В. Л. Савиных физические основы электроники icon

В. Л. Савиных физические основы электроники




НазваВ. Л. Савиных физические основы электроники
Сторінка1/7
Дата01.08.2012
Розмір0.84 Mb.
ТипУчебное пособие
  1   2   3   4   5   6   7
1. /???????__??? ?????? ???????????.docВ. Л. Савиных физические основы электроники


Министерство Российской Федерации

по связи и информатизации

Сибирский государственный университет

телекоммуникаций и информатики


В.Л. Савиных


ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ

ЭЛЕКТРОНИКИ


Учебное пособие

для специальностей 071 700, 200 700,

200 800, 200 900, 201 000, 201 100, 201 200, 201 400


Новосибирск

2003


УДК 621.385


Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов.


ктн, доц. В.Л. Савиных,


Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.


Кафедра технической электроники.

Ил. 8, табл. 11, список лит. 4 назв.

Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А.

Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве

учебного пособия


@ Сибирский государственный

университет телекоммуникаций

и информатики, 2003 г.


Содержание



Введение………………………………………………………

1 Основы теории электропроводности полупроводников.......

  1. Общие сведения о полупроводниках....................................

  1. Полупроводники с собственной проводимостью..............

  2. Полупроводники с электронной проводимостью.............

  3. Полупроводники с дырочной проводимостью..................

  1. Токи в полупроводниках ....................................................

  1. Дрейфовый ток...................................................................

  2. Диффузионный ток...........................................................

  1. Контактные явления...........................................................

  1. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия

  2. Прямое включение p-n перехода......................................

  3. Обратное включение p-n перехода.................................

  4. Теоретическая характеристика p-n перехода...........................

  5. Реальная характеристика p-n перехода............................

  6. Ёмкости p-n перехода......................................................

  1. Разновидности p-n переходов..........................................

  1. Гетеропереходы...........................................................

  2. Контакт между полупроводниками одного типа проводимости

  3. Контакт металла с полупроводником..........................................

  4. Омические контакты...................................................................

  5. Явления на поверхности полупроводника..............................

2 Полупроводниковые диоды.....................................................

  1. Классификация.......................................................................

  2. Выпрямительные диоды.......................................................

  3. Стабилитроны и стабисторы.................................................

  4. Универсальные и импульсные диоды...................................

  5. Варикапы..............................................................................

3 Биполярные транзисторы...........................................................

3.1 Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы.....

  1. Общие сведения..............................................................................

  2. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе

  1. Статические характеристики биполярных транзисторов.........

  1. Схема с общей базой...............................................................

  2. Схема с общим эмиттером........................................................

  3. Влияние температуры на статические характеристики БТ.....

  1. Дифференциальные параметры биполярного транзистора..................

  2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора......

  3. Частотные свойства биполярного транзистора...................................

  4. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов.

  5. Работа транзистора в усилительном режиме......................................

  6. Особенности работы транзистора в импульсном режиме..................

  1. Работа транзистора в режиме усиления импульсов малой амплитуды..............................................................................................

  2. Работа транзистора в режиме переключения.................................

  3. Переходные процессы при переключении транзистора..............

4 Полевые транзисторы..............................................................

  1. Полевой транзистор с p-n переходом........................................

  2. Полевой транзистор с изолированным затвором (МДП-ранзистор)...

Литература..............................................................................................


  1   2   3   4   5   6   7

Схожі:

В. Л. Савиных физические основы электроники iconФизические основы сваривания металлов 11. Физические основы процесса сварки металлов
Наибольшее же применение при изготовлении и ремонте разнообразного промышленного оборудования и трубопроводных систем транспортирования...
В. Л. Савиных физические основы электроники iconМетодические указания для самостоятельной работы студентов при подготовке к практическому (семинарскому) занятию
Звук. Физические и слуховые характеристики. Звуковые измерения. Физические основы звуковых методов исследования в клинике
В. Л. Савиных физические основы электроники iconДокументи
1. /Физические основы микроэлектроники В.И.Марголин.djvu
В. Л. Савиных физические основы электроники iconДокументи
1. /Физические основы микроэлектроники В.И.Марголин.djvu
В. Л. Савиных физические основы электроники iconРабочая программа по курсу «Механика»
Предмет и задачи физики. Пространство и время как формы существования материи. Методы физического эксперимента. Физические модели....
В. Л. Савиных физические основы электроники iconМетодические указания для студентов по теме
Физические основы действия постоянного, переменного и импульсного токов на организм человека. Эквивалентные электрические схемы биотканей....
В. Л. Савиных физические основы электроники iconВыбор оптимального вейвлет-преобразования для сжатия сигналов в реальном времени Петергеря Ю. С., к т. н., доц., Колотов Н. В., Нтуу «кпи», кафедра «Промышленной электроники»
Петергеря Ю. С., к т н., доц., Колотов Н. В., Нтуу «кпи», кафедра «Промышленной электроники»
В. Л. Савиных физические основы электроники iconЮ. А. О проблеме физических основ теоретической электротехники
Показана также недостаточность для практического применения известных представлений об электромагнитных явлениях в конкретных электротехнических...
В. Л. Савиных физические основы электроники iconМеталловедение и физические основы сварки относятся к числу, основополагающих учебных дисциплин для специальностей газотеплоснабжения и энергетики высших учебных заведений страны
Изложенный материал может быть использован не только студентами и преподавателями втузов, но и широкими кругами инженерно-технических...
В. Л. Савиных физические основы электроники iconИндивидуальное задание по курсу альтернативные источники энергии на тему: "Гидрореагирующее горючее"
В данном реферате был проведен анализ невозобновляемых источников энергии, было рассмотрено производство водорода, его применение,...
В. Л. Савиных физические основы электроники iconОткрытые Университетские Физические Чтения, посвященные своему 50-летию. В ходе Чтений предполагается провести два заседания: пленарное заседание
Кафедра физики Восточноукраинского национального университета имени Владимира Даля проводит Открытые Университетские Физические Чтения,...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи