Іi міжнародна науково–практична конференція icon

Іi міжнародна науково–практична конференція




Скачати 129.49 Kb.
НазваІi міжнародна науково–практична конференція
Дата19.11.2012
Розмір129.49 Kb.
ТипПовідомлення



ІI Міжнародна науково–практична конференція

“ НАПІВПРОВІДНИКОВІ МАТЕРІАЛИ, ІНФОРМАЦІЙНІ ТЕХНОЛОГІЇ ТА ФОТОВОЛЬТАЇКА ”,



НМІТФ-2013

Перше інформаційне повідомлення



Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України, Наукова рада з проблеми «Фізика напівпровідників та напівпровідникові пристрої» НАН України, Інститут фізики напівпровідників (ІФН) ім. В. Є. Лашкарьова НАН України, Інститут електрозварювання ім. Є. О. Патона НАН України, Науково-технологічний комплекс (НТК) “Інститут монокристалів” НАН України, Королівський інститут технологій (Швеція), Інститут нанотехнологій (Франція), Університет Пардубіце (Чехія), Інститут електронних технологій (Польща), Інститут високих технологій Київського національного університету ім. Т. Шевченка, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут», Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», Харківський національний університет радіоелектроніки, Класичний приватний університет (м. Запоріжжя), Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського

проводять


II Міжнародну науково-практичну конференцію “Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка” (НМІТФ-2013),

яка відбудеться 22 - 24 травня 2013 р., м. Кременчук, Україна

і пропонують


об’єднати зусилля вчених, дослідників, винахідників та бізнесменів для розвитку вітчизняної науки, напівпровідникової промисловості та сонячної енергетики.


^ Метою конференції, окрім ознайомлення з науковими доробками спеціалістів та обміну інформацією за тематикою конференції, є визначення Hi-Tech розробок, що мають велике практичне значення для розвитку виробництва матеріалів електронної техніки і фотовольтаїки, та рекомендація їх до впровадження на підприємствах України, що займаються виробництвом матеріалів електронної техніки і засобів перетворення сонячної енергії в електричну.


^ Організаційна підтримка: ТОВ “Сілікон” (м. Світловодськ), ПП “Галар” (м. Світловодськ). ВАТ “Завод напівпровідників” (м. Запоріжжя). Інформаційна підтримка: “Кременчуцький ТелеграфЪ”.


^ Голова конференції:

Оксанич А. П., д.т.н., проф., директор Інституту технології напівпровідників і інформаційних комп’ютерних систем, Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського

(м. Кременчук, Україна).

^ Співголови конференції:

Мачулін В. Ф., д.ф.-м.н., академік НАН України, директор Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

Третяк О. В., д.ф.-м.н., академік НАПН України, директор Інституту високих технологій Київського національного університету ім. Тараса Шевченка (Київ, Україна).


Вчений секретар: Притчин С. Е., к.т.н., доц., Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського (Кременчук, Україна).

Програмний комітет:


  1. Бахрушин В. Є., д.ф.-м.н., проф., Класичний приватний університет (м. Запоріжжя, Україна);

  2. Бєляєв О. Є., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);

  3. Боднарь І. В., д.х.н., проф., Білоруський державний університет інформатики і радіоелектроніки, м. Мінськ, Білорусь.

  4. Борщов В. М., д.т.н., проф., заступник генерального директора «Науково-дослідний технологічний інститут приладобудування» (м. Харків, Україна);

  5. Вербицький В. Г., д.т.н., проф., директор Науково-дослідного інституту мікроприладів НАН України (Київ, Україна);

  6. Власенко О. І., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

  7. Влчек Мірослав, проф., Університет Пардубіце (Чехія);

  8. Горбань О. М., д.ф.-м.н., проф., Класичний приватний університет (м. Запоріжжя, Україна);

  9. Грибов Б. Г., чл.-кор. Російської академії наук, д.х.н., проф., Науково-дослідний інститут особливо чистих речовин (м. Москва, Росія);

  10. Данильченко Б. О., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики НАН України (м. Київ, Україна);

  11. Жеру І. І., проф., Інститут хімії, Академія наук Молдови, (м. Кишинів, Молдова);

  12. Загірняк М. В., д.т.н., проф., член-кореспондент НАПН України, ректор Кременчуцького національного університету імені Михайла Остроградського (м. Кременчук, Україна);

  13. Калашник О. М., д.т.н., Науково-дослідний інститут “СуперЕВМ” (м. Москва, Росія);

  14. Ковалюк З. Д., д.ф.-м.н., проф., директор Чернівецького відділення Інститут проблем матеріалознавства ім. Францевича НАН України (м. Чернівці, Україна);

  15. Корбутяк Д. В., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

  16. Левикін В. М., д.т.н., проф., Харківський національний університет радіоелектроніки (м. Харків, Україна);

  17. Левінзон Д. І., д.т.н., проф., Класичний приватний університет (м. Запоріжжя, Україна);

  18. Литовченко В. Г., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

  19. Місюк Анджей, проф., Інститут електронних технологій (м. Варшава, Польща);

  20. Лисенко В., Інститут нанотехнологій (м. Ліон, Франція);

  21. Негрийко А. М., д.ф.-м.н., проф., член-кореспондент НАН України, заступник директора. Iнститут фiзики НАН України (м. Київ, Україна);

  22. Порошин В. М., д.ф.-м.н., проф., заступник директора. Iнститут фiзики НАН України (м. Київ, Україна);

  23. Прокопенко І. В., д.ф.-м.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

  24. Рамазанов C. К., д.е.н., проф., Східноукраїнський національний університет імені Володимира Даля (м. Луганськ, Україна);

  25. Сліпченко М. І., д.т.н., проф., Харківський національний університет радіоелектроніки (м. Харків, Україна);

  26. Стронський О. В., д.ф.-м.н., с.н.с., Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (Київ, Україна);

  27. Скришевський В. А., д.ф.-м.н., проф., Інститут високих технологій Київського національного університету ім. Тараса Шевченка (м. Київ, Україна);

  28. Тербан В. А., к.т.н., перший заступник генерального директора ТОВ «Сілікон» (м. Світловодськ, Україна);

  29. Томашик В. М., д.х.н., проф., Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

  30. Хрипунов Г. С., д.т.н., проф., НТУ «Харківський політехнічний інститут» м.  (Харків, Україна).



Експертна рада

з визначення розробок, рекомендованих до впровадження у виробництво:

  1. Мачулін В. Ф., д.ф.-м.н., академік НАН України, Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, Україна);

  2. Оксанич А. П., д.т.н., проф., Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського (м. Кременчук, Україна);

  3. Тербан В. А., к.т.н., перший заступник генерального директора ТОВ «Сілікон» (м. Світловодськ, Україна);

  4. Волохов С. О., к.т.н., генеральний директор ТОВ “Сілікон” (м. Світловодськ, Україна).




Організаційний комітет:


Клюй М. І. – голова

Шевченко І. В.

Оксанич І. Г. – заст. голови

Куделіна К. О.

Притчин С. Е.

Рилова Н. В.

Щербак С. С.

Самойлов А. М.

Наукові напрямки конференції:

  1. Матеріали, структури, технології, устаткування для фотовольтаїки та сонячної енергетики.

  2. Перспективні методи вирощування напівпровідникових монокристалів, тонких плівок та квантово-розмірних структур. Фундаментальні дослідження процесів росту кристалів; пошук нових кристалічних та наноструктурних середовищ з функціонально важливими властивостями; фундаментальні основи нанотехнологій.

  3. Комплексні дослідження фізичних явищ в оптичних монокристалах, наносистемах та їх фізико-хімічних властивостей.

  4. Матеріали і приладові структури для сенсорів, сонячних елементів і матричних перетворювачів інформації.

  5. Дефектоутворення, міжфазна взаємодія та релаксаційні процеси.

  6. Вимірювання, контроль та управління параметрами напівпровідникових матеріалів в технологічних процесах.

  7. Діагностика фізичних властивостей напівпровідникових матеріалів.

  8. Інформаційні технології, системи управління та відображення інформації.

  9. Інформаційні технології проектування автоматизованих систем.

  10. Комп’ютерно-інтегровані технологічні процеси і виробництва.

  11. Комп’ютеризовані системи автоматики та управління.

  12. Моделювання фізичних і фізико-хімічних процесів в монокристалах, епітаксійних плівках та приладових структурах на їх основі.


^ Робочі мови конференції: українська, російська, англійська.


До початку роботи конференції планується видати: збірник тез доповідей на конференції (реєстраційний номер ISSN 2222 – 4386). Вимоги до оформлення рукописів тез доповідей наведені в Додатку 1.

Розмір організаційного внеску за участь у конференції складає 350 грн. Для учасників, які не є громадянами України організаційний внесок складає суму еквівалентну 50 доларам США, і може бути внесена безпосередньо у процесі реєстрації на конференції. Оплату організаційного або публікаційного внеску з точним формулюванням коментаря до платежу (посиланням на реєстраційний номер доповіді та прізвища авторів) необхідно перерахувати після отримання третього інформаційного повідомлення, в якому будуть вказані платіжні реквізити.

Організаційний внесок включає: видання програми конференції, збірника тез доповідей конференції, кава-брейк, часткове покриття витрат на організацію та проведення конференції.

^ За рекомендацією оргкомітету і бажанням авторів кращі доповіді у вигляді наукової статті можуть бути надруковані у науковому фаховому виданні “Вісник Кременчуцького державного університету ім. Михайла Остроградського”. Науковий журнал пройшов реєстрацію (свідоцтво про реєстрацію серії КВ № 18771-7571 ПР від 30.01.2012 р.) і внесений до Переліку № 1 фахових видань, в яких можуть публікуватися результати дисертаційних робіт на здобуття наукових ступенів доктора і кандидата технічних наук. Журнал виходить шість разів на рік. Вимоги до оформлення статей та умови публікації наведені на сайті університету (http://www.kdu.edu.ua/publ/visnik3.html).

Після оплати копії платіжних доручень про перерахування організаційного внеску треба надсилати у електронному вигляді до електронної поштової скриньки (або звичайною поштою на адресу оргкомітету).

Зарубіжні учасники конференції сплачують організаційний внесок та вартість опублікування доповідей готівкою під час реєстрації.

Контрольні дати роботи конференції:

  1. Заявка на участь у конференції подається разом з тезами доповіді – до 25.01.13 р. (Прохання до учасників конференції обов’язково заповнити та надіслати разом з заявкою реєстраційну картку учасника конференції з діючими реквізитами – див. Додаток 2). Тези, що не відповідають вказаним вимогам, до друку прийматись не будуть та не повертаються.

  2. Розсилка другого інформаційного повідомлення з рішенням про прийняття тез до друку – до 15.03.13 р.

  3. Розсилка третього інформаційного повідомлення з запрошенням на конференцію та реквізитами сплати оргвнеску – до 02.04.13 р.

  4. Перерахування організаційного внеску – до 05.05.13 р.


Проведення конференції та проживання планується на базі санаторію - профілакторію “Івушка” ПАО “УКРТАТНАФТА”, http://www.ivushka.com.ua. Вартість проживання складає 90 грн. на добу, вартість триразового харчування складає 75 грн.


Під час роботи конференції планується виставка новітніх розробок з фотовольтаїки, інформаційних технологій та напівпровідникових матеріалів. Запрошуємо всіх зацікавлених взяти участь у виставці.


^ Адреса для листування: 39600, м. Кременчук, вул. Першотравнева, 20, Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, кафедра ІУС.

Контактна інформація:

Клюй Микола Іванович, голова організаційного комітету,

Тел. +38(044)5256202

klyui@isp.kiev.ua

Самойлов Андрій Миколайович, технічний секретар,

Тел. +38(05366)30157

+380677324659,

Е-mail: kafius@kdu.edu.ua

Е-mail: seticom@yandex.ru


Інформація для авторів і учасників конференції розміщена на http://tniks.kdu.edu.ua/conf/

Спонсорський пакет


Організаційний комітет II Міжнародної науково–практичної конференції «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка» пропонує фірмам та організаціям розглянути можливість участі у спонсорській програмі конференції та використати наш захід для реклами своєї компанії, продукції або послуг.

Ми пропонуємо розміщення логотипу фірми та рекламних смуг на сторінках інформаційних листів, збірки тез, програми, списку учасників та інших матеріалів конференції.

Пакет для генерального спонсора конференції (вартість – 7000 грн.):

  • розміщення логотипу на першій сторінці програми та збірки тез доповідей конференції;

  • розміщення рекламної смуги у програмі конференції;

  • розміщення банеру спонсора у фойє та у конференц-залі;

  • представлення спонсора під час відкриття конференції;

  • безкоштовна участь двох співробітників фірми-спонсора в усіх заходах конференції.

Пакет для офіційних спонсорів конференції (вартість – 5000 грн.):

  • розміщення логотипу на другій сторінці програми та збірки тез доповідей конференції;

  • розміщення рекламної смуги у програмі конференції;

  • представлення спонсора під час відкриття конференції;

  • безкоштовна участь одного співробітника фірми-спонсора в усіх заходах конференції.

Додаток 1


Вимоги до оформлення рукописів тез доповідей

Обов’язкові елементи рукопису тез:

  • індекс УДК (Times New Roman, 12);

  • заголовок (Times New Roman, 14, прописними);

  • прізвища авторів (Times New Roman, 12);

  • назва організації (Times New Roman, 12);

  • E-mail;

  • основний текст тез (Times New Roman, 14); .

  • висновки (Times New Roman, 14);

  • список використаної літератури (у відповідності до вимог ДСТУ ГОСТ 7.1: 2006) (Times New Roman, 12).

Мова рукопису: тези надаються українською, російською або англійською мовами і друкуються мовою оригіналу.

^ Оформлення рукопису тез: тези надаються у вигляді файлу формату .rtf для MS Word 97 (або версія MS Word 2003 але не MS Word 2007 та не MS Word 2010 ) на CD, або по E-mail на дві адреси: seticom@yandex.ru, kafius@kdu.edu.ua. Основний текст повинен бути набраний через 1 інтервал, шрифт Times New Roman, 12 пт. зі звичайним міжсимвольним інтервалом; всі поля – 20 мм.

Таблиці мають бути виконані в Excel або Word без заливання; формули мають бути виконані у редакторі формул MS Equaition.

Малюнки, виконані у Word, мають бути згруповані і являти собою один графічний об'єкт. Всі ілюстрації треба подавати у чорно-білому варіанті або у градаціях сірого кольору.

Штрихові графічні об'єкти, графіки, діаграми подаються в форматі WMF або TIFF. Растрові ілюстрації подаються в оригіналі (фотознімок, малюнок, негатив або слайд), які після сканування повертаються автору, або скановані у форматі TIFF з роздільною здатністю 300-600 dpi, окремими файлами.

^ Обсяг тез – не менше 1 ст. і не більше 2 ст. формату А4.

Список використаної літератури обмежується п’ятьма джерелами.

Тези, що не відповідають вказаним вимогам, до друку прийматись не будуть та не повертаються.


Зразок


20 мм



УДК 621.315.592



^ МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСУ УТВОРЕННЯ МІКРОДЕФЕКТІВ ПРИ ВИРОЩУВАННІ ЗЛИВКІВ КРЕМНІЮ


А.П. Іванов1, С.О. Петров, О.В. Сидоров

Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, petr@kdu.edu.ua

1 Харківський національний університет радіоелектроніки.


Проблема підвищення якості вирощених зливків кремнію за правом вважається однією з головних задач розвитку технології напівпровідникової електроніки. Аналіз формування і розподілу мікродефектів у вирощуваних зливках кремнію показав, що вони мають фундаментальний і апаратний характер [1, 2].

.....

Висновки

1.

2.

......

ЛІТЕРАТУРА

  1. Эйдензон, А.М. Выращивание совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского [Текст] / А.М. Эйдензон, Н.И. Пузанов // Неорганические материалы. - 1997. – Т. 33. - № 3. – с. 272-279.

  2. Ландау, Л.Д. Статистическая физика : учебн. [для студ. высш. уч. завед.] [Текст] / Л.Л. Ландау, Е.М. Лифшиц. – М.: Наука, 1973. – 568 с.

  3. Надточий, В.А. Микропластичность и электрические свойства приповерхностных слоев алмазоподобных проводников деформированных при низких температурах [Текст] / В.А. Надточий, Н.К. Нечволод, Н.А. Голоденко // 1-ая Украинская научная конференция по физике полупроводников, Одесса, 10-14 июня 2002 г. : Тезисы докладов. – Одесса: Астропринт. – Т. 2. – с. 70.







20 мм


20 мм






20 мм

Додаток 2

^

Реєстраційна картка учасника конференції “НМІТФ- 2013”



Прізвище

Ім’я По батькові

Науковий ступінь Вчене звання

Посада

Назва організації

Адреса організації

Адреса для листування (якщо відрізняється від адреси організації)

Поштовий код Країна

Телефон Факс

Е-mail

Назва доповіді


Позначте відповідні пункти:

  • Я хотів би представити доповідь (тези додаю);

  • Я планую приїхати без доповіді.


Я хотів би, щоб моя доповідь була представлена в напрямку (необхідне закреслити - Х)

1


2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12


як  усна доповідь *  стендова доповідь *

*Остаточне рішення про презентацію доповіді (усна/стендова) буде прийняте програмним комітетом.



Схожі:

Іi міжнародна науково–практична конференція iconЗвіт про проведення науково-практичної конференції назва заходу: Треття міжнародна науково-практична конференція "Культура здоров’я як предмет освіти". На базі якого освітянського закладу проведено
Треття міжнародна науково-практична конференція “Культура здоров’я як предмет освіти”
Іi міжнародна науково–практична конференція iconЗ місця події 16 жовтня в Інституті розвитку дитини відбулася Міжнародна науково–практична конференція „Сучасне дошкілля: реалії та перспективи.”
Міжнародна науково–практична конференція „Сучасне дошкілля: реалії та перспективи.” Участь у ній взяли науковці не лише з України,...
Іi міжнародна науково–практична конференція iconЗ місця події 16 жовтня в Інституті розвитку дитини відбулася Міжнародна науково–практична конференція „Сучасне дошкілля: реалії та перспективи.”
Міжнародна науково–практична конференція „Сучасне дошкілля: реалії та перспективи.” Участь у ній взяли науковці не лише з України,...
Іi міжнародна науково–практична конференція iconМіжнародна науково практична конференція
Міжнародна громадська організація «Міжнародна поліцейська корпорація громадської безпеки»
Іi міжнародна науково–практична конференція iconЗвіт про роботу конференції міжнародна науково-практична конференція ”економіка та управління в умовах побудови інформаційного суспільства”
Квітня 2012 року в оназ ім. О. С. Попова на базі Навчально-наукового інституту економіки та менеджменту відбулась Міжнародна науково-практична...
Іi міжнародна науково–практична конференція iconV міжнародна науково-практична конференція «особистість в духовно-моральному просторі сучасного світу» інформаційний лист шановні колеги!
Міжнародна науково-практична конференція «особистість в духовно-моральному просторі сучасного світу»
Іi міжнародна науково–практична конференція icon1. суспільні науки філософія.  Соціологія Міжнародна науково-практична конференція «Філософія та соціологія трансформаційного суспільства»
Міжнародна науково-практична конференція «Філософія та соціологія трансформаційного суспільства», м. Сімферополь-м. Судак
Іi міжнародна науково–практична конференція iconV міжнародна науково-практична конференція молодих учених, аспірантів, студентів
Конференція підтримана Національною академією наук України та входить до головних заходів Фестивалю науки в Україні. Конференція...
Іi міжнародна науково–практична конференція iconМіжнародна науково-практична конференція "Інформатизація освіти України : стан, проблеми, перспективи" Партнеры
Міжнародна науково-практична конференція "Інформатизація освіти України : стан, проблеми, перспективи"
Іi міжнародна науково–практична конференція iconМіжнародна науково-практична конференція: “хх століття в дзеркалі літератури та культури

Іi міжнародна науково–практична конференція iconІi міжнародна науково-практична конференція
...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи