рабочей точки (указываются после исследования ПТ в динамическом режиме):

IС.А = ………. ; UЗ.A = …….; UС.A = ……. .


1.1.2. Семейство выходных (стоковых) статических вольтамперных характеристик IС = f(UС), UЗ = const


Таблица 2.1 UЗ = 0.

IС, мА






















UС, В























Таблица 2.2 UЗ = ……...

IС, мА






















UС, В























Таблица 2.3 UЗ = ……...

IС, мА






















UС, В























Таблица 2.4 UЗ = ……...

IС, мА






















UС, В























Примечание:

IС – значение тока стока; UС – значение напряжения на стоке;

UЗ – значение напряжения на затворе (параметр характеристики).

UС.НАС = ……… - напряжение стока насыщения;

сравнение с величиной напряжения затвора отсечки UЗ.ОТС = ……….


    1. ^ Исследование активных (усилительных свойств) транзистора в динамическом режиме RН = 2 кОм, ЕС = 10 В

а) режим работы ПТ:

IС.А = ………. – ток стока в рабочей точке;

UС.A = ……. – напряжение стока в рабочей точке;

UЗ.A = ……. – напряжение затвора в рабочей точке.

б) амплитудные значения напряжений на входе и выходе схемы:

UВЫХ = UС.m = ……. – на стоке ПТ;

UВХ = UЗ.m = ……… - на затворе ПТ.


  1. Теоретический анализ результатов измерений




    1. Графическое представление экспериментальных характеристик

      1. Статические стокозатворные ВАХ, рис. 2______________см. табл. 1

      2. Выходные (стоковые) статические ВАХ, рис. 3__________см. табл. 2





2.2. Построение линии нагрузки: ЕС = 10 В, RН = 2 кОм (см. рис. 3)

Ток короткого замыкания - IС.КЗ = ЕС/ RН = …………….;

Напряжение холостого хода - UС.ХХ = ЕС = ……….. .

Координаты рабочей точки А: (см. рис. 2 – рис. 3)

UЗ.A = ………; IС.А = …….; UС.A = ……. .

    1. Расчет динамических параметров ПТ

      1. Расчет крутизны стокозатворной характеристики (см. рис. 2)

=

2.3.2. Расчет динамического сопротивления стока


=


    1. Вычисление теоретического значения коэффициента усиления


=


    1. Вычисление экспериментального значения коэффициента усиления




ВЫВОДЫ

Схожі:

Исследование полевых транзисторов iconИсследование биполярных транзисторов
Цель работы: Ознакомиться с типами и маркировкой биполярных транзисторов, овладеть методикой снятия статических вольтамперных и динамических...
Исследование полевых транзисторов iconДегтярев Ю. И. Исследование операций. М.: Высшая школа, 1986. Зайченко Ю. П. Исследование операций
Вентцель Е. С. Исследование операций: Задачи, принципы, методология. М.: Наука, 1980
Исследование полевых транзисторов iconДегтярев Ю. И. Исследование операций. М.: Высшая школа, 1986. Зайченко Ю. П. Исследование операций
Вентцель Е. С. Исследование операций: Задачи,принципы,методология. М.: Наука, 1980
Исследование полевых транзисторов iconИсследование выпрямительных диодов
Экспериментальное исследование и определение основных параметров схемы однополупериодного выпрямления
Исследование полевых транзисторов iconИсследование структурообразования при электрокристал-лизации металлов
Исследование и разработка новых технологий на основе высококонцентрированных источников энергии
Исследование полевых транзисторов iconЗразок оформлення статті
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы LaB6-MeB6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование полевых транзисторов iconОбразец оформления статьи
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы Lab6-Meb6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование полевых транзисторов iconЗразок оформлення статті
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы LaB6-MeB6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование полевых транзисторов iconЗразок оформлення статті
Л. О. Бирюкович, А. Н. Степанчук. Исследование термоэмиссионных свойств сплавов системы LaB6-MeB6 (где Me-Ce,Pr,Nd). В работе проведено...
Исследование полевых транзисторов iconОсобенности технологии формирования комплементарных транзисторов на кни структурах
Классический приватный университет, Запорожская государственная инженерная академия, Запорожье, Украина
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи