Національний університет \"львівська політехніка\" icon

Національний університет "львівська політехніка"




Скачати 63.14 Kb.
НазваНаціональний університет "львівська політехніка"
Дата15.09.2012
Розмір63.14 Kb.
ТипДокументи

НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”


Кафедра “Електронні засоби інформаційно – комп’ютерних технологій”


“ЗАТВЕРДЖУЮ”

Голова методичної комісії базового напряму


______________ Романишин Ю.М.


“_23____” ____квітня_________ 2009 р.


ПРОГРАМА ДЕРЖАВНОГО ІСПИТУ

з напряму підготовки 6 0910 „Електронні апарати”


Програму державного іспиту розглянуто і ухвалено на засіданні методичної комісії базового напряму


Протокол № 5 від „__23___” квітня__________2009


м. Львів

І. ЗАГАЛЬНІ ПОЛОЖЕННЯ

Перелік дисциплін:

  1. Основи моделювання технічних систем

  2. Обчислювальні та мікропроцесорні засоби в електронних аппаратах

  3. Фізико-теоретичні основи конструювання електронних апаратів

  4. Елементна база електронних апаратів

  5. Основи виробництва ЕА

  6. Матеріали електронної техніки

  7. Основи радіоелектроніки

  8. Фізичні основи електронних пристроїв

  9. Охорона праці

  10. Економіка


ІІ. Організаційно-методичні рекомендації

Форма проведення – письмова

Студент повинен знати:

  • типи моделей технічних систем (ТС), що застосовуються при проектуванні електронних апаратів, та методи їх отримання;

  • основи побудови емпіричних моделей за технологією кореляційно-регресійного аналізу;

  • основи теорії графів та її застосування при моделюванні ТС;

  • основи моделювання ТС на макрорівні і мікрорівні;

  • основи теорії подібності та способи задоволення умови адекватності моделі оригіналу при моделюванні;

  • основи теорії розмірності та правила побудови моделей на її основі;

  • системи команд використовуваних мікропроцесорів та мікроконтролерів;

  • елементи програмування мікропроцесорів та мікроконтролерів;

  • принципи відлагодження програмного забезпечення.

  • основні поняття про конструкції електронних засобів і методологію конструювання;

  • основи моделювання конструкцій та фізичних процесів, які відбуваються в конструкціях при їх експлуатації;

  • методи аналізу фізичних процесів в конструкціях електронних засобів;

  • особливості функціональних пристроїв радіоелектроніки та засобів зв’язку;

  • особливості інтегральної елементної бази пристроїв радіоелектроніки та засобів зв’язку;

  • види дискретної елементної бази пристроїв радіоелектроніки та засобів зв’язку;

  • параметри і характеристики виробництва;

  • види спеціалізації;

  • механічні властивості матеріалів.

  • діаграми стану сплавів.

  • провідникові матеріали.

  • діелектричні матеріали.

  • напівпровідникові матеріали.

  • магнітні матеріали.

  • основи теорії сигналів;

  • основи теорії довгих ліній;

  • схемні рішення в радіоелектроніці (фільтри, підсилювачі, автогенератори, пристрої цифрової обробки сигналів);

  • механізми переносу носіїв заряду у напівпровідниках;

  • фізичні основи напівпровідникових пристроїв;

  • основи охорони праці в галузі;

  • основи економіки виробництва


Студент повинен вміти:

  • створювати графічні моделі систем та задач та представляти задану графом інформацію в аналітичній формі;

  • визначати критерії та умови подібності моделей на основі теорії подібності

  • будувати математичні моделі ТС на основі теорії розмірності .

  • створювати математичні моделі ТС на мікро та макрорівнях

  • запрограмувати мікропроцесор у відповідності з заданим алгоритмом;

  • моделювати процеси теплопереносу у заданих конструкціях електронних засобів;

  • розраховувати показники надійності конструкцій електронних засобів;

  • проаналізувати задане електричне коло методами накладання, еквівалентного генератора, класичним методом;

  • визначити перехідну характеристику електричного кола;

  • визначити параметри чотириполюсника;

  • визначити електронну та діркову складові струму, густину дифузійного струму, дифузійну довжину носіїв заряду для заданої напівпровідникової структури;

  • визначати висоту потенціального бар’єру, контактну різницю потенціалів, бар’єрну ємність, прямий і зворотній струми для заданогоp-n переходу;


ІІІ Основні питання

  1. Побудувати еквівалентну схему підсистеми.

  2. Побудувати граф, матрицю інциденцій, контурів, перерізів. Записати топологічні рівняння.

  3. Представити за першою та другою уніфікованою формою фрагмент моделі системи, що описується рівняннями.

  4. За допомогою способу інтегральних аналогів визначити умови подібності.

  5. Побудувати математичну модель з допомогою методу розмірностей. Визначити тепловий потік, який передається через оболонку заданої форми.

  6. Визначити тепловий потік, який віддається конвекцією від тіла заданої форми.

  7. Визначити коефіцієнти чутливості і побудувати рівняння похибок.

  8. Знайти імовірність безвідмовної роботи або частоту відмов.

  9. Скласти програму для роботи зсуву числа, заданого у відповідному регістрі MCS-51 ;

  10. Скласти програму для роботи з масивом, розміщеним у відповідній області пам’яті MCS-51 і реалізувати його вивід через вказаний порт ;

  11. Організувати задану часову затримку з допомогою таймера MCS-51;

  12. Проаналізувати властивості заданого матеріалу.

  13. Параметри і характеристики заданого радіоелементу;

  14. Параметри і характеристики виробничого процесу;

  15. Проаналізувати задане електричне коло методами накладання, еквівалентного генератора, класичним методом;

  16. Визначити перехідну характеристику електричного кола;

  17. Визначити параметри чотириполюсника;

  18. У напівпровіднику заданого типу визначити :

  1. електронну та діркову складові струму;

  2. густину дифузійного струму;

  3. дифузійну довжину носіїв заряду;

  4. термодинамічну роботу виходу.

  1. Для заданого p-n-переходу визначити:

    1. висоту потенціального бар’єру;

    2. енергетичну діаграм для прямого і зворотного зміщення;

    3. контактну різницю потенціалів;

    4. розподіл концентрації домішок;

    5. товщину області переходу

  2. Для заданого діода визначити:

    1. концентрацію електронів в р- області, концентрацію електронів в n- області;

    2. контактну різницю потенціалів;

    3. зворотний струму насичення, співвідношення між електронною і дірковою складовими струму насичення;

    4. бар’єрної ємності;

    5. координати границь області об`ємного заряду в стані термодинамічної рівноваги;

    6. зв’язок між струмом і напругою;

    7. напругу пробою.


ІV Інформаційно-методичне забезпечення

  1. Гліненко Л.К., Сухоносов О.Г. Основи моделювання технічних систем. - Навчальний посібних для студентів вузів технічних спеціальностей. - Львів: “Ніка-ПЛЮС”. - 1999. - 204 с.

  2. Дульнев Г.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре. Учебник для высших учебных заведений.-М.: Высшая школа, 1984.

  3. Токарев М.Ф., Талицкий Е.Н., Фролов В.Н. Механические воздействия и защита радиоэлектронной аппаратуры / Под ред. В.Н. Фролова. –М.: Радио и связь, 1984.

  4. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Моделювання процесів кондуктивного теплопереносу”.

  5. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Моделювання процесів конвективного теплопереносу”

  6. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Основні показники надійності”.

  7. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Організація пам’яті та види адресації мікроконтролерів MCS-51»

  8. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Організація циклічних програм та переадресація для мікроконтролерів MCS-51»

  9. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Організація вводу/виводу інформації в мікроконтролері MCS-51»

  10. Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи „Реалізація часових функцій в мікроконтролері MCS-51»

  11. Матвійків М.Д. і ін Елементна база ЕА. –Львів, НУ «Львівска політехніка», 2005.

  12. Закалик Л, Ткачук Р. Основи мікроелекроніки, Тернопіль, 1998.

  13. Невлюдов. І. Основи виробництва електронних апаратів. Типові задачі. _арікв, СМІТ, 2009

  14. Мандзій Б., Желяк Р., Киселичник М., Якубенко В. Основи радіелектроніки. Львів, НУ «Львівска політехніка», 2005


Розглянуто і ухвалено на засіданні кафедри ЕЗІКТ

Протокол №10 від «_22_» __квітня___________2009р.

Завідувач кафедри

К.т.н.,проф. Павлиш В.А.

Схожі:

Національний університет \"львівська політехніка\" iconНаціональний університет "Львівська політехніка"
...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconНаціональний університет "Львівська політехніка"
...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconНаціональний університет "Львівська політехніка"
...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconНаціональний університет “Львівська політехніка” Кафедра політології /назва кафедри/ «Затверджую»
...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconМіністерство освіти І науки україни Національний університет “Львівська політехніка”
Лабораторний практикум. Ч. ІІІ. Оптики та атомна фізика: Навчальний посібник. – Львів: Видавництво Національного університету “Львівська...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconУгода № на проведення практики студентів Національного університету «Львівська політехніка»
Ми, які нижче підписалися, з одної сторони, Національний університет «Львівська політехніка» (надалі внз), в особі проректора з навчальної...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconНаціональний університет “Львівська політехніка”
Робочу навчальну програму розроблено для напряму 000305 „Філологія”, фахове спрямування „Прикладна лінгвістика”, розглянуто та затверджено...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconОрганізатори конференції національний університет «Львівська політехніка» проблематика (секції)
З 20 по 22 листопада 2012 року в Національному університеті «Львівська політехніка» буде про­ведено іv-ту Науково-практичну конференцію...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconОрганізатори конференції національний університет «Львівська політехніка» проблематика (секції)
З 20 по 22 листопада 2012 року в Національному університеті «Львівська політехніка» буде про­ведено іv-ту Науково-практичну конференцію...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconНаціональний університет «Львівська політехніка»
Вас взяти участь у роботі Всеукраїнської науково-практичної конференції: «Політико-правові аспекти державотворчого процесу в Україні:...
Національний університет \"львівська політехніка\" iconМіністерство освіти І науки україни національний університет «львівська політехніка» інститут гуманітарних І соціальних наук зовнішня політика україни
«Міжнародна інформація» /Укл. Бучин М. А., Ільницька У. В., Кукарцев О. В., Кучма Л. О., Пасічний Р. Я., Тишкун Ю. Я., Турчин Я. Б....
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи