Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України icon

Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України




Скачати 195.43 Kb.
НазваМіністерство освіти І науки, молоді І спорту України
Дата24.09.2012
Розмір195.43 Kb.
ТипДокументи

Міністерство освіти і науки, молоді і спорту України


Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича


„ЗАТВЕРДЖУЮ”



Ректор ЧНУ імені Юрія Федьковича


_________________ С. В. Мельничук


“_____” _________________ 2012 р.


ПРОГРАМА

ФАХОВОГО ІСПИТУ

для вступників на освітньо-кваліфікаційний рівень

„магістр”


(повна форма навчання)


галузь знань 0508 - Електроніка

спеціальність 8.05080101 - Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої


Схвалено Вченою радою фізичного факультету

Протокол № __ від „ ” січня_ 2012  р.


Голова Вченої ради проф. Гуцул І.В.


Чернівці 2012

^

Програма для вступників


на здобуття кваліфікаційного рівня „Магістр”.

Спеціальність: 8.050801  Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої. Фізичний факультет. Кафедра фізики напівпровідників і наноструктур.


Технологія напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем"


Обробка напівпровідникових матеріалів

Кристалографічна орієнтація напівпровідникових пластин. Різка. Шліфування. Полірування. Якість приповерхневого шару після механічної обробки. Види забруднень напівпровідникових підкладок. Механізм процесу травлення. Способи травлення і промивання. Електрохімічна обробка поверхні. Осадження гальванічних покриттів. Іонно-плазмова обробка підкладок. Плазмохімічна обробка підкладок. Скрайбування напівпровідникових пластин. Контроль якості кристалічних пластин після обробки.


^ Методи дифузії та сплавлювання

Фізичні основи процесу дифузії. Закони дифузії. Розподіл домішок при дифузії. Дифузія в планарній технології. Техніка проведення процесів дифузії. Дифузія і електроперенос. Основні дифузанти. Аномалії розподілу домішок і дефектів в дифузійних шарах. Фізико-металургійні основи утворення сплавленого р-п-переходу. Технологія отримання сплавлених структур. Розрахунки при сплавлюванні. Дефекти, які виникають в р-п-переходах при сплавлюванні. Контроль якості сплавлених р-п-переходів.


^ Вакуумтермічна та іонноплазмова технологія нанесення

плівкових елементів ІС

Вакуумтермічна технологія тонкоплівкових резисторних, конденсаторних і RC-структур. Одержання якисного рисунку тонкоплівкових интегральних схем. Трафарети. Реактивне розпилення як технологічний метод газового легування. Плазмове і електролітичне оксидування. Технологічні причини дефектів танталових тонкоплівкових конденсаторів. Катодне розпилення матеріалів. Технологічні особливості іонно-плазмового розпилення.

^

Технологія фотолітографії


Основні принципи фотолітографії. Фоторезисти. Фотошаблони і способи їх отримання. Фотолітографічний процес, конструкція апаратури. Проекційна оптична фотолітографія. Безшаблонна лінзоворастрова фотолітографія. Виготовлення металевих масок. Технологічне обладнання для фотолітографії. Коордінатографи. Установки для репродуцірування і мультиплікації.


^ Отримання структур методом епітаксійного нарощування

Основні методи епітаксійного осадження: рідинно-фазна епітаксія, епітаксія із газової фази, молекулярно-променева епітаксія. Технологічні особливості епітаксії Si та Ge. Реактори вертикального і горизонтального типів. Гетероепітаксія Si на сапфірі (КНС-технологія) та на шпінелі. Легування епітаксійних структур. Растрова електронна мікроскопія для контролю якості епішарів. Методи зменшення дефектів невідповідності в гетероструктурах.

^

Планарна технологія та технологічні маршрути виготовлення приладів і ІМС


Планарна і планарно-епітаксійна технологія. КНС-технологія. Особливості виробництва біполярних і МДН-інтегральних схем. Розробка топології ІМС. Технологія виготовлення гибридних інтегральних мікросхем. Технологія виготовлення і контролю комутаційних плат. Технологія мікрозборок. Поняття про технологічні маршрути. Герметизація, приєднання виводів. Контроль і забезпечення якості у виробництві ІС.


"Технологія і фізика тонких плівок"


Апаратура вакуумної техніки

Будова вакуумних систем для виготовлення плівок. Техніка вимірювання вакууму. Довжина вільного пробігу молекул газу. Рівноважний тиск пари. Вплив складу газового середовища, на структуру плівок. Вимірювання вакууму. Газоаналізатори.

^ Методи вирощування плівок

Процеси випаровування і конденсації. Швидкість випаровування. Закони випаровування. Термічне напилення. Особливості методу термічного напилення. Випаровування сполук та сплавів. Конструкції випаровувачів та вимоги до них. Вимоги до матеріалів для випаровувачів. Катодне розпилення. Магнетронне та електронно-променеве розпилення. Вплив умов формування на характеристики плівок. Практична реалізація методів. Лазерне випаровування. Особливості взаємодії лазерних пучків з речовиною. Особливості реалізації методу. Механізми випаровування металів, напівпровідників і діелектриків. Переваги методу. Методи визначення товщини плівок. Методи визначення складу плівок. Електричні властивості плівок. Плівкові резистори та конденсатори.

"Фізика напівпровідників і діелектриків"


Основи зонної теорії напівпровідників і діелектриків

Зонне наближення. Теорема Блоха. Рівняння Шредінгера для електрона в періодичному полі кристалу. Хвильова функція електрона в кристалі. Хвильовий вектор. Метод сильно та слабозв’язаних електронів. Механізм формування енергетичних зон в кристалічних твердих тілах. Зони Бріллюена. Метали, напівметали, напівпровідники, діелектрики з точки зору зонної теорії. Поняття квазіімпульсу. Тензор оберненої ефективної маси.


^ Статистика електронів і дірок в напівпровідниках

Розподіл квантових станів в зонах та на локальних рівнях електронів. Функція розподілу Фермі-Дірака. Концентрація електронів і дірок в зонах напівпровідника. Невироджені та сильновироджені напівпровідники. Положення рівня Фермі в невиродженому та виродженому напівпровіднику. Рівняння електронейтральності. Температурна залежність концентрації носіїв у власному та домішковому напівпровідниках. Закон діючих мас.


^ Кінетичні явища в напівпровідниках

Дифузія і дрейф носіїв заряду в напівпровідниках. Дифузійні рівняння. Питома електропровідність та рухливість носіїв заряду в напівпровідниках. Температурна залежність рухливості носіїв заряду для основних механізмів розсіювання. Ефект Холла в напівпровідниках. Виникнення поля Холла та ерсХолла в напівпровіднику з одним та двома типами носіїв заряду. Визначення параметрів напівпровідника за допомогою дослідження ефекту Холла та електропровідності.


^ Квантовий розмірний ефект для електронів і дірок в напівпровідниках

Квантовий розмірний ефект і густина станів. Квантування енергетичних станів електронів і дірок. Вплив поверхні на електрофізичні явища в напівпровідниках. Розмірні ефекти в тонких напівпровідникових кристалах. Поняття про надгратки. Напівпровідникові матеріали для квантових ям і надграток. Основні властивості та застосування квантових розмірних структур.


Твердотільна електроніка”


Електронно-дірковий (p-n) - перехід

Електронно-дірковий перехід. Утворення і параметри електронно-діркових переходів. Енергетична діаграма p-n переходу у рівноважному стані. Контактна різниця потенціалів. Робота p-n переходу при зовнішньому зміщенні. Енергетичні діаграми. Типи p-n переходів: симетричні, несиметричні, лінійні. Вольт-амперна характеристика ідеального p-n – переходу. Вплив товщини базових областей на ВАХ. Ємності p-n п переходу. Вплив різних факторів на ємність. Методика визначення параметрів p-n переходу з дослідження вольт-фарадних характеристик. Пробій p-n – переходу. ВАХ реальних p-n переходів. Генерація та рекомбінація носіїв у p-n переході.


^ Функціональні властивості діодних структур. Фізичні принципи роботи транзисторів і тиристорів

Тунельний діод. Енергетичні діаграми та ВАХ. Параметри тунельних діодів. Гетеропереходи і бар’єр Шотткі. Напівпровідникові діоди. Лавинно-перелітні діоди. Нелінійні елементи. Стабілітрони, принцип роботи, параметри. Біполярний транзистор. Структура, основні режими роботи і характеристики. Фізичні принципи роботи транзисторів і тиристорів. Біполярні транзистори. Польові транзистори з p-n переходом. Провідний канал. Характеристики і параметри. МДН транзистори. Принцип роботи, характеристики і параметри. Фізичні процеси у багатошарових p-n-p-n структурах. Тиристори.


Схемотехніка”


Аналогова схемотехніка

Загальна характеристика пристроїв підсилення. Підсилювачі напруги, струму, потужності. Частотні характеристики підсилювачів. Зворотній зв’язок в підсилювачах. Види зворотнього зв’язку. Вплив зворотнього зв’язку на характеристики підсилювачів (коефіцієнт підсилення, АЧХ, вхідний і вихідний опір).

Використання біполярного транзистора для підсилення електричних коливань. Графоаналітичний розрахунок режимів підсилення в схемі з ЗЕ. Схема з емітерною стабілізацією робочої точки. Схеми заміщення підсилювача на БТ з загальним емітером при різних частотах. Підсилювач на БТ з загальним колектором (емітерний повторювач). Підсилювач БТ з загальною базою. Диференційний підсилювач.


Багатокаскадні підсилювачі постійного та змінного струму. Операційні підсилювачі. Властивості ідеального та реального операційного підсилювача. Інвертуючий та неінвертуючиий підсилювачі змінного і постійного струму. Повторювачі сигналу на основі операційного підсилювача. Підсилювач з диференційним входом. Маштабуючий підсилювач. Додавання і віднімання аналогових сигналів. Диференціатор та інтегратор. Використання перетворювачів.


^ Цифрова схемотехніка

Електронні ключї. Дїодно-транзисторні і транзиторно-транзисторні логічні елементи Елементи емітерно-зв’язаної логіки. Елементи інтегральної інжекційної логіки. Логічні елементи на МДП-транзисторах. Перетворювачі кодів, шифратори, дешифратори їх синтез. Цифрофі дешифратори. Мультиплексори і демультиплексори. Комбінаційні пристрої зсуву. Реалізація логічних функцій на мультиплаксорах. Комбінаційні (алгебраїчні) суматори. Двійковий віднімач. Тригери - загальна схема. Синхронні і асинхронні RS-, D-, JK-, T- тригери. MS-тригери. Регістри. Послідовні та паралельні регістри. Регістри зсуву. Лічильники на основі регістрів. Асинхронні і синхронні лічильники. Лічильник поділювач часу. Двійково-десятково лічильники. Лічильник з керованим коефіцієнтом рахування. Реверсивні лічильники. Пристої пам’яті на біполярних та МДП-транзисторах. Вузли пристроїв оператавної та постійної памяті.


^ Мікропроцесорна техніка

Визначення та призначення МП. Класифікація МП за: складом і кількістю ІМ; способом керування; типом архітектури; системою команд. Магістральні, матричні, конвеєрні, радіальні кільцеві МП системи. Обґрунтування при виборі і використанні МП для побудови систем.

Особливості архітектури фон-Нейманівської архітектури. Склад та структура процесора фон-Нейманівської та гарвардської архітектури. АЛУ – будова, принцип функціонування. Одно- та двохадресний процесор. Призначення та функціонування регістрів: ознак; загального призначення; стану; десяткової корекції. Буферні регістри.

Призначення та функціонування блоку управління з жорсткою і програмною логікою. Регістр команд. Етапи виконання програм. Цикл команди, машинний цикл, такт команди. Загальна структура команд. Способи адресації. Програмний лічильник. Одно, двох, трьох байтові команди. Потоки даних при виконанні програми.

Шинна організація та структурна схема МПС. Організація пам’яті. Взаємодія МП з портами вводу/виводу та пам’яттю. Асинхронний і синхронний ввід/вивід. Поняття переривання. Обробка переривання. Поняття стеку. Алгоритм функціонування МП під час обробки переривань. Режим прямого доступу до пам’яті. Паралельні та послідовні адаптери. Таймери. Архітектура сучасних ПК. Архітектура материнської плати та основних компонентів системного блоку.


Квантова електроніка”


Фізика процесів взаємодії квантової системи з електромагнітним полем

Взаємодія квантової системи з електромагнітним полем. Спонтанні та вимушені квантові переходи. Коефіцієнти Ейнштейна та їх фізичний зміст. Ширина і форма спектральних ліній випромінювання. Квантові підсилювачі, основні їх характеристики. Генерація оптичного випромінювання. Фундаментальні властивості квантового випромінювання.


^ Фізичні основи роботи лазерів різного типу

Принцип дії квантових приладів. Активні квантові речовини. Методи інвертування заселеності. Оптичні резонатори. Будова та характеристики квантових приладів. Квантові підсилювачі та імпульсні генератори. Твердотільні, газові та хімічні лазери. Напівпровідникові лазери.

^ Модуляція та пристрої керування лазерним випромінюванням

Модуляція та управління лазерним випромінюванням. Фізичні принципи, класифікація і основні характеристики модуляторів лазерного випромінювання. Електрооптичний ефект в кристалах. Неперервний оптичний рефлектор. Управління частотою лазерного випромінювання. Тепловий і фотоелектричний принципи перетворення оптичної потужності в електричну. Пондеромоторні і інтерференційні принципи вимірювання енергетичних параметрів лазерів. Оптична голографія. Принцип голографії і рівняння голограми. Схема запису та відновлення голограм. Типи голограм. Практичне застосування голографії.


^ Застосування пристроїв лазерної техніки.

Лазерні дальноміри і гіроскопи. Лазерні доплерівські вимірювачі швидкості. Принципи проектування лазерних гіроскопів. Особливості каналу зв’язку. Характеристики оптичного каналу. Лазерний зв’язок та лазерна технологія. Лазери в обчислювальній техніці, медицині та біології. Переваги лазерного зв’язку та лазерної технології. Режими введення випромінювання в зону обробки. Технічні характеристики промислових установок.


Основи наноелектроніки”


Електронний газ в низькорозмірних структурах наноелектроніки

Залежність енергетичного спектру частки від форми ями і структурних параметрів. Вимірність системи і густина квантових станів. Двовимірні кристали. Далекій порядок і теплові флуктуації. Кристалічні плівки. Кінетичні властивості тонких плівок. Квантовий цілочисловий ефект Холла в двовимірному електронному газі. Енергетичний спектр електронів в магнітному полі. Дробовий квантовий ефект Холла. Балістичні 2D-контакти і квантування їхньої провідності. Одновимірні кристали. Перехід Пайєрлса. Особливості розсіювання одновимірних носіїв заряду. Приклади квазіодновимірних електронних систем. Нульвимірні структури. Поглинання світла квантовими точками. Електронні властивості квантових точок. Застосування їх в наноелектронних приладах.


^ Фізичні одноелектронні процеси і прилади на їх основі

Кулонівська блокада та одноелектронні процеси. Ємність квантової точки. Теоретичні основи одноелектроніки. Реалізація одноелектронних приладів. Одноелектронна комірка пам'яті. Бістабільний логічний елемент. Застосування одноелектронних приладів. Одноелектронні інвертори. Квантовий одноелектронний транзистор. Фільтр для одноелектронних приладів. Вертикальний одноелектронний транзистор.

^

Напівпровідникові гетероструктурні наноелементи і наноприлади


Основні типи напівпровідникових приладних гетероструктур. Лазери з квантовими ямами і точками. Оптичні модулятори. Фоточутливі n-i-p-i-структури. Фотоприймачі на квантових ямах. Лавинні фотодіоди. Гетероструктурні польові транзистори. Cтруктура сучасних нанотранзисторів типу НЕМТ на сполуках А3В5. Резонансно-тунельний транзистор на квантовій точці. Транзистори на “гарячих” електронах. Прилади на основі балістичного транспорту. Інтегральні мікросхеми на гетероструктурних польових транзисторах. Інтегральні мікросхеми на резонансно-тунельних гетероструктурах.


^ Функціональна електроніка на основі нанокомпозитів і нанокераміки

Класифікація композиційних матеріалів. Кераміка в сучасній техніці. Високочастотні діелектричні властивості нанорозмірних плівок тітанату-цирконату свинцю. Застосування нанорозмірних сегнетоелектричних матеріалів. Порувата п'єзокераміка. Структурно-чутливі властивості нанокомпозитів. Прилади на основі нанокомпозитів. Методи аналізу і моделювання діелектричних та пружних властивостей полікристалічних наноматеріалів, їх застосування в наноелектроніці.


Питання

  1. Принципи процесу фотолітографії, проекційна та контактна фотолітографія.

  2. Епітаксія з газової фази Si та Ge.

  3. Іонна імплантація в технології ІМС.

  4. Планарна технологія виготовлення біполярних ІС.

  5. Дифузія в планарній технології.

  6. Фізико-металургійні основи утворення сплавленого р-п-переходу.

  7. Технологія отримання сплавлених р-n-структур.

  8. Вакуумтермічна технологія тонкоплівкових резисторних, конденсаторних і RC-структур.

  9. Кристалографічна орієнтація напівпровідникових пластин. Різка. Шліфування. Полірування.

  10. Основні методи епітаксійного осадження, рідинно-фазна епітаксія.

  11. Планарно-епітаксійна технологія виготовлення ІМС.

  12. Поняття про технологічні маршрути при виготовленні приладів та ІМС.

  13. Виготовлення плівок методом термічного напилення.

  14. Катодне розпилення.

  15. Лазерне та магнетронне напилення

  16. Методи виготовлення плівок сполук і сплавів.

  17. Епітаксія з парової фази.

  18. Рідинна епітаксія.

  19. Молекулярно-променева епітаксія.

  20. Товщина плівок та методи її визначення.

  21. Методи дослідження структури плівок. Електронографія.

  22. Методи визначення складу плівок.

  23. Механічні властивості плівок.

  24. Електричні властивості плівок.

  25. Поверхневі рівні на ідеальній та реальній поверхні напівпровідника.

  26. Дослідження поверхні методом растрової електронної мікроскопії.

  27. Метод рентгенівської фотоелектронної спектроскопії в дослідженні поверхні.

  28. Оже-електронна спектроскопія.

  29. Основні положення зонної теорії. Метали, напівпровідники, діелектрики з точки зору зонної теорії.

  30. Концентрація носіїв заряду в напівпровіднику в стані термодинамічної рівноваги.

  31. Концентрація носіїв заряду та положення рівня Фермі в невиродженому напівпровіднику. Сильно вироджені напівпровідники.

  32. Концентрація носіїв заряду та положення рівня Фермі у власному напівпровіднику.

  33. Рівняння електронейтральності для домішкового напівпровідника. Температурна залежність рівня Фермі та концентрації носіїв заряду в донорному та акцепторному напівпровідниках.

  34. Дрейф носіїв заряду у зовнішньому електричному полі. Дифузія носіїв заряду в напівпровідниках. Дифузійні рівняння.

  35. Електрична провідність напівпровідників. Залежність рухливості носіїв заряду та електропровідності від температури.

  36. Ефект Холла в напівпровідниках.

  37. Край власного поглинання, правило Урбаха.

  38. Екситонне поглинання випромінювання в напівпровідниках.

  39. Фотопровідність і фоточутливість напівпровідників.

  40. Релаксація фотопровідності, лінійна та квадратична рекомбінація.

  41. Вентильна фотоерс, фотоерс Дембера.

  42. Спонтанні та вимушені квантові переходи. Коефіцієнти Ейнштейна та їх фізичний зміст.

  43. Ширина і форма спектральних ліній випромінювання.

  44. Фундаментальні властивості квантового випромінювання.

  45. Квантові підсилювачі, основні їх характеристики.

  46. Активні квантові речовини, методи інвертування заселеності.

  47. Твердотільні лазери.

  48. Газові та хімічні лазери.

  49. Напівпровідникові лазери.

  50. Модуляція та управління лазерним випромінюванням.

  51. Оптична голографія.

  52. Електронно-дірковий перехід. Енергетична діаграма p-n переходу у рівноважному стані. Контактна різниця потенціалів.

  53. Робота p-n переходу при зовнішньому зміщенні. Енергетичні діаграми.

  54. Типи p-n переходів: симетричні, несиметричні, лінійні.

  55. Вольт-амперна характеристика ідеального p-n переходу. Вплив товщини базових областей на ВАХ.

  56. Методика визначення параметрів p-n переходу з дослідження вольт-фарадних характеристик.

  57. Пробій p-n переходу. Види пробою та умови його виникнення.

  58. ВАХ реальних p-n переходів. Генерація та рекомбінація носіїв у p-n переході.

  59. Тунельний діод. Енергетичні діаграми та ВАХ. Параметри тунельних діодів.

  60. Стабілітрони і стібістори. Принцип роботи. Параметри.

  61. Біполярний транзистор. Структура, основні режими роботи і характеристики.

  62. Польові транзистори з p-n переходом. Провідний канал. Характеристики і параметри.

  63. МДН транзистори. Принцип роботи, характеристики і параметри.

  64. Фізичні процеси у багатошарових p-n-p-n структурах. Тиристори (різні типи). Структура, принцип роботи, ВАХ.

  65. Аналогові пристрої: класифікація, електричні параметри (вхідний, вихідний опір, АЧХ, коефіцієнт передачі сигналу).

  66. Підсилювачі на біполярних транзисторах зі схемою із загальним емітером. Параметри, принцип роботи.

  67. Операційні підсилювачі. Властивості ідеальних і реальних операційних підсилювачів.

  68. Підсилювачі на операційних підсилювачах (інвертуючий, неінвертуючий) постійного та змінного струму.

  69. Диференційні підсилювачі на транзисторах і операційних підсилювачах. Властивості, параметри, характеристики.

  70. Логічні елементи. Логічні схеми. Функціональні системи логічних елементів.

  71. Цифрові суматори. Однорозрядні та багаторозрядні суматори.

  72. Тригери. Типи тригерів. Використання тригерів для побудови регістрів.

  73. Двійкові асинхронні та синхронні лічильники.

  74. Пристрої напівпровідникової пам’яті. Статичні та динамічні ОЗУ. Пристрої енергонезалежної пам’яті.

  75. Мультиплексори і демультиплексори.

  76. Перетворювачі кодів. Шифратори і дешифратори.

  77. Призначення мікропроцесорів. Класифікація мікропроцесорів за: складом, способом керування, архітектурою, системою команд.

  78. Особливості фон-Нейманівської та гарвардської архітектури процесорів.

  79. Мікропроцесорні системи, склад та будова. Організація та структура основних типів мікропроцесорних систем.

  80. Архітектура та будова ПК.

  81. Наноструктури з двовимірним, одновимірним, нуль-вимірним електронним газом.

  82. Квантово-розмірні ефекти в системах зі зниженою розмірністю.

  83. Квантово-розмірна частка в потенціальній ямі різної форми (прямокутна, параболічна, гіперболічна).

  84. Двовимірний електронний газ в гетеропереході.

  85. Двовимірний електронний газ в МДН-структурі.

  86. Квантовий цілочисловий ефект Холла в двовимірному електронному газі.

  87. Кулонівська блокада та одноелектронні процеси.

  88. Одноелектронний транзистор.

  89. Класифікація надграток, енергетичний спектр надграток.

  90. Перехід напівметал-напівпровідник у надгратках.

  91. Лазери з квантовими ямами і точками.

  92. Фотоприймачі на квантових ямах.

  93. Структура сучасних нанотранзисторів типу НЕМТ на сполуках А3В5.

  94. Скануюча зондова мікроскопія STM і AFM в наноелектроніці.

  95. Вуглецеві нанотрубки. Вуглецева наноелектроніка.



Література

  1. Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю. А. Чаплыгина. – М.:Техносфера. – 2005. – 448с.

  2. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. –Новосибирск: Изд-во НГТУ. – 2004. – 496 с.

  3. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. – М.: КомКнига. – 2006. – 592 с.

  4. Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. – М.:Техносфера. – 2005. – 336 с.

  5. Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С. А. Физика низкоразмерных систем. – СПб:Наука. – 2001. – 160 с.

  6. Щука А.А. Электроника. Учебное пособие. СПб:БХВ-Петербург. – 2006. – 800 с.

  7. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.:Лаборатория базовых знаний. – 2003. – 488 с.

  8. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. – М.:Наука. – 1990. – 688 с.

  9. Готра З.Б. Фізичні основи електронної техніки / З.Б.Готра, І.Є.Лопатинський, Б.А.Лукіянець, З.М.Микитюк, І.В.Петрович. – Львів: Бескид-Біт. – 2004. – 880 с.

  10. Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. – М.:Физматлит. – 2002. – 560 с.

  11. Balkanski M., Wallis R. F. Semiconductor Physics and Applications. – Oxford University Press. – 2000. – 487 p.

  12. Заячук Д. М. Нанотехнології і наноструктури. – Львів:Вид-во Львівської політехніки. – 2009. – 580 с.

  13. Технология тонких пленок. Справочник под ред. Л.Майсела, Р.Гленга. – М.: Сов.радио. – 1977, Т. 1. – 664 с.

  14. Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В.Шалимова. – М:Энергия. – 1976. – 416 с.

  15. Прищепа М.М., Погрібняк В.П. Мікроелектроніка. В 3ч. Ч.1. Елементи мікроелектроніки. Навч. посіб. – Київ:Вища школа. – 2004. – 431с.

  16. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М.: Высшая школа. – 1986. – 385 с.

  17. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л.Росадо. – М.:Высшая школа. – 1991. – 352 с.

  18. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С.Зи. – М.:Мир. 1984. – 456 с.

  19. Сугано Т. Введение в микроэлектронику / Т.Сугано, Т.Икома, Е.Такэиси. М.: Мир. 1988. 320 с.

  20. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. – М: Наука. – 1977. –366 с.

  21. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.– М: Мир. – 1973.–456с.

  22. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М: Физматгиз. – 1963. – 494 с.

  23. Верещагин И.К., Косяченко Л.А., Кокин С.М. Введение в оптоэлектронику. – М.:Высшая школа. – 1991. – 186 с.

  24. Василевский А.М., Кропаткин М.А., Тихонов В.В. Оптическая электроника. – Л.:Энергоатомиздат. – 1990. – 320 с.

  25. Схемотехніка електронних систем. Кн. 1. Аналогова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. – К.: Вища школа. – 2004. –423 с.

  26. Схемотехніка електронних систем. Кн. 2. Аналогова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. – К.: Вища школа. – 2004. –423 с.

  27. Схемотехніка електронних систем. Кн. 3. Аналогова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. – К.: Вища школа. – 2004. –423 с.



Критерії оцінювання відповідей вступників

на освітньо-кваліфікаційний рівень " магістр "

(спеціальність 8.05080101 - Мікро- та наноелектронні прилади і пристрої)


Під час фахового іспиту абітурієнт одержує три теоретичних питання згідно програми, затвердженої Міністерством освіти і науки України, готує відповіді на кожне питання на протязі відведеного, згідно правил прийому, часу. Після цього члени предметної комісії слухають відповіді кожного абітурієнта. Оцінювання відповідей проводиться за 200-бальною шкалою:

(176-200) балів виставляється :

а) коли студентом дані вичерпні змістовні відповіді на всі запитання, які поставлені в екзаменаційному білеті;

б) коли у відповідях на поставлені в екзаменаційному білеті запитання студент виявив глибоке розуміння фізичного змісту процесів та явищ, про які йдеться в запитаннях і сформулював відповіді своїми словами, а не за механічно завченою з підручника або посібника схемою.

(150-175) балів виставляється :

а) коли дані правильні відповіді на всі запитання екзаменаційного білета, але в окремих відповідях допущені незначні неточності при формулюванні закономірностей чи у записах аналітичних виразів (формул);

б) коли відповіді на поставлені в екзаменаційному білеті питання не досить повні.

(124-149) балів виставляється :

а) коли відповіді на всі запитання екзаменаційного білета правильні але не повні і становлять не більше 50% відповідного програмового матеріалу;

б) коли відповідь студента правильна і становить більше 50% програмового матеріалу, але містить суттєві помилки у формулюванні закономірностей та записах формул.

(1-123) бали виставляється :

а) коли у відповіді студента наявні грубі помилки, що свідчить про нерозуміння ним фізичного змісту процесів або явищ, про які йдеться у запитаннях екзаменаційного білета;

б) коли відповіді студента дуже поверхневі, уривчасті, непослідовні й неточні, та виявляють незнання студентом програмного матеріалу;

в) коли студент не відповів на всі запитання екзаменаційного білета.


Завідувач кафедри

фізики напівпровідників і наноструктур Савчук А.Й.


Затверджено

Вченою радою фізичного факультету протокол № __ від __ січня_ 2012 р.


Голова Вченої ради

фізичного факультету Гуцул І.В.



Схожі:

Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту України Національний університет фізичного виховання І спорту України лахно олена геннадіївна
Роботу виконано у Дніпропетровському державному інституті фізичної культури і спорту, Міністерство освіти і науки, молоді та спорту...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України icon­­­­Про формування варіативної складової
Міністерства освіти І науки, молоді І спорту України, схвалення відповідною комісією Науково–методичної ради з питань освіти Міністерства...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту України Національний університет фізичного виховання І спорту України арєшина юлія борисівна
Роботу виконано в Інституті фізичної культури Сумського державного педагогічного університету імені А. С. Макаренка, Міністерство...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту україни 01135, м. Київ, проспект Перемоги
Міністерство освіти і науки, молоді та спорту Автономної Республіки Крим, управління освіти і науки обласних, Київської та Севастопольської...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту україни національний університет фізичного виховання І спорту україни анікєєв дмитро михайлович
Роботу виконано в Національному університеті фізичного виховання І спорту України, Міністерство освіти І науки, молоді та спорту...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту України Національний університет фізичного виховання І спорту України бібік руслан вікторович
Робота виконана в Національному університеті фізичного виховання і спорту України, Міністерство освіти і науки, молоді та спорту...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту України Національний університет фізичного виховання І спорту України скомороха ольга станіславівна
Роботу виконано в Національному університеті фізичного виховання і спорту України, Міністерство освіти і науки, молоді та спорту...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту України Національний університет фізичного виховання І спорту України воробйова анастасія володимирівна
Роботу виконано у Національному університеті фізичного виховання і спорту України, Міністерство освіти і науки, молоді та спорту...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconФорма № н 04 міністерство освіти І науки, МОЛОДІ ТА СПОРТУ УКРАЇНИ міністерство освіти І науки, молоді та спорту автономної республіки крим рвнз «кримський гуманітраний університет» (м. Ялта) інститут економіки та управління кафедра затверджую

Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту україни національний університет фізичного виховання І спорту україни
Роботу виконано у Національному університеті фізичного виховання І спорту України, Міністерство освіти І науки, молоді та спорту...
Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України iconМіністерство освіти і науки, молоді та спорту України Національний університет фізичного виховання і спорту України
Роботу виконано в Національному університеті фізичного виховання і спорту України, Міністерство освіти і науки, молоді та спорту...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи