Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка icon

Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка




Скачати 84.55 Kb.
НазваЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
Дата01.08.2012
Розмір84.55 Kb.
ТипДокументи


СХІДНОУКРАЇНСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

ім. Володимира Даля

Кафедра мікро- та наноелектроніки


Затверджую


Ректор _____ О.Л. Голубенко

«_____» ___________ 2012 р.


Пояснювальна записка

щодо проведення фахового випробування для осіб,
які вступають на вакантні місця нормативного терміну навчання
освітньо-професійної програми підготовки бакалаврів з напряму підготовки „Мікро- та наноелектроніка” на базі раніш здобутого освітньо-кваліфікаційного рівня молодшого спеціаліста


Пояснювальна записка складається з:

  • Програми фахових вступних випробувань;

  • Вимог до рівня підготовки вступників;

  • Переліку рекомендованої літератури;

  • Критеріїв оцінювання;

  • Порядку проведення фахового випробування.



Луганськ – 2012

1. Програма фахового вступного випробування


Фахові вступні випробування включають перевірку знань, набутих у середньому спеціальному навчальному закладі з наступних дисциплін.

Фізика. Кінематика і динаміка матеріальної точки і системи матеріальних точок. Закони збереження. Види сил у природі. Поняття термодинамічної системи. Закони ідеальних газів. Перший і другий закони термодинаміки. Електростатика. Діелектричні властивості кристалів. Закони постійного електричного струму. Механізми електропровідності. Магнітні взаємодії. Характеристики магнітного поля у вакуумі. Закони електромагнітної індукції. Властивості магнітного поля в речовині.

^ Фізика твердого тіла. Структура кристалів і способи її визначення. Міжатомна взаємодія, основні типи зв'язків у твердих тілах. Дефекти у твердих тілах. Механічні властивості твердих тіл. Коливання атомів і теплові властивості твердих тіл. Електричні властивості твердих тіл. Оптичні властивості твердих тіл.

^ Матеріали електроніки. Будова, структура і властивості матеріалів. Основні процеси, які відбуваються в матеріалі під впливом зовнішніх чинників. Загальні знання про найбільш використовувані електронні компоненти. Класифікація, призначення, основні характеристики електронних компонентів.

Електроніка. Фізичні явища та принципи дії сучасних напівпровідникових приладів, їх параметри та характеристики. Галузі використання напівпровідникових приладів. Методологія проведення вимірювань параметрів і характеристик напівпровідникових приладів, а також їх використання в конкретних електронних схемах.

Наноелектроніка. Властивості наноматеріалів. Методи виготовлення наноматеріалів. Фізичні принципи роботи і конструювання наноелектронних приладів. Методи вимірювання та дослідження наночастинок. Методи синтезу наноматеріалів.


^ 2. Вимоги до рівня підготовки вступників


Вступник повинен

знати:


  • загальні фізичні закони та явища;

  • методи розв’язання типових фізичних задач;

  • похибки вимірювань фізичних величин;

  • електростатику, діелектричні властивості кристалів;

  • закони постійного електричного струму;

  • механізми електропровідності;

  • магнітні взаємодії, характеристики магнітного поля у вакуумі;

  • закони електромагнітної індукції, властивості магнітного поля в речовині;

  • поняття кристалічних ґрат;

  • симетрію кристалів, кристалографічні системи координат;

  • класифікацію твердих тіл, типи зв'язку;

  • класифікацію дефектів;

  • пружність, закон Гука;

  • будову, структуру і властивості матеріалів;

  • основні характеристики електронних компонентів;

  • фізичні явища при утворенні p-n переходу;

  • параметри діодів, галузі застосування;

  • фізичні процеси в транзисторі в активному режимі;

  • підсилення в транзисторі.

  • співвідношення між струмами в транзисторі;

  • вплив зменшення розміру наночастинок на їх властивості;

  • методи вимірювання та дослідження наночастинок;

  • методи синтезу наноматеріалів.


уміти:


  • розраховувати електричні і магнітні поля у вакуумі і при наявності діелектричних і магнітних середовищ;

  • аналізувати властивості діелектриків і магнетиків;

  • визначати енергію електричних і магнітних полів;

  • визначати електроємність і індуктивність простих систем;

  • робити розрахунки електричних кіл постійного струму;

  • визначати кристалографічні символи вузлових площин і прямих;

  • знаходити елементи симетрії різних кристалів і визначати їхні міжплощинні відстані і кути між ними;

  • визначати положення інтерференційних променів;

  • застосовувати класифікацію, маркування та умовні графічні позначення електронних компонентів при проектуванні апаратури;

  • використовувати основні технічні характеристики, конструкції та технологічні правила використання електронних компонентів при проектуванні електронної апаратури;

  • проводити вимірювання параметрів і характеристик напівпровідникових приладів, а також використовувати їх в конкретних електронних схемах;

  • використовувати методи вимірювання та дослідження наночастинок;

  • вибирати методи синтезу наноматеріалів згідно потрібних властивостей;

  • характеризувати методи синтезу провідних і напівпровідних сполук у кремнії.



^ 3. Перелік рекомендованої літератури


  1. Курс фізики. /За ред. І.Є. Лопатинського – Львів: Бескид Бет, 2002. – 375с.

  2. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 1985.

  3. Епифанов Г.И. Физика твердого тела. – М.: Высшая школа, 1977.

  4. Андреев В.М. и др.. Материалы электронной техники. -М.: Радио и связь, 1992. -350с.

  5. Свитенко В.Н. Электрорадиоэлементы. -М.: Высш. шк., 1987. - 207с.

  6. Блинов Г. А. Гибридные интегральные функциональные устройства. - М.: Высш. шк., 1987. - 111с.

  7. Рычина Т.А., Зеленский А.В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. М.: Радио и связь, 1989. - 352с.

  8. Фролов А. Д. Радиодетали и узлы. -М.: Высш. шк., 1975. - 520с.

  9. Чурабо Д. Д. Детали и узлы приборов. -М.: Высш. шк., 1975. - 480с.

  10. Березин В. Б. Электротехнические материалы: Справочник. - М.: Энергоатомиздат, 1983. - 504с.

  11. Тугов Н.М., Глебов Б А., Чаряхов НА. Полупроводниковые приборы. - М.: Энергоахомиздат, 1990. - 576 с.

  12. Пасынков В.В., Чиркан Л.К. Полупроводниковые приборы - М.; Высш. шк., 1987. - 479 с.

  13. Степаненко И.Л. Основы теории транзисторов и транзисторных схем - М.: Энергия, 1977. - 672 с.

  14. Батушев В. А. Электронные приборы. - М.; Высш. шк, 1980. - 383 с.


^ 4. Критерії оцінювання


Оцінювання рівня підготовки, тобто знань і умінь вступника, відбувається на підставі наступних критеріїв:

  1. Правильність відповіді;

  2. Ступінь усвідомлення програмного матеріалу;

  3. Вміння користуватись засвоєним матеріалом.

Результати фахового вступного випробування оцінюються за 12-ти бальною шкалою з урахування вищезазначених критеріїв за наступною шкалою:



Рівень підготовки

Вимоги рівня підготовки згідно критеріям оцінювання

Відповідність умінь та знать вступника рівню підготовки

Бал за
12-ти бальною системою

1

2

3

4

високий

Вступник глибоко і в повному обсязі володіє програмним матеріалом, грамотно, вичерпано та логічно викладає його в усній або письмовій формі. При цьому знає рекомендовану літературу, виявляє творчий підхід і правильно обґрунтовує прийняти рішення, добре володіє різносторонніми уміннями та навичками при виконанні практичних задач

Вище середнього рівня вимог

12

На середньому рівні вимог

11

Нижче середнього рівня вимог

10

середній

Вступник знає програмний матеріал, грамотно і за суттю викладає його в усній або письмовій формі, припускаючи незначні неточності в доказах, трактовці понять та категорій. При цьому володіє необхідними уміннями та навичками при виконанні практичних задач

Вище середнього рівня вимог, але нижче попереднього

9

На середньому рівні вимог

8

Нижче середнього рівня вимог

7

достатній

Вступник знає тільки основний програмний матеріал, припускає неточності, недостатньо чіткі формулювання, непослідовність у викладанні відповідей в усній або письмовій формі. При цьому нетривке володіння уміннями та навичками при виконанні практичних занять

Вище середнього рівня вимог, але нижче попереднього

6

На середньому рівні вимог

5

Нижче середнього рівня вимог

4

низький

Вступник не знає значної частини програмного матеріалу. При цьому припускає принципові помилки в доказах, трактовці понять та категорій, виявляє низьку культуру оформлення знань, не володіє основними уміннями та навичками при виконанні практичних задач. Вступник відмовляється від відповіді на контрольні запитання

Вище середнього рівня вимог, але нижче попереднього

3

На середньому рівні вимог

2

Нижче середнього рівня вимог

1

дуже низький

Знання та уміння з програмного матеріалу практично відсутні




0


Низький та дуже низький рівень підготовки є недостатніми для участі у рейтинговому конкурсі на зарахування.


^ 5. Порядок проведення фахового вступного випробування


Фахове вступне випробування проводиться у формі тестування. Для проведення тестування формуються окремі групи вступників в порядку надходження (реєстрації) документів. Список допущених до тестування ухвалюється рішенням фахової атестаційної комісії, про що складається відповідний протокол, який передається до приймальної комісії.

Для проведення тестування фаховою атестаційною комісією попередньо готуються тестові завдання відповідно до «Програми фахового вступного випробування». Програма фахового вступного випробування оприлюднюється засобами наочної інформації на Web-сайті СНУ ім. В.Даля (http://www.snu.edu.ua) та інформаційних стендах кафедри мікро- та наноелектроніки.

Фахове вступне випробування проводиться у строки передбачені Умовами прийому до СНУ ім. В. Даля.

На тестування вступник з'являється з паспортом. Вступник одержує „Лист тестового завдання”, який містить 12 питань з варіантами відповіді, за дисциплінами, зазначеними у програмі фахових випробувань, і відповідає на них впродовж 30 хвилин. Користуватися при підготовці друкованими або електронними інформаційними засобами забороняється.

Результати фахового вступного випробування оцінюються за 12-бальною шкалою за правилами вказаними в розділі “Критерії оцінювання” даної пояснювальної записки і відмічаються у «Листі тестового завдання». Рівень знань вступника за результатами тестування заноситься також до відомості і підтверджується підписами трьох членів фахової комісії. Відомість оформляється одночасно з «Екзаменаційним листом» вступника і передається до приймальної комісії.

Заяву про апеляцію вступник може подати в день оголошення результатів до 17.00 години


Голова фахової атестаційної

комісії ______________ проф. Кравченко О.П.


Завідувач кафедри

мікро- та наноелектроніки ______________ проф. Кожемякін Г.М.



Схожі:

Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко „ ” 2012 р. Пояснювальна записка пояснювальна записка
move to 213-161267
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко „ ” 2012 р. Пояснювальна записка пояснювальна записка
...
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161262
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161259
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161256
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161255
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161300
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161253
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161252
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161250
Затверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка iconЗатверджую Ректор О. Л. Голубенко 2012 р. Пояснювальна записка
move to 213-161249
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи