Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии icon

Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии




Скачати 26.28 Kb.
НазваВлияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии
Дата30.06.2013
Розмір26.28 Kb.
ТипДокументи

УДК 669.054:669.782


ВЛИЯНИЕ ИЗОТЕРМИЧЕСКИХ ОТЖИГОВ НА ОПТИЧЕСКУЮ АКТИВНОСТЬ УГЛЕРОДА В ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ


А.С. Кригер, А.В. Лысенко, А.В. Приходько, Б. С. Рождественский1, Б.Л. Шкляр,

1 Запорожский национальный университет, ул. Жуковского 66, Запорожье, 69600 Украина, rehtw2009@gmail.com


Для оценки качества поликристаллического кремния производителем осуществляется измерение концентрации как электрически активных примесей, доноров и акцепторов, так и фоновых примесей углерода и кислорода. Контроль содержания примесей используется также при мониторинге производственных процессов получения поликристаллического кремния и чистоты технологических газов, разработке новых технологических процессов. Растворённые примеси кислорода и углерода влияют на свойства кремния, поэтому контроль их состояния и содержания всегда остается актуальным.

Информация о концентрации и возможных состояниях этих примесей в кристалле важна как для организации контролируемого роста кристаллов кремния, так и для производства полупроводниковых структур на его основе [1]. Однако, даже в высокочистых кристаллах кремния, так называемого электронного качества, примеси кислорода и углерода присутствуют на уровне порядка 1015 см-3 , что вызывает такое искажение кристаллической решетки, которое может быть зафиксировано с помощью прецизионных измерений параметра решётки [2].

Метод ИК-спектроскопии наиболее часто используется для определения концентрации кислорода и углерода и исследования их состояния в решётке кремнии является. Основным его преимуществом является достаточно широкий диапазон определяемых концентраций примесей. Кроме того, он бесконтактный и неразрушающий.

Однако, этот метод регистрирует только оптически активный углерод, находящийся в позициях замещения. Было установлено, что отжиг при температурах, близких к точке плавления кремния, приводит к изменению концентрации углерода, регистрируемой методом ИК-спектроскопии. [3,4]. Поэтому было исследовано влияние изотермических отжигов при температурах 1250 0С, 1300 0С и 1360 0С в течение двух часов на радиальное распределение концентрации оптически активного углерода в стержнях поликристаллического кремния.

Из стержня поликристаллического кремния, полученного осаждением из газовой фазы по технологии Siemens, вырезались образцы в радиальном направлении прутка, что соответствовало ходу нарастания кремния на пруток-подложку. Измерения концентрации углерода производили методом ИК-спектроскопии на установке «Spectrum 100» фирмы Perkin Elmer.




Рис. 1 − Зависимости распределения концентрации углерода в радиальном направлении прутка до и после изотермических отжигов


На рисунке представлены зависимости распределения концентрации углерода в радиальном направлении прутка до и после изотермических отжигов. Видно, что радиальное распределение углерода в прутке достаточно неоднородно. Наименьшие концентрации углерода наблюдаются на расстояниях 20-35 мм от прутка-затравки, что соответствует середине процесса осаждения поликристаллического кремния. С повышением температуры изотермического отжига устойчиво наблюдалось возрастание концентрации оптически активного углерода в кремнии на величину от ~3×1016 до ~1×1017 см-3.


ЛИТЕРАТУРА

  1. Haller E. E. Isotopically controlled semiconductors / Haller E. E. – USA : Lawrence Berkeley National Laboratory, 2001. – v.133, p.693-707.

  2. Becker P. The silicon path to the kilogram / Becker P., Bettin H., Kolnders L., Martin J., Nicolaus A. – v.106 – PTB-Mitteilungen., 1996. – P. 321.

  3. Определение примесей кислорода и углерода в поликристаллическом кремнии методом ИК- спектроскопии / [И. Д. Ковалев, Т. В. Котерева, А. В. Гусев та ін.] – Т.63, №3 – М. : Журнал аналитической химии, 2008. – Бібліогр.: с. 274-278.

  4. Hwang L. L. Measurement of Carbon Concentration in Polysilicon Using FTIR / Hwang L. L., Bucci J., McCormick J. R. – v.138 – J. Electrochem. Soc., 1991. – p.576-581.

Схожі:

Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconПерелік публікацій кафедри «Промислового та художнього литва» за 2007 рік
Влияние содержания углерода и хрома на износостойкость сплавов системы Fe – Cr – c в гидроабразивной среде
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconГосударственный стандарт союза сср двуокись углерода газообразная и жидкая технические условия гост 8050-85 издательство стандартов москва государственный стандарт союза сср
Двуокись углерода выпускается жидкая низкотемпературная, жидкая высокого давления и газообразная
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconФормирование низкоразмерных систем металлов, кремния и углерода в условиях квазиравновесной стационарной конденсации

Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconКравченко Віра Миколаївна д
...
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconПермская государственная медицинская академия ю. Р. Вагин Авитальная активность
Л. Я. Дорфман, д-р психол наук, проф., зав каф психологии Перм ин-та искусств и культуры
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconАнализ содержания и методического обеспечения социально-педагогического процесса в учреждениях образования в 2011 2012 учебном год
Влияние социальных факторов на воспитание и образование. Проводятся многочисленные исследования, имеющие целью определить экономический...
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconУдк. 621. 315. 592 Влияние оксидного покрытия на фотопроводимость структур макропористого кремния
Для повышения стабильности применяется пассивация поверхности структур пористого кремния путем термического окисления. В данной работе...
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconПовідомлення удк 502. 131. 1: 502. 15: 504. 12 Д. В. Горобченко 1 Влияние экологической эффективности и основных факторов производства на экологический ущерб
Определяется влияние основных факторов производства и экологической эффективности производства на экологический ущерб от негативного...
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconМежгосударственный стандарт огнеупоры и огнеупорное сырье метод определения общего углерода гост 2642. 15-97 межгосударственный совет по стандартизации, метрологии и сертификации минск
Разработан межгосударственным Техническим комитетом по стандартизации мтк 9; Украинским Государственным научно-исследовательским...
Влияние изотермических отжигов на оптическую активность углерода в поликристаллическом кремнии iconПути и средства повышения работоспособности и выносливости
Это было в конце 20-х годов ранним зимним утром. Голос диктора Всесоюзного радио Владимира Набокова возвестил о начале наступления...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи