Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации icon

Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации




Скачати 405.69 Kb.
НазваФормирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации
Сторінка1/3
Дата18.01.2013
Розмір405.69 Kb.
ТипОтчет
  1   2   3


УДК 538.975:539.234:539.2

КП

№ 0111U004964

Инв. №


МИнИстерство Образования И науки,

молодежи и спорта Украины

Сумский государственный университет


40007, г. Сумы, ул. Римского-Корсакова, 2

тел. (0542) 33-40-49 факс (0542) 33-40-49

e-mail: info@nis.sumdu.edu.ua


Утверждаю

Проректор по научной работе

докт. физ.-мат. наук, профессор


________________ А.Н. Черноус


Отчет

О научно-исследовательской РаБОТе


Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации

(заключительный)


Договор № Ф32/244-2011 от 15.07.2011


Начальник НИЧ

канд. физ.-мат. наук Д.И. Курбатов


Руководитель НИР

канд. физ.-мат. наук Ю.А. Косминская


2011


Рукопись закончена 15 декабря 2011 г.

Результаты этой работы рассмотрены научным советом СумГУ,

Протокол от 08.12.11 г. № 4

^ СПИСОК АВТОРОВ


Руководитель НИР

канд. физ.-мат. наук Ю.А. Косминская

(реферат, введение, подраздел 2.4, выводы)


Профессор В.И. Перекрестов

Д-р. техн. наук (подразделы 1.2, 2.3)


Младший научный сотрудник А.А. Мокренко

(подраздел 1.1)


Доцент А.С. Корнющенко

канд. физ.-мат. наук (подразделы 1.2)


Научный сотрудник Дешин Б.В.

(подраздел 2.1)


Научный сотрудник Дешин В.Б.

(подраздел 2.2)


реферат


Отчет о НИР: 49 с., 21 рис., 1 табл., 24 источника.

Объект исследования – процессы структурообразования низкоразмерных структур никеля, хрома, кремния и углерода в процессе квазиравновесной стационарной конденсации атомов.

Цель работы: исследование и разработка нового технологического направления формирования низкоразмерных систем углерода, слаболетучих металлов, кремния, основанного на явлениях самоорганизации в условиях квазиравновесных стационарных процессов конденсации на границе раздела плазма-конденсат.

В работе получены низкоразмерные пористые слои никеля и хрома в квазиравновесных стационарных условиях при помощи планарной магнетронной распылительной системы на постоянном токе, а также при помощи разработанной нами накопительной системы плазма-конденсат. Показано, что процесс их формирования сопровождается отсутствием классической ростовой коалесценции, переориентацией слабых осаждаемых потоков в области первичных скоплений кластеров, а также гомогенной нуклеацией в местах их сращивания. Реализованы условия квазиравновесной конденсации в накопительной ионно-плазменной системе с использованием обратных диффузионных потоков распыленного вещества. Данная технология позволила обнаружить эффекты самоорганизации одинаковых по размерам островков кремния, а также проявление пространственно распределенной структурной и аллотропной селективности при конденсации углерода. В работе обсуждается роль активных центров преимущественного закрепления адатомов, электрического поля над ростовой поверхностью, которое зависит от ее кривизны.

^ МАГНЕТРОННОЕ РАСПЫЛЕНИЕ, НАКОПИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА ПЛАЗМА-КОНДЕНСАТ, КВАЗИРАВНОВЕСНЫЕ УСЛОВИЯ, СЕЛЕКТИВНОСТЬ, НИЗКОРАЗМЕРНЫЕ СИСТЕМЫ

СОДЕРЖАНИЕ


^ ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ, СИМВОЛОВ, ЕДИНИЦ, СОКРАЩЕНИЙ И ТЕРМИНОВ 6

ВВЕДЕНИЕ 7

1 СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ КОНДЕНСАТОВ НИКЕЛЯ И ХРОМА В КВАЗИРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ 9

1.1. Получение конденсатов хрома и никеля в квазиравновесных

условиях в предельно слабых потоках вещества при помощи магнетрона

на постоянном токе 9

1.2. Исследование структурных свойств конденсатов при помощи

просвечивающей и растровой электронной микроскопии в зависимости

от технологических параметров эксперимента, определение

оптимальных условий для получения микро- и наноструктур хрома

и никеля 13

1.2.1 Структура конденсатов Ni 13

1.2.2. Структура конденсатов Сr 20

^ 2 СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ КОНДЕНСАТОВ КРЕМНИЯ И

УГЛЕРОДА ПРИ ПОМОЩИ НАКОПИТЕЛЬНОЙ

ИОННО-ПЛАЗМЕННОЙ СИСТЕМЫ 28

2.1. Получение конденсатов кремния с использованием обратных

диффузионных потоков распыленного вещества в накопительной

ионно-плазменной системе 28

2.2. Исследование структурных свойств конденсатов кремния в

зависимости от технологических условий конденсации, определение

оптимальных условий для получения микро- и наноструктур кремния 29

2.3. Получение конденсатов углерода с использованием обратных

диффузионных потоков распыленного вещества в накопительной

ионно-плазменной системе 34

2.4. Исследование структурных свойств конденсатов углерода в

зависимости от технологических условий конденсации, определение

оптимальных условий для получения микро- и наноструктур углерода 35

ВЫВОДЫ 45

^ ПЕРЕЧЕНЬ ССЫЛОК 47

ПЕРЕЧЕНЬ УСЛОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ, СИМВОЛОВ, ЕДИНИЦ, СОКРАЩЕНИЙ И ТЕРМИНОВ


ГЦК – гранецентрированная кубическая решетка;

ПЭМ – просвечивающая электронная микроскопия;

НСПК – накопительная система плазма-конденсат.


ВВЕДЕНИЕ


Наиболее важные достижения современных нанотехнологий являются результатом применение особых методов получения микро- и наносистем при переходе вещества в сконденсированное состояние. Решение подобного рода задач, прежде всего, связано с возможностью реализации избирательности процесса закрепления атомов на ростовой поверхности, что является основой для формирования 3D-низкоразмерных систем. На сегодняшний день манипуляцию отдельными атомами можно осуществлять используя атомно-силовую микроскопию. Однако такой подход не позволяет реализовать высокую производительность процесса. Молекулярно-лучевая эпитаксия также имеет ряд ограничений, которые определяются возможностью реализации квазиравновесной конденсации только малого количества относительно высоколетучих веществ.

Основой принципиально нового технологического подхода, изложенного в отчете, является использование нелинейной взаимосвязи между основными технологическими параметрами. Такие процессы протекают на границе раздела низкотемпературная плазма газового разряда – конденсат и приводят к самоорганизации критически малых стационарных пересыщений. При этом воздействие высокоионизированной плазмы на поверхность роста конденсата позволяет обеспечить высокую стационарность процесса даже при конденсации слаболетучих веществ. В этом случае самоорганизация различных микро- и наносистем является следствием минимизации свободной энергии. По причине новизны технологического подхода, основные физические принципы формирования конденсатов в подобных условиях изучены недостаточно и представляют значительный научный и практический интерес. Исследования процессов образования низкоразмерных систем в условиях стационарной квазиравновесной конденсации позволит расширить представления о механизмах зарождения и роста конденсатов, а также разработать принципиально новый подход к описанию процесса структурообразования высокопористых систем.

Таким образом, основу отчета составляет изучение механизмов самосборки низкоразмерных 3D структур в условиях квазиравновесной стационарной конденсации в технологических системах, в которых реализована самоорганизация критически малых стационарных пересыщений.


^ 1 СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ КОНДЕНСАТОВ НИКЕЛЯ И ХРОМА В КВАЗИРАВНОВЕСНЫХ УСЛОВИЯХ


1.1. Получение конденсатов хрома и никеля в квазиравновесных условиях в предельно слабых потоках вещества при помощи магнетрона на постоянном токе


Исследования последних лет указывают на перспективность использования низкоразмерных пористых систем в качестве катализаторов, сенсоров и других активных элементов [1-4]. В этой связи представляют интерес эволюционные процессы при самосборке конденсатов с развитой поверхностью в близких к равновесным системах. В подобных условиях общеизвестные представления о механизмах структурообразования конденсата претерпевают качественные изменения [5-7]. Так с приближением системы к термодинамическому равновесию происходит переход от флуктуационного объединения адатомов, определяющего образование закритических зародышей, к их поштучному закреплению на активных центрах ростовой поверхности. Например, в условиях Франка-ван-дер Мерве в этом случае наблюдается послойный рост монокристаллов при закреплении адатомов на зарождающихся и перемещающихся моноступенях роста.

Как показали эксперименты на примере конденсации меди [8-10], самосборка в условиях Фольмера-Вебера носит более сложный характер. Так, в отсутствие необходимых предпосылок послойного заполнения адатомами поверхности подложки, происходит гетерогенная нуклеация разобщенных объемных кластеров, сращивание которых, а также повторная гомогенная нуклеация способствуют формированию низкоразмерных пористых систем. Очевидно, подобный механизм структурообразования весьма чувствительный к малейшим изменениям технологических параметров. Следовательно, достаточно воспроизводимую самосборку низкоразмерных пористых систем можно получить при стационарных малых пересыщениях.

Сложность реализации условий самосборки низкоразмерных систем никеля и хрома, прежде всего, определяется их малой летучестью. Так, близкие к равновесным условия в системе пар-конденсат можно получить, если осаждать паровые потоки с давлением 1.3 Па при температуре ростовой поверхности, превышающей температуру плавления (1726 0К для никеля и 2130 для хрома) [11]. Если же воспользоваться более низкой температурой ростовой поверхности (~1000 0К), давление паров осаждаемого никеля должно соответствовать примерно 10-9 Па, а хрома – примерно 10-8 Па [11]. Очевидно, организовать столь слабые стационарные потоки осаждаемого вещества чрезвычайно сложно. Следовательно, необходимо стимулировать реиспарение адатомов, привлекая дополнительные факторы воздействия на ростовую поверхность [12]. В этой связи отметим, что при формировании паровых потоков посредством магнетронного распыления на постоянном токе близость к термодинамическому равновесию достигается не только предельно слабыми осаждаемыми потоками и повышенной температурой ростовой поверхности, но и другими физическими процессами. Так со стороны магнетронных распылителей действует на ростовую поверхность поток вторичных электронов, приводящий к ее дополнительному разогреву примерно на 30-50% [11, 13]. Кроме этого, относительно высокая средняя энергия распыленных атомов (~ 5 эВ) [11, 14], а также воздействие на адатомы частиц плазмы с повышенной энергией снижают вероятность их полной термической аккомодации на ростовой поверхности. В этом случае можно говорить о том, что в системе плазма-конденсат энергия десорбции снижается до эффективного значения [7]:


(1.1)

где - среднее значение энергии, передаваемой от частиц плазмы адатомам, которое характерезуется дисперсией (Ei-энергия, передаваемая адатомам в конкретном случае).

В качестве критерия близости к равновесию можно использовать стремящееся к нулю пересыщение в виде [7]:


, (1.2)


где – равновесная концентрация атомов непосредственно над ростовой поверхностью; – коэффициент, зависящий от температуры ростовой поверхности Тs и летучести металла [11]; – текущая концентрация атомов над ростовой поверхностью. Согласно (1.2), пересыщение является весьма чувствительным параметром по отношению энергии десорбции и при малых ее значениях стремится к нулю. Как показали результаты проведенных нами экспериментов по конденсации меди [8-10], указанных выше факторов достаточно для реализации предельно слабых пересыщений.

Получение конденсатов никеля и хрома производилось в вакуумной камере, укомплектованной тремя магнетронами на постоянном токе и масс-спектрометром остаточных газов МХ7304А, абсолютная чувствительность которого составляет ~ 10-12 Па. Прежде всего, в работе была экспериментально подобрана такая предельно малая мощность разряда (Pw=3.4 Вт) магнетронного распылителя никеля и хрома, при которой появлялись первые признаки зарождения конденсата. При этом в формировании предельно слабых осаждаемых потоков никеля важную роль играло повышенное давление рабочего газа (давление аргона PAr=4.9 Па), приводящее к частичному рассеянию распыленного потока.

В силу предельно слабого осаждаемого потока и соответствующей повышенной вероятности образования примесных фаз при самосборке, в работе значительное внимание уделено очистке рабочего газа (Ar). С этой целью применялся беспроточный вариант напуска газа, а также продолжительное распыление (~ 26 часов) двумя другими магнетронами титана, конденсат которого поглощал химически активные газы. Определение состава и парциального давления остаточных химически активных газов в зависимости от времени осаждения титана производились по методике, изложенной в [15]. Суммарное парциальное давление химически активных газов составляло ~810-8–10-7 Па. При этом на основании масс-спектра остаточных газов (см. рис. 1.1) можно утверждать, что они содержат H2 (массовое число 2), CH4 и возможно О (массовые числа 12, 13, 14, 15 и 16), H2O (массовые числа 17 и 18), CO и N2 (массовые числа 28 и 29), Ar (массовое число 40) и углеводороды (массовые числа 13, 14, 15, 16 и 43) [15].




Рисунок 1.1 – Масс-спектр остаточных газов после откачки магнетронами в течение 24-26 часов [15]. Представленная интенсивность пиков пропорциональна ионному току


Повышенная концентрация H2 и отсутствие атомарного водорода подтверждает существенно более интенсивное поглощение газов в атомарном виде [11]. По этой причине в силу отсутствия молекулярного кислорода можно утверждать, что и атомарный кислород присутствует в пренебрежимо малых количествах. С другой стороны, суммарная интенсивность кислородосодержащих компонент с массовыми числами 17, 18, 28 и 29 составляет всего лишь 12% от суммарной интенсивности всех остаточных газов. Следовательно, изложенные выше факты указывают на пренебрежимо малую вероятность образования окислов при взаимодействии осаждаемых металлов с остаточными газами.

Системы разрозненных нанокристаллов, сформированные на сколах (001) KCl, укреплялись аморфными углеродными слоями и затем отделялись от подложки посредством растворения последней в воде. Структура и фазовый состав конденсатов исследовались при помощи растровой и просвечивающей электронной микроскопии, а также дифракции электронов.


1.2. Исследование структурных свойств конденсатов при помощи просвечивающей и растровой электронной микроскопии в зависимости от технологических параметров эксперимента, определение оптимальных условий для получения микро- и наноструктур никеля и хрома


^ 1.2.1. Структура конденсатов Ni


Вначале мы провели серию экспериментов, при помощи которой установили качественные изменения в механизме структурообразования конденсатов никеля, полученных при переходе от повышенных к предельно малым пересыщениям. Во всех экспериментах этой серии мы использовали температуру подложки Тs=620 К и давление рабочего газа РAr=4.9 Па. При этом формирование конденсатов при различных пересыщениях достигалось за счет изменения осаждаемых паровых потоков никеля. В свою очередь эти потоки создавались при помощи подвода к магнетронному распылителю никеля различных мощностей разряда (Pw =3.4÷45 Вт). При этом установлено, что использование относительно высоких мощностей разряда (9÷45Вт) приводит к ускоренному формированию непористых тонких пленок, имеющих ГЦК- структуру β-Ni и обладающих хорошо выраженной текстурой (см рис.1.2 а).





Рисунок 1.2 – Изображения микроструктур конденсатов никеля, полученных при помощи ПЭМ-исследований. Время осаждения t = 300 с, РAr=4.9 Па и Тs=620 К (a- Pw ~ 45 Вт; b- Pw ~ 7 Вт; с- Pw ~ 3.4 Вт )


По мере снижения пересыщения при снижении мощности разряда до 7 Вт проявляется тенденция к локальному росту разрозненных относительно крупных кристаллов (см рис.1.2 b). Как показали дальнейшие исследования, такой механизм начального роста конденсата соответствует области перехода от повышенных до критически малых пересыщений.

Качественные изменения в механизме нуклеации и росте конденсатов наблюдаются при снижении мощности разряда до предельно малых значений Так на основании ПЭМ исследований нами установлено, что при Pw ~ 1.4-5.4 Вт первый этап формирования конденсатов на сколах KCl характеризовался целым рядом отличительных особенностей (см рис. 1.2 с):

а) слабо выраженная текстура зарождения (см. электронограмму на рис. 1.2 с);

б) округлая форма кластеров;

в) слабо выраженные процессы коалесценции при взаимном контакте кластеров;

г) наличие скоплений структурных образований.

Постепенное снижение текстуры зарождения при снижении пересыщения (см. рис. 1.2 a, b, c), по-видимому, связано с произвольно ориентированным субкритическим зародышеобразованием кластеров исключительно на структурных дефектах подложки. Чаще всего на (001) KCl в качестве структурных дефектах выступают анионные вакансии Cl-. Подобные активные центры формируются при облучении подложки потоком вторичных электронов и другими частицами плазмы, исходящих со стороны работающего магнетронного распылителя.

Округлые формы кластеров свидетельствуют о преимущественно нормальном их росте, что характерно для критически малых пересыщений и закрепления адатомов на атомно-шероховатой поверхности [16]. Наиболее простое объяснение шарообразной формы основано на равномерном росте радиуса частиц со всех сторон, что соответствует минимальному приращению свободной поверхностной энергии. Наряду с этим минимизация свободной энергии является признаком протекания процесса конденсации в окрестности термодинамического равновесия и может быть основой для объяснения слабо выраженной коалесценции кластеров. Действительно процессы коалесценции всегда связаны с полной перестройкой поверхности стыкующихся кластеров [17-19], что, в случае предельной минимизации свободной энергии, должно сопровождаться преодолением значительного потенциального барьера. Следовательно, конденсация в окрестности термодинамического равновесия может подавлять процессы коалесценции.

Обращает на себя внимание появление на локальных участках (001) KCl скоплений кластеров (см. рис. 1.2 c). Поскольку нормальный рост кристаллов происходит при самосборке структурно изотропной атомношероховатой поверхности, в местах контакта двух кластеров разность химических потенциалов, согласно эффекту Гиббса-Томсона, определяется соотношением


. (1.2)


Здесь R1 и R2 – соответственно основные радиусы отрицательной и положительной кривизны; Ωс – объем, приходящийся на один атом; α – поверхностная энергия. Из анализа (1.2) следует вывод о том, что при R1<R2 в области сращивания кластеров Δμr может принимать повышенные значения. В силу этих обстоятельств, области взаимных контактов первичного скопления кластеров может представлять собой совокупность энергетически выгодных для конденсации активных центров. При этом важную роль в образовании пористости играют повышенная диффузионная подвижность адатомов и возможная гомогенная нуклеация на активных центрах новых кластеров [8]. Конечным итогом подобных процессов является самоусиление концетрации кластеров в областях их минимального первичного скопления (см. рис. 1.2 с) Необходимо отметить, что объединение кристаллитов на отдельных участках ростовой поверхности ранее было отмечено при электролитическом осаждении Ni на аморфные подложки [20], что, по нашему мнению, объясняется одинаковыми для обоих случаев слабыми пересыщениями.

На втором этапе структурообразования слоев при более продолжительной конденсации наблюдается переход к фрактальным сетчатым структурам (см. рис. 1.3 а). Такие конденсаты обычно формируются при осаждении никеля в течение 8-15 минут в технологических условиях, которые соответствуют РAr=2.6 Па, Pw ~ 3.4-6 Вт и Тs=620 0К. Рассчитанная фрактальная размерность конденсатов составляет величину 1.85, что является признаком монофрактальности. Фрактальное строение конденсатов связано с дальнейшим развитием скоплений кластеров до их взаимного срастания. Фрагменты фрактальных образований, как следует из рис. 1.3 b, имеют трехмерный характер. При этом фронт роста фрагментов конденсата состоит из слабосвязанных между собой кластеров (см. рис. 1.3 с), области контакта которых являются основой для дальнейшего самоусиления концентрации кластеров.





Рисунок 1.3 – Структура конденсатов никеля при различных увеличениях. Изображения структуры получены при помощи ПЭМ. (t=35 минут РAr=4.9 Па, Pw ~ 3.8 Вт и Тs=620 0К)


Начало третьего этапа формирования конденсата обусловлено заростанием всей поверхности подложки округлыми кристаллами. При условии сохранения основных технологических параметров предыдущего




Рисунок 1.4 – Структурно-морфологические характеристики конденсатов никеля, полученных в течение 5 часов при РAr=2.6÷4.9 Па, Тs=620 0К (а, b-Pw = 3.4 Вт; c- Pw=5 Вт). Изображения структур получены при помощи РЭМ с использованием режима регистрации вторичных электронов


эксперимента, полное зарастание подложки происходит примерно за время конденсации 25÷30 минут. При этом базовая морфология конденсата и механизм его формирования сохраняются. Так на основании РЭМ-исследований нами установлено, что по-прежнему ростовая поверхность имеет развитый характер и состоит из слабо связанных между собой кристаллов округлой формы (см. рис. 1.4 а, b, c). Кроме этого общая морфология поверхности (см. рис. 1.4 а, с) является итогом повышенной скорости роста конденсата в локальных областях первичного скопления кластеров. Следовательно, третий этап начинается переходом от монофрактального строения конденсата к формированию мультифрактальной ростовой поверхности. Примечательно, что варьируя технологи зарожд ческие условия в ограниченных пределах можно изменять средние размеры кластеров (см. рис. 1.4 а и с).

На четвертом заключительном этапе наращивание конденсата происходят качественные изменениям в механизме структурообразования. Так, вместо кристаллов округлой формы на ростовой поверхности ается система вискеров (см. рис. 1.5 а). По-видимому, этот этап структурообразования определяется отсутствием активных центров, на которых возможна дальнейшая гомонуклеция и рост кластеров. Тем самым создаются предпосылки для сильно локализованного медленного роста совершенных кристаллов при заполнении адатомами энергетически выгодных кристаллографических плоскостей.





Рисунок 1.5 – Этапы зарождения (а) и роста (b, c) вискеров, сформированных при при Тs=620 0К и Pw = 3.8 Вт (a- t=4 часов; РAr=2.7÷4.9 Па; b-t=5 часов; РAr=2.7÷4.9 Па; с- t=9 часов, РAr=7 Па)

Изображение отдельного вискера на рис. 1.5 с получено при помощи ПЭМ. Остальные изображения структур получены при помощи РЭМ в режиме регистрации вторичных электронов.

Диаметр вискеров составляет 30-600 нм. При увеличении давления рабочего газа от 4.9 до 7 Па средние размеры диаметров вискеров возрастают от 90 до 350 нм (см. рис. 1.5 b и d). При этом в процессе достаточно продолжительной конденсации (~ 9 часов) области взаимного контакта вискеров превращаются в узлы, которые могут служить активными центрами повторного их зарождения (см. рис. 1.5 b). Непрерывная последовательность таких процессов приводит к формированию ажурной трехмерной системы взаимосвязанных вискеров.

В заключение отметим, что, как показали электронографические исследования тонких областей конденсата, по-прежнему его фазовый состав соответствует ГЦК-структуре β-Ni, а какие либо примесные фазы отсутствуют.

  1   2   3

Схожі:

Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconРоявление селективных процессов при стационарной неравновесной конденсации cr в. И. Перекрестов, канд физ мат наук, доц
В связи с этим в работе поставлена цель исследовать проявление селективных процессов при стационарной неравновесной конденсации Cr,...
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconФизические основы сваривания металлов 11. Физические основы процесса сварки металлов
Наибольшее же применение при изготовлении и ремонте разнообразного промышленного оборудования и трубопроводных систем транспортирования...
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconИ. А. Федоренко Теоретико методологические основы формирование фармацевтического потенциала регионы в условиях транзитивной экономики Украины монография
Теоретико методологические основы формирование фармацевтического потенциала регионы в условиях транзитивной экономики Украины
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconМіністерство освіти І науки україни кременчуцький національний університет імені михайла остроградського
Исследование влияния на погрешность измерения диаметра слитка кремния осаждения пленки монооксида кремния
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconВ условиях изотермического отжига а. А. Степаненко, А. Н. Чорноус
Фазообразование и электрофизические свойства тонкопленочных систем на основе ti и al в условиях изотермического отжига
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconУдк. 621. 315. 592 Влияние оксидного покрытия на фотопроводимость структур макропористого кремния
Для повышения стабильности применяется пассивация поверхности структур пористого кремния путем термического окисления. В данной работе...
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconГосударственный стандарт союза сср двуокись углерода газообразная и жидкая технические условия гост 8050-85 издательство стандартов москва государственный стандарт союза сср
Двуокись углерода выпускается жидкая низкотемпературная, жидкая высокого давления и газообразная
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconМеждународная научная Internet – конференция молодых ученых и студентов «Финансы и учет в муниципальном управлении: время для изменений?»
Формирование и развитие муниципальной системы управления финансами в условиях хаотично структурированной экономики
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconПовышение однородности эпитаксиальных слоев кремния на сапфире в результате импульсной фотонной обработки
Исследование физико-механических свойств тонких эпитаксиальных слоев кремния на сапфире (кнс) представляет большой интерес в связи...
Формирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации iconУдк 621. 671 Исследование и расчет стационарной радиальной силы в ступенях с кольцевыми и комбинированными отводами
Исследование и расчет стационарной радиальной силы в ступенях с кольцевыми и комбинированными отводами
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи