Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей icon

Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей




Скачати 16.69 Kb.
НазваПостроение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей
Дата30.06.2013
Розмір16.69 Kb.
ТипДокументи

УДК 621.382/620.9.91



Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей


А. С. Мазинов1,2, А. И. Шевченко1 , В. А. Бахов1

1 Таврический национальный университет им. В. И. Вернадского, alsheva@i.ua

2 Крымский научный центр НАН и МОН, Симферополь 95007, Крым, Украина


Рассмотрены модельные подходы к расчёту потенциального барьера фронтального p-n перехода. Сравниваются основные теории аппроксимационного расчёта толщины области пространственного заряда (ОПЗ) – в виде ступенчатой и линейной функций. Предложена собственная модель.

Для выбранного опорного прибора на основании технологической карты был рассчитан профиль концентрации легирующих атомов с дальнейшим его пересчетом в некомпенсированный заряд. Последующий анализ построения потенциального барьера заключался в расчёте графиков напряжённости и потенциала [1]. Напряжённость электрического поля εст при этом нами рассчитана как сумма интегралов:

, (5)

Первая часть расчёта аналитическая и позволяет достаточно точно получить распределение стационарного заряда в p-n переходе (см. рисунок). Дальнейшее модельное представление ведётся посредством разбиения ОПЗ, которое идёт по отдельным p- и n-областям с последующим сравнением суммарного заряда исходя из закона его сохранения. Точность предложенного

подхода ограничивается лишь Рис. 1 – Распределение стационарного заряда

технологическими ошибками в p-n переходе

температурных процессов диффузии и заданием диффузионных констант [2], влияние девиации которых на глубину залегания барьера экспоненциально.

Выводы

1. Наиболее простая и наименее точная аппроксимация – ступенчатая.

2. Предлагаемая нами модель более точна с точки зрения толщины фронтальной области фотоприёмника, так как учитывает равенство зарядов в n- и p-областях.

ЛИТЕРАТУРА

  1. Гуртов В. Твердотельная электроника. Петрозаводск.: ПетрГУ, 2004 – 312 с.

  2. Мазинов А., Писаренко Л., Шевченко А. Девиация диффузионных констант и её влияние на профиль мелко залегающего p-n перехода. Технічна електродинаміка: тем. вип. «Силова електроніка та енергоефективність». – 2012. – Ч. 1. – С. 204 – 208.

Схожі:

Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconПрактическая работа № Тема: Интервальная переменная. Табулирование функции и построение её графика в системе
Тема: Интервальная переменная. Табулирование функции и построение её графика в системе MathCad. Форматирование графиков
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconСписок используемых источников т. Кормен, Ч. Лейзерсон, Р. Риверст, К. Штайн Алгоритмы: построение и анализ. М.: Вильямс, 2005. 1296
Т. Кормен, Ч. Лейзерсон, Р. Риверст, К. Штайн Алгоритмы: построение и анализ. М.: Вильямс, 2005. 1296 с
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconКрок стоматология 0 Нормальная физиология
У женщины имеет место гиперемия яичника, повышение проницаемости гемато фолликулярного барьера с последовательным развитием отека,...
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconКрок стоматология 0 Нормальная физиология
У женщины имеет место гиперемия яичника, повышение проницаемости гемато фолликулярного барьера с последовательным развитием отека,...
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconСтатьи Компьютерное проектирование калибров и построение чертежей наклонных, нажимных и главных валков колесопрокатных станов / А. В. Яковченко, С. А. Снитко, Собхи Хасан, Н. И. Ивлева
Компьютерное проектирование калибров и построение чертежей наклонных, нажимных и главных валков колесопрокатных станов / А. В. Яковченко,...
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconСтатті компьютерное проектирование калибров и построение чертежей наклонных, нажимных и главных валков колесопрокатных станов / А. В. Яковченко, С. А. Снитко, Собхи Хасан, Н. И. Ивлева
Компьютерное проектирование калибров и построение чертежей наклонных, нажимных и главных валков колесопрокатных станов / А. В. Яковченко,...
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconСписок используемых источников т. Кормен, Ч. Лейзерсон, Р. Риверст, К. Штайн Алгоритмы: построение и анализ. М.: Вильямс, 2005. 1296
move to 0-19157572
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconОсновы надежности ла построение характеристик надежности изделий непараметрическим методом

Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconФ. И. О.(полностью) Должность Рабочий телефон
...
Построение потенциального барьера кристаллических фотопреобразователей iconЛітература за курсом «Теорія алгоритмів та математична логіка»
Т. Кормен, Ч. Лейзерсон, Р. Риверст, К. Штайн Алгоритмы: построение и анализ. М. Издат дом «Вильямс», 2005. 1296 с
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи