Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 icon

Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92




НазваНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92
Сторінка1/12
Дата15.05.2013
Розмір1.96 Mb.
ТипНавчальний посібник
  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12


Мiнiстерство освiти i науки України

Сумський державний унiверситет


Пчелiнцев В.О.


КРИСТАЛОГРАФIЯ, КРИСТАЛОХIМIЯ ТА МIНЕРАЛОГIЯ


Рекомендовано Міністерством освіти і науки України

як навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів


Суми

Вид-во СумДУ

2008

УДК 548/549(075.8)

П 92


Рекомендовано Міністерством освіти і науки України

(лист № від )


Рецензенти:

д-р фіз.-мат.наук, професор О.Д.Погребняк

(Інститут модифікації поверхні)

д-р техн. наук, проф. В.Б. Тарельник

(Сумський національний аграрний університет);

д-р техн. наук В.М. Радзієвський

( Концерн «Укрросметал», м. Суми)


Пчелiнцев В.О.

П 92 Кристалографія, кристалохімія та мінералогія:

Навчальний посiбник. – Суми: Вид-во СумДУ,

2007. – 232 с.


Посібник містить основні закони кристалографії та дані про особливості будови кристалічних ґраток різноманітних елементів та сполук. Відображено взаємозв’язок кристалічної будови з фізико-хімічними властивостями; наведені приклади практичного застосування кристалографічних методів для вирішення просторових задач, пов’язаних з особливостями будови кристалічних ґраток матеріалів. У посібнику наведені відомості про мінералогію, властивості мінералів та методи отримання штучних кристалів. Кожен з основних розділів посібника містить тести для контролю знань. У додатку наведені завдання і розрахункові формули, необхідні при самостійному вирішенні питань з кристалографічних проекцій.

Для студентів – матеріалознавців ІІІ-ІV рівнів акредитації, що вивчають дисципліну „Кристалографія, кристалохімія та мінералогія”. Може бути корисним для аспірантів.

ББК 34.53.4я73

© В.О.Пчелiнцев, 2008

© Вид-во СумДУ, 2008

Зміст

С.

Передмова……………………………………………………6

Основні визначення кристалографічних термінів……..8

Частина І Кристалографія……………………………….25

Розділ 1 Кристалографія і її зв'язок з іншими

науками………..………………………………..25

1.1 Етапи розвитку…………………………………………26

1.2 Кристали………………………………………………..28

1.3 Елементи внутрішньої будови кристалічних

мінералів………………………………………………..29

1.4 Елементи структури кристалів та їх взаємозв'язок

з елементами просторових ґраток……………………33

1.5 Властивості кристалічних речовин…………………..34

1.6 Аморфні тіла…………………………………………...36

1.7 Закон сталості кутів кристалів………………………..37

1.8 Гоніометри……………………………………………..38

1.9 Формула Вульфа-Брегга………………………………40

Розділ 2 Метод кристалографічного індицирування.

Закон цілих чисел………………………………42

2.1Символи вузлів…………………………………………42

2.2 Символи рядів (ребер)…………………………………43

2.3 Символи площин (граней)…………………………….44

2.4 Параметри Вейса й індекси Міллера…………………45

2.5 Закон цілих чисел……………………………………...47

2.6 Визначення ретикулярних щільностей атомних площин кристалу……………………………………………………..50

Розділ 3 Кристалографічні проекції…………………...59

3.1 Сферична проекція………............................................59

3.2 Стереографічна проекція..............................................61

3.3 Гномостереографічна проекція....................................63

3.4 Гномонічна проекція.....................................................65

3.5 Сітка Вульфа..................................................................66

Розділ 4 Симетрія кристалів...........................................67

4.1 Загальні поняття про симетрію кристалів...................67

4.2 Центр інверсії (C)..........................................................67

4.3 Площина симетрії (L)...................................................70

4.4 Поворотні осі симетрії (L)............................................71

4.5 Інверсійні осі симетрії (Li)...........................................73

4.6 Принцип Кюрі...............................................................75

4.7 Одиничні напрямки (ВІН)............................................77

4.8 Сингонії кристалів........................................................78

4.9 Решітки Браве................................................................83

4.10 Зворотні ґратки...............................................................86

4.11 Антисиметрія..................................................................92

Частина ІІ Кристалохімія...................................................96

Розділ 1 Кристалохімія. Типи зв'язків у кристалах......96

1.1 Іонні (атомні) радіуси..................................................98

1.2 Межі стійкості структури...............................................99

1.3 Щільні упакування частинок у структурах.................102

1.4 Координаційні числа й координаційні

багатогранники..........................................................113

1.5 Визначення стехіометричної формули речовини....115

1.6 Поляризація................................................................116

Частина ІІІ Мінералогія...................................................118

Розділ 1 Основні поняття та історія мінералогії..........118

1.1 Фізичні властивості мінералів. Форма мінералів.......119

1.2 Механічні властивості мінералів..................................124

1.3 Теплові властивості мінералів......................................125

1.4 Електричні властивості мінералів................................127

1.5 Магнітні властивості мінералів....................................131

Розділ 2 Генезис мінералів...............................................133

Розділ 3 Хімічний склад і розрахунок формул

мінералів...............................................................138

Розділ 4 Класифікація мінералів....................................141

4.1 Хімічний склад мінералів..............................................142

4.2 Класифікація кристалів.................................................145

4.3 Самородні елементи......................................................147

4.4 Штучні мінерали............................................................151

Розділ 5 Основи петрографії............................................153

Розділ 6 Магматичні гірські породи...............................155

6.1 Походження, класифікація, форма залягання.............155

6.2 Хімічний і мінеральний склад......................................157

^ Розділ 7 Методи діагностики й дослідження

мінеральних тіл...................................................157

Частина IV Дефекти кристлічних структур.................163

Розділ 1 Реальна будова кристалічних структур.........163

    1. Фізичні передумови утворення дефектів.....................163

    2. Визначення крапкових дефектів...................................164

    3. Визначення одномірних дефектів................................170

    4. Енергія дислокацій........................................................175

Додаток А Розрахункові формули геометричної

кристалографії..................................................180

Додаток Б Розрахункові формули структурної

кристалографії..................................................185

Додаток В Тести контролю знань......................................188

Додаток Г Методика вирішення типових кристало-

графічних задач з допомогою стереографічної

сітки Г.В. Вульфа..............................................213

Список літератури………………………………………....225

Передмова

Зростання темпів розвитку народного господарства, а також інтенсифікація виробничих процесів обумовлюють необхідність безперервного нарощування виробництва інструментальних та конструкційних матеріалів, які мають підвищені механіко – фізичні властивості та забезпечують надійність роботи деталей машин та механізмів при жорстких умовах їх експлуатації. У зв’язку з цим поширюється необхідність у спеціалістах, які вміли б цілеспрямовано виробляти та застосовувати матеріали з необхідним комплексом властивостей.

Успішне вирішення цієї задачі не можливе без знання основних закономірностей будови матеріалів, вивченням яких займається наука – кристалографія. Можна стверджувати, що саме застосування специфічних методів кристалографії дозволило за останні десятиліття добитися значних досягнень у сфері технології для розроблення нових матеріалів, які мають незвичайні фізико – механічні властивості: від надпластичності та надпровідності до напівпровідникових та антикорозійних властивостей.

Згідно із затвердженим навчальним планом зі спеціальності «Прикладне матеріалознавство» передбачено вивчення студентами дисципліни «Кристалографія, кристалохімія, мінералогія». В курс входять вивчення на лекціях теоретичного матеріалу, проведення лабораторно – практичних занять та самостійна робота студентів. На сьогоднішній день в навчальній літературі практично відсутні підручники, в яких названі питання розглядалися б у комплексі. У зв’язку з цим було розроблено навчальний посібник, в якому подається короткий виклад необхідних теоретичних положень, практичного застосування кристалографічних методів вирішення просторових задач, який супроводжується необхідними кристалографічними ілюстраціями.

Навчальний посібник має посилання на спеціальну та довідкову літературу, а також зведення розрахункових формул для розв’язання розглядуваних задач. Кожна з основних частин має тести у вигляді запитань та варіантів відповідей для контролю та самостійного засвоєння матеріалу.

Даний навчальний посібник повинен допомогти студентам матеріалознавчих спеціальностей в більш глибокому розумінні змісту лекцій з таких дисциплін: «Фізичні властивості та методи дослідження матеріалів», «Методи структурного аналізу», «Механічні властивості та конструкційна міцність», «Фізика конденсованого стану матеріалів».

Автор вдячний рецензентам рукопису за корисні зауваження.

^ Основні визначення кристалографічних

термінів

АДИТИВНІСТЬ- визначення міжатомних відстаней в іонних і ковалентних кристалах за рахунок додавання відповідних геометричних радіусів сусідніх елементарних частинок.

АТОМИ:

- біля вершини – атоми, розміщені біля вершин елементарної комірки;

- гранні – атоми, розміщені на гранях елементарної комірки;

- об’ємні – атоми, розміщені всередині елементарної комірки;

- реберні - атоми, розміщені на ребрах елементарної комірки.

^ БАГАТОГРАННИК КРИСТАЛІЧНИЙ – результат мимовільної, природної огранки кристала у вигляді замкнутої геометричної фігури з плоскими гранями, прямими ребрами, двогранними кутами і багатогранними вершинами.

^ БАГАТОГРАННИКИ СТРУКТУРНІ – фрагменти кристалічної структури, які утворені групою атомів і мають форму кристалічних багатогранників: наприклад, тетраедр – з чотирьох каркасних атомів; октаедр – з шести каркасних атомів

^ БАЗИС КРИСТАЛІЧНОЇ СТРУКТУРИ – перелік координат всіх атомів, які належать одній елементарній комірці кристалічної структури.

ВЕКТОР БЮРГЕРСА – характеристика величини пружного перекручення досконалої кристалічної структури, зумовленої наявністю дислокацій:

- контур – замкнений контур, побудований в реальному кристалі при послідовному обході від атома до атома навколо лінії (чи ядра) дислокації.

ВЕКТОР-НОРМАЛЬ – радіус-вектор, який паралельний нормалі конкретної атомної площини:

- зворотної просторової решітки – радіус-вектор, який з’єднує початок координат зворотної просторової решітки з конкретною вузловою точкою.

ВІСЬ ЗОНИ – лінія перетину граней кристала, які входять в дану зону, по паралельним ребрам.

^ ГНОМОСТЕРЕОГРАФІЧНА ПРОЕКЦІЯ – стереогра-

фічна проекція нормалі грані кристала.

ГРАНЬ:

- одинична – похила грань кристала, яка відсікає на осях координат відрізки, довжина яких вимірюється рівним числом відповідних осьових (масштабних) одиниць;

- кристала:

- можлива – грань кристалічного багатогранника, яка або наявна в його огранці, або може в ній з’явитися(при зміні умов процесу утворення кристала);

- дійсна - грань кристала, яка реально наявна в його огранці;

^ ГЦК – умовне скорочене позначення гранецентрованої кубічної кристалічної структури (або її елементарної комірки).

ГЩУ – умовне скорочене позначення гексагональної щільно упакованої кристалічної структури (або її елементарної комірки).

^ ДЕКАРТОВІ СИСТЕМИ – тривимірні координатні системи (прямокутні і косокутні) для опису різноманітних кристалічних структур:

- - для гексагональних α=β=90°; γ=120°; а0=b0≠c0

- - для кубічних α=β=γ=90°; а0=b0=c0;

- - для моноклинних α=γ=90°≠ β; а0≠b0≠c0;

- - для ромбічних α=β=γ=90°; а0≠b0≠c0;

- - для тетрагональних α=β=γ=90°; а0=b0≠c0;

- - для тригональних α=β=γ≠90°; а0=b0=c0;

- - для триклинних α≠β≠γ≠90°; а0≠b0≠c0.

^ ДЕФЕКТИ КРИСТАЛІЧНОЇ СТРУКТУРИ – викривлення періодичної атомної будови кристала:

- - - лінійні (або одновимірні) - один із вимірів дефекту співрозмірний з розмірами кристала, а два інші – порядком міжатомних відстаней;

- - - об'ємні (або тривимірні) – всі три виміри співрозмірні з величиною кристала;

- - - поверхневі (або двовимірні) – два виміри співрозмірні з розмірами кристала, а третій – порядком міжатомних відстаней;

- - - точкові (або нульвимірні) – всі три виміри співрозмірні з порядком міжатомних відстаней;

- - - - атом міжвузловий – атом, який залишив своє постійне місце в кристалічній структурі і зайняв положення між іншими атомами у «вузлах» кристалічної структури;

- - - - вакансії – вузли кристалічної структури, які звільнилися від атомів;

- - - - - диск – результат об'єднання вакансій у вигляді плоского гіпотетичного диска;

- - - - - надлишкові – вакансії, об'ємна концентрація яких перевищує їх рівноважну концентрацію;

- - - - - щільність – кількість вакансій на 1см3 об'єму кристала;

- - - - - рівноважні – вакансії, об'ємна концентрація яких відповідає їх рівноважній (термодинамічній) концентрації;

- - - - за Френкелем – парні дефекти атомної будови кристала типу: міжвузловий атом + вакансія;

- - - - за Шотткі – парні дефекти атомної будови кристала типу: аніонна вакансія + катіонна вакансія;

- упаковки – ділянки вихідного довершеного атомного кристалічного шару з порушеним розміщенням атомів, обмежені двома неповними (частковими) дислокаціями;

- - - - домішкові – дефекти атомної будови кристалів, викликані наявністю атомів домішок, які заміщають атоми основної речовини.

^ ДІАГРАМА ФАЗОВА – графічне зображення областей існування різноманітних фаз (різних кристалічних структур) при різноманітних зовнішніх чи інших умовах.

ДИСЛОКАЦІЇ – лінійні дефекти кристалічної структури, які виражаються в порушенні її періодичної будови під дією зовнішнього впливу або внутрішніх напружень:

- гвинтові – вектор Бюргерса гвинтової дислокації паралельний лінії дислокації;

- крайові – вектор Бюргерса перпендикулярний до лінії дислокації;

- лінія (або ядро) – край екстраплощини або вісь гвинтової дислокації в області максимального викривлення довершеної кристалічної структури;

- неповні (або часткові) – вектор Бюргерса за модулем складає частку трансляції; при проходженні такої дислокації через кристал порушується початкове положення атомів;

- повні – вектор Бюргерса повної дислокації кратний цілому числу трансляції кристалічної структури;

- змішаного типу – вектор Бюргерса змішаної дислокації займає похиле положення відносно лінії дислокації і характеризується як крайовою, так і гвинтовою компонентою.

ЕЛЕМЕНТИ:

- огранки – плоскі грані, прямі ребра, двогранні кути, багатогранні вершини кристалічного багатогранника;

- симетрії – геометричні образи відповідних симетричних перетворень (відображень в площинах симетрії або в центрах симетрії чи поворотів навколо простих чи інверсійних осей симетрії), за допомогою яких відбувається поєднання аналогічних елементів природної огранки кристалічних багатогранників.

ЕПІТАКСІЯ – процес утворення орієнтованого кристалічного шару однієї фази на поверхні іншої кристалічної фази:

- газофазна – утворення епітаксійного шару на кристалічній підкладці під час контакту з парогазовою фазою;

- рідкофазна – утворення епітаксійного шару на кристалічній підкладці під час контакту з рідкою фазою.

ЗАКОН:

- анізотропії – кристалічні тіла мають однакові властивості за паралельними напрямками і різні властивості за іншими напрямками;

- зон – грані кристала, які перетинаються по паралельних ребрах, побудовані із ідентичних паралельних атомних рядів;

- ізоморфізму – аналогічному хімічному складу кристалічних речовин відповідають однакові форми природної огранки і аналогічні кристалічні будови;

- максимальної ретикулярної щільності (закон Браве) – природним граням кристала відповідає максимальне значення ретикулярних щільностей (кількість атомів, які припадають на одиницю площі) або порівняно щільні атомні сітки;

- поліморфізму – одна й та сама речовина може мати декілька різних кристалічних форм залежно від зовнішніх умов (температура, тиск) і умов кристалізації;

- постійності двогранних кутів кристалічного багатогранника (закон Стенона) – кути між відповідними природними гранями кристалів одного складу (і однакової модифікації) – величини постійні;

- симетрії внутрішньої будови кристалічної речовини – однакове періодичне розміщення атомів і однакові фізичні властивості за деякими непаралельними напрямками;

- симетрії природної зовнішньої огранки кристалічних багатогранників (закони Гадоліна) – грані кристала, які мають однакову геометричну форму і ідентичні розміри, регулюються віповідними сукупностями елементів симетрії (32 точкові групи симетрії);

- цілих чисел (закон Гаюї) – відношення довжин відрізків, які відтинають будь-які дві грані кристала на кожному із трьох ребер кристала, що перетинаються, виражається відношенням невеликих цілих чисел.

ІЗОМОРФІЗМ – здатність кристалічних речовин різного хімічного складу утворювати геометрично подібні кристалічні структури.

^ КАРКАСНІ АТОМИ – порівняно великі атоми, які торкаються один одного і утворюють каркас кристалічної структури.

КАТЕГОРІЇ – об'єднання кристалів декількох сингоній за симетричною ознакою (за наявністю чи відсутністю осей симетрії за порядком вище другого) в три групи:

нижчу, середню і вищу:

- вища – сингонії з кількома осями симетрії вищого порядку;

- нижча – об'єднує сингонії, де немає осей симетрії вищого порядку;

- середня – сингонії з одніє віссю симетрії вищого порядку.

^ КОМІРКА ЕЛЕМЕНТАРНА – мінімальний об’єм кристалічної структури у вигляді паралелепіпеда, повторенням якого за всіма напрямками можна відтворити всю кристалічну структуру.

КОМПЛЕКС:

- планарний – сукупність всіх граней кристалічного багатогранника, які в результаті паралельного перенесення отримали загальну точку перетину;

- полярний – сукупність нормалей всіх граней кристалічного багатогранника, які виходять з однієї точки.

^ КОМПОНЕНТИ КОВЗАННЯ – складові складних елементів симетрії кристалічних структур (площин ковзного відображення і гвинтових осей симетрії), які описують поступове переміщення атомів вздовж цих осей і площин симетрії на відповідні частки трансляції

КРИСТАЛ – тверде тіло, яке має властивість при своєму розвитку з розчину або з розплаву, або з парогазової фази утворюватися у вигляді багатогранників з плоскими гранями і прямими ребрами.

^ КРИСТАЛОХІМІЧНИЙ МЕТОД Є.С. ФЕДОРОВА – метод визначення хімічного складу кристала за характерними величинами його двогранних кутів.

КУТ ЕЛЕМЕНТАРНИЙ – мінімальний кут повороту навколо осі симетрії, який забезпечує поєднання однакових (і рівних) елементів природної огранки кристалічного багатогранника.

МЕТОД:

- індексів – визначення просторового положення грані кристала за допомогою трьох чисел – індексів, які обернено пропорційні параметрам грані;

- косинусів – визначення положення грані відношенням трьох напраямних косинусів її нормалі, помножених на відповідні осьові одиниці;

- параметрів – визначення просторового положення грані безпосередньо за трьома відрізками (параметрами), що відтинаються на осях координат і виражені в осьових одиницях;

- трьох точок – визначення атомної площини (грані) за координатами трьох її атомів.

МІНЕРАЛИ – природні тіда, які мають певний хімічний склад і фізичні властивості, а також утворюються у результаті геохімічних процесів, які відбуваються в земній корі.

НАПРЯМОК:

- одиничний – особливий, який не повторюється в кристалі;

- максимальної міцності – максимальне значення вектора межі міцності кристала;

- мінімальної міцності – мінімальне значення вектора межі міцності кристала.

^ ОСІ СИМЕТРІЇ:

- - гвинтові – особливі елементи симетрії кристалічної структури, які описують поворот цієї структури навколо прямої на елементарний кут (чи кут, кратний елементарному) і ковзання вздовж цієї прямої (осі симетрії) на визначену частку трансляції;

- - інверсійні – елементи симетрії кристалічних багатогранників або кристалічних структур, які описують їх поворот навколо прямої на елементарний кут (або кут, кратний елементарному) і відображення в центрі інверсії, як і в центрі симетрії;

- - прості – елементи симетрії кристалічних багатогранників або кристалічних структур, які описують їх поворот навколо прямої на елементарний кут (чи кут, кратний елементарному).

ОЦК – умовне скорочене позначення об'ємноцентрованої кубічної кристалічної структури.

^ ПЕРЕОХОЛОДЖЕННЯ (АБО ПЕРЕНАСИЧЕННЯ) - переохолодження материнської фази (розплаву, розчину чи парогазової фази) як стимул для зародження епітаксійного шару.

^ ПЕРЕТВОРЕННЯ ПОЛІМОРФНЕ – твердофазний фазовий перехід, який супроводжується зміною кристалічної структури.

ПЕРЕХІД ФАЗОВИЙ ПЕРШОГО РОДУ – фазовий перехід, який супроводжується зміною кристалічної структури речовини (або його агрегатного стану).

ПІДКЛАДКА – багатокристалічна поверхня однієї кристалічної фази, на якій відбувається орієнтована кристалізація іншої кристалічної фази у вигляді епітаксійного шару.

^ ПЛОЩИНА КОВЗАННЯ – ділить кристал на дві частини, зсунуті відносно одна одної.

ПЛОЩИНА СИМЕТРІЇ – уявна площина, яка ділить кристалічний багатогранник на дві дзеркально рівні частини.

^ ПОВОРОТ ПРОЕКЦІЇ – спеціальна операція, мета якої – заміна одного полюса проекції на інший.

ПОЛІМОРФІЗМ – здатність речовини мати декілька кристалічних модифікацій.

ПОРОЖНЕЧІ – проміжки між шарами рівновеликих сфер каркасних атомів:

- тетраедричні – проміжки між четвірками каркасних атомів, що прилягають,центри яких утворюють структурний тетраедр;

- октаедричні – проміжки між шістками прилеглих каркасних атомів, центри яких утворюють структурний октаедр;

- ступінь заповнення – частки заповнення тетраедричних та октаедричних порожнеч, кожна з яких може становити від нуля до одиниці.

^ ПОРЯДОК ОСІ СИМЕТРІЇ – кількість суміщень однакових елементів огранки кристалічного багатогранника за один його повний поворот навколо осі симетрії.

ПРАВИЛЬНА СИСТЕМА ТОЧОК – сукупність атомів, які зв’язані елементами симетрії:

- - - кратність – кількість атомів даної правильної системи точок, які припадають на одну елементарну комірку;

- - - приватна – атоми розміщуються безпосередньо на елементах симетрії (окрім площин ковзного відображення і гвинтових осей симетрії) або на границях елементарної комірки, включаючи осі координат, або займають симетричне положення відносно перелічених орієнтирів.

^ ПРИНЦИП СТРУКТУРНОЇ Й РОЗМІРНОЇ ВІДПО-ВІДНОСТІ – одна з перших моделей епітаксійної кристалізації (Данков, Конобеєвський), де необхідними і достатніми умовами цього процесу вважаються геометрична й розмірна відповідність між спряженими атомними шарами підкладки та епітаксійного шару.

ПРОЕКЦІЇ:

- стереографічні - точка перетину прямої, яка з’єднує точку сферичної проекції конкретного напрямку в кристалі (або нормалі грані ) з протилежним полюсом сферичної проекції , з плоским екваторіальним перерізом сфери проекції – площиною стереографічної проекції;

- - полюс (або вісь) – центр кола стереографічної проекції, який збігається, як правило, з проекцією одного з характерних кристалографічних напрямків ( найчастіше – з проекцією вертикального напрямку [001] або [0001]);

- сферичні – точка перетину напрямку, який виходить з центра сфери, з її поверхнею.

РАДІУС :

- атомний – величина радіуса атома в простих речовинах в наближенні жорсткої сферичної моделі ( в таблицях – частіше для координаційного числа 12);

- додекаедричний – розмір радіуса атома (або іона) для координаційного числа 12 (синонім: кубоктаедричний радіус – за найменуванням відповідного кристалічного багатогранника);

- іонний – розмір радіуса іона в кристалах з переважною часткою іонного хімічного зв’язку (в таблицях, як правило, зазначається для координаційного числа 6 );

- ковалентний- розмір радіуса атома в кристалах з переважаною часткою ковалентного хімічного зв’язку (в таблицях, як правило, зазначається для координаційного числа 4);

- металевий – атомний радіус для кристалів з переважною часткою металевого зв’язку (в таблицях, як правило, зазначається для координаційного числа 12 );

- октаедричний – розмір радіуса іона (або атома) для координаційного числа 6;

- тетраедричний – розмір радіуса атома(або іона) для координаційного числа 4.

^ РЕАКЦІЇ ДИСЛОКАЦІЙНІ – відношення між векторами Бюргера вихідних дислокацій, що вступають у взаємодію між собою, і векторами Бюргера дислокації, що виникають у результаті цієї взаємодії.

^ РЕШІТКА ПРОСТОРОВА – тривимірна математична модель знаковимірного, періодичного просторового положення атомів в кристалічній структурі, яка подібна за своєю геометрією та розмірами до конкретної кристалічної структури;

- - паралелепіпед повторюваності – елементарний об’єм просторової решітки, який за своєю геометрією та розмірами відповідає елементарній комірці кристалічної структури;

- - площина вузлова – сукупність паралельних компланарних вузлових рядів просторової решітки, яка відображає періодичну атомну будову кристалічної структури;

- - ряд вузловий – прямолінійний ряд вузлових точок просторової решітки, який характеризує періодичну атомну будову кристала;

- - типи – різновиди просторових решіток Браве, які відрізняються за складом, симетрією та взаємним положенням вузлових точок.

^ РЕШІТКИ БРАВЕ ПРОСТОРОВІ:

- - - базоцентровані – з кутами біля вершин елементарного паралелепіпеда, який побудований на трьох базових трансляціях a,b,і с, а також з вузлами в центрах верхньої та нижньої основ паралелепіпеда;

- - - гранецентровані - – з кутами біля вершин елементарного паралелепіпеда, який побудований на трьох базових трансляціях a,b і с, а також з вузлами в центрах всіх граней паралелепіпеда;

- - - об’ємноцентровані - – з кутами біля вершин елементарного паралелепіпеда, який побудований на трьох базових трансляціях a,b і с, а також з вузлом в центрі паралелепіпеда;

- - - примітивні - з вузлами лише біля вершин елементарного паралелепіпеда, який побудований на трьох базових трансляціях a,b і с

^ РІВНОВАГА ФАЗОВА – термодинамічний стан, при якому одночасно співіснують хоча б дві фази.

РІВНЯННЯ ВУЛЬФА-БРЕГГА – поєднує величини: довжини хвилі монохроматичного рентгенівського випромінювання і конкретної міжплощинної відстані з кутом відбиття дифрагованого променя і порядком дифракції.

РУДА – природне мінеральне утворення, яке містить будь-який метал, декілька металів або неметалеві корисні копалини в концентраціях, при яких економічно цілеспрямовано їх виявлення.

^ РЯД ІЗОМОРФНИЙ - сукупність геометрично подібних кристалічних структур.

САМОСПОЛУЧЕННЯ ФІГУРИ – сполучення однакових елементів природної огранки кристалічного багатогранника у результаті того чи іншого симетричного перетворення (відображення в площині симетрії чи відображення в центрі симетрії чи повороту навколо простої чи інверсійної осі симетрії); у результаті цього сполучення кінцеве положення кристалічного багатогранника практично не відрізняється від його початкового просторового положення.

^ СІТКА ГРАДУСНА Г.В. ВУЛЬФА – кристалографічна градусна сітка, яка названа на честь її автора.

СІТКИ АТОМНІ ПЛОСКІ – ідентичні елементи кристалічних структур, які орієнтовані паралельно один одному, мають однаковий атомний рисунок і повторюються через рівні проміжки, які дозволяють уявити кристалічну будову як пакет відповідних однакових паралельних атомних сіток.

^ СИМВОЛ КРИСТАЛОГРАФІЧНИЙ:

- напрямки - трійка індексів напрямку в кристалі, які пропорційні координатам коаксіального вектора, записаним в квадратні дужки;

- - атомного рядка – символ прямої лінії, який проходить через початок координат;

- - атомної площини – трійка індексів – невеликих цілих, взаємно простих чисел, обернено пропорційних відрізкам, які відтинаються площиною на осях координат.

СИНГОНІЯ – сукупність точкових груп (класів) симетрії, які об’єднані за загальним елементом симетрії:

- гексагональна – об’єднує класи симетрії з єдиними осями симетрії шостого порядку (простими або інверсійними);

- кубічна – класи симетрії, кожний з яких має по чотири осі симетрії третього порядку;

- моноклинна – класи симетрії з єдиною віссю симетрії другого порядку або з єдиною площиною симетрії, або з віссю симетрії другого порядку і однією площиною симетрії;

- ромбічна – класи симетрії з трьома осями симетрії другого порядку або з трьома площинами симетрії, або з віссю симетрії другого порядку та двома площинами симетрії;

- тетрагональна - класи симетрії з єдиними осями симетрії четвертого порядку ( простими чи інверсійними);

- тригональна - класи симетрії з єдиними осями симетрії третього порядку ( простими чи інверсійними);

- триклинна - класи симетрії з єдиним елементом симетрії – центром симетрії і навіть без всіляких елементів симетрії.

^ СТІЙКІСТЬ СТРУКТУР – здатність кристала зберігати свою атомну будову при зміні зовнішніх умов і складу кристала:

- - інтервал – область допустимих значень зовнішніх чи кристалохімічних параметрів, в якій не відбувається змін атомної структури кристала;

- - межа – границя інтервалу стійкості кристалічної структури.

^ СТРУКТУРА КРИСТАЛІЧНА – пакет паралельних ідентичних атомних площин, які слідують один за одним через рівні проміжки:

- - ряд атомний – розміщення ідентичних атомів по прямій лінії через рівні проміжки ( наприклад, ребро кристалічного багатогранника);

- - площина атомна – заповнення площини паралельними ідентичними атомними рядами, які слідують один за одним через рівні проміжки.

^ СФЕРА ПРОЕКЦІЙ – графічний метод фіксації просторового положення напрямків у кристалі:

- - великі кола – сліди перетину плоских центральних перерізів зі сферою проекцій;

- - довгота (φ) – центральний кут (в екваторіальному перерізі сфери проекції) між нульовим і конкретним меридіальним перерізом сфери проекцій;

- - координати (поляні або сферичні) – довгота (φ) та полярна відстань (ρ);

- - малі кола – сліди перетину плоских нецентральних перерізів зі сферою проекцій;

- - меридіани – лінії (дуги) перетину сфери проекцій з плоскими полярними перерізами;

- - полюси (північний, південний) – в точках перетину полярної осі зі сферою проекцій;

- - полярна відстань (ρ) – центральний кут між конкретним напрямком у кристалі та полярною віссю сфери проекцій;

- - екватор – лінія, яка ділить сферу проекцій на верхню (або північну) та нижню (або південну) півсфери.

^ ТИП СТРУКТУРНИЙ – поняття, яке характеризує певний просторовий рисунок кристалічної структури з точністю до подібності розмірних параметрів.

ТОЧКА ФАЗОВОГО ПЕРЕХОДУ – значення температури (T0) чи іншого параметра стану, при якому відбувається поліморфне перетворення.

ТРАНСЛЯЦІЇ – особливі елементи симетрії кристалічних структур, які відрізняються від векторів своєю біполярністю – двонаправленістю і описують паралельне перенесення всієї структури в цілому і кожного її атома окремо; за допомогою трьох (некомпланарних) трансляцій можна на базі однієї елементарної комірки відтворити всю ( нескінченну) кристалічну структуру:

- основні - перенесення здійснюється вздовж відповідних ребер елементарної комірки на величину цих ребер; у результаті такого перенесення атоми біля вершини, наприклад займають положення ідентичних атомів біля вершини; такі трансляції характерні для будь-яких кристалічних структур: базоцентрованих, гранецентро-ваних, об’ємноцентрованих і примітивних.

^ ШАР ЕПІТАКСІЙНИЙ – шар другої фази, орієнтований під впливом кристалічного поля ізоморфної підкладки.

ФАЗА – однорідна частина системи, відокремлена від іншої частини системи поверхнею розподілу, при перетині якої властивості змінюються стрибкоподібно:

- високотемпературна – фаза, яка постійна в області температур вище Т0;

- низькотемпературна - фаза, яка постійна в області температур нижче Т0.

^ ФОРМИ ОГРАНКИ – сукупність всіх граней, які представлені в природній огранці кристала:

- - закриті – сукупність граней даної простої форми повністю обмежують об’єм кристала (закриває його з усіх боків);

- - відкриті - сукупність граней даної простої форми взагалі не може обмежувати об’єм кристала ( не може закрити його з усіх боків);

- - прості – сукупність природних граней кристала, цілком однакових за своєю геометрією і розмірами і поєднаних одина з одною елементами симетрії;

- - складні – комбінації декількох простих форм.

^ ФОРМУЛА СТЕХІОМЕТРИЧНА – формула, яка відображає хімічний склад кристала.

ЦЕНТР:

- дифракційний (або рентгенівський рефлекс) – результат дифракції пучка паралельних рентгенівських променів, які відображені сім’єю паралельних атомних площин кристалічної структури;

- інверсії – особлива точка всередині фігури, яка входить складовою часткою в кожну інверсійну вісь симетрії, але не є самостійним елементом симетрії, яка формально діє таким само, як центр симетрії (як «дзеркальна»точка );

- симетрії – особлива («дзеркальна») точка, яка ділить на дві рівні частини будь-яку пряму, яка знаходиться всередині кристалічного багатогранника.

ЧИСЛО:

- координаційне – кількість найближчих атомів (або іонів), які оточують даний атом (або іон), розміщених на однакових відстанях;

- формульних одиниць – кількість молекул хімічного зв’язку, необхідних і достатніх для побудови однієї елементарної комірки (з урахуванням місцезнаходження кожного з атомів елементарної комірки та його частинки, яка припадає на кожну елементарну комірку).

^ ЧОТИРИОСЬОВА СИСТЕМА КООРДИНАТ – особлива координатна система з допоміжною (третьою) горизонтальною віссю координат для гексагональних та тригональних кристалів.

  1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   12

Схожі:

Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 ббк 67. 9 (4 Укр) 304 о-60
Законодавство України про релігію і церкву: Навчально-методичний посібник. – Суми: Вид-во СумДУ, 2008. – 107 с
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 ббк 67. 9 (4 Укр) 304 о-60
Законодавство України про релігію і церкву: Навчально-методичний посібник. – Суми: Вид-во СумДУ, 2008. – 107 с
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Видавництво Сумду 2008 удк 004. 738. 5(075. 8)
Описаний комп'ютерний інструментарій, що рекомендується для розроблення математичних моделей. Викладення теоретичного матеріалу супроводжується...
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 621. 793+538. 975 П 84
У навчальному посібнику розглянуті технологічні основи одержання металевих, алмазоподібних і споріднених з ними плівок, їх особливості...
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 621. 78 (076) с 34
Текст кожної роботи містить короткий теоретичний вступ, опис апаратури І методики досліджень результатів експериментів. У кінці кожної...
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми двнз "уабс нбу" 2013 удк 658. 114. 45(075. 8)
Управління фінансами акціонерних товариств [Текст] : навчальний посібник / Державний вищий навчальний заклад «Українська академія...
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 б бк 34. 53. 4я73
Особливу увагу приділено питанням розроблення прогресивних технологій, економіки виробництва, оформлення текстової та графічної частин...
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Київ Видавництво "Істина" 2008 ббк 67. 7я7(4укр) Ю20
Ю20 Юзікова Н. С. Судові та правоохоронні органи України: Навчальний посібник. — Вид четверте, пєрероб. і допов. — К.: Істина, 2006....
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів медичних вищих навчальних закладів та лікарів-інтернів
Рекомендовано Центральним методичним кабінетом з вищої медичної освіти моз україни як навчальний посібник для студентів вищих медичних...
Навчальний посібник для студентів вищих навчальних закладів Суми Вид-во Сумду 2008 удк 548/549(075. 8) П 92 iconНавчальний посібник для студентів спеціальностей 090214, 090214 Харків 2009 удк 621. 873
...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи