Міністерство освіти І науки україни icon

Міністерство освіти І науки україни




Скачати 129.92 Kb.
НазваМіністерство освіти І науки україни
Дата01.07.2012
Розмір129.92 Kb.
ТипДокументи

МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ

ВИЩА АТЕСТАЦІЙНА КОМІСІЯ


ПРОГРАМА

кандидатських іспитів зі спеціальності

05.27.06 – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки


ТИПОВА ПРОГРАМА

Кандидатського іспиту зі спеціальної дисципліни 05.27.06 "Технологія, обладнання і виробництво електронної техніки"


І. Технологія матеріалів електронної техніки


  1. Термодинаміка фазових рівноваг в системах рідина-тверде, рідина-пар, тверде-пар. Явища на кордоні розподілу фаз Р-Т-Х-діаграма. Термодинаміка фазових рівноваг в двох- та багатокомпонентних системах напівпровідникових твердих розчинів на основі сполук типу А3В5, А2В6, А4В6.

  2. Термодинаміка нерівноважних процесів. Процеси кристалізації. Термодинаміка незворотних процесів, теорія подібності, їх застосування до аналізу процесів тепло- та масопереносу в нерухомому середовищі. Конвективний тепло- та масоперенос в об'ємі та на поверхні рідини. Розподіл швидкості в перетині-потоку при ламінарному і турбу-лентному русі, прикордонні шари. Кінетика гетерогенних процесів.

  3. Механізми випаровування та конденсації, адсорбція, гетерогенне утворення ародків, анізотропні поверхні, гомо- гетеро- та графоепітаксія. Методи фізи-чного осадження з парової фази, технологія вирощування монокристалів з парової фази, молекулярно-променева епітаксія. Хімічне осадження з газової фази в процесах піролізу, відновлення і хімічних газотранспортних реакцій. МОС-гідридна технологія напівпровіникових сполук, кіненика газотранспортних процесів.

  4. Основні процеси, які проходять при плавленні та затвердінні, гомогенне гетерогенне за-родкоутворення при кристалізації з розплаву. Технологія вирощування монокристалів методами направленої кристалізації, Чохральського, Степанова, Вернейля, методами зонної плавки. Розподіл дефектів внаслідок порушень стехіометрії кристалів. Взаємодія дефектів. Методи дослідження розподілу дефектів.

  5. Розчинення і кристалізація З розчинів, діаграми стану розчинів, перерозподіл складу при затвердінні, концентраційне переохолодження. Технологія вирощування кристалів з розчинів в процесі примусового охолодження насиченого розчину-розплаву, в градієнті температури, при випаровуванні розчинника, в процесі пар-рідина-тверде. Рідко фазна епітаксія однокомпонентних та багатокомпонентних сполук і твердих розчинів на їх основі.

  6. Одержання кристалів високого ступеню чистоти, дефекти в кристалах, способи одержання структурно-досконалих кристалів та кристалів з заданими параметрами. Фізико-хімічні основи процесу легування. Легування при вирощуванні з розплаву, газової фази, розподіл домішок в легованих кристалах. Дефекти, зумовлені сторонніми домішкам. Вплив домішок на рівновагу власних дефектів. Методи одержання однорідно легованих кристалів, вирощування кристалів в магнітному полі.

  7. Одержання епітаксійних шарів високого ступеня чистоти, гомо- і гетероструктур з заданими параметрами на основі елементарних матеріалів та складних сполук. Дефекти в епітаксійних структурах і методи одержання структур з низьким вмістом дефектів. Низькорозмірні структури, нанотехнології. Одержання квантоворозмірних шарів, надграток, квантових ниток та квантових крапок. Технологія пористого кремнію.

  8. Фізико-хімічні основи одержання чистих матеріалів: класифікація, властивості чистих речовин, методи очищення. Процеси, які проходять при адсорбції, іонному обміні, хроматографії, екстракції, дистиляції, ректифікації, кристалізаційних методах очистки.


^ II. Обладнання і технологія одержання некристалічних


  1. Особливості склоподібного стану, скловаріння, технологія виготовлення виробів зі скла, методи: одержання плівок зі скла, скловолокна. Технологія халькогенідного cкла, гідрованих аморфних напівпровідників. Технологія світоводного волокна. Технологія та методи одержання аморфних матеріалів.

  2. Технологія керамічних матеріалів: приготування шихти, формування заготівок виробів, процеси термообробки, механізми спікання. Технологія керамічних високотемпературних надпровідників, п'єзокерамічні матеріали, феритова кераміка, ситали. Полімерні матеріали, матеріали для корпусів і підкладок інтегральних схем, герметизації виробів електронної техніки. Захисні покриття.

  3. Основні принципи і кінетика процесу термічного випаровування матеріалів, механізми конденсації плівкових структур. Катодне, іонно-плазмове, магнетронне та лазерне розпилення.


^ III. Технологія приладів електронної техніки



  1. Фізичні основи процесу іонного легування. Пробіг іонів у твердих тілах та їх розподіл. Дефекти іонно-імплантованих шарів і їх відпал. Параметри, які визначають режим процесу іонної імплантації. Легування іонним перемішуванням та імплантацією атомів віддачі. Трансмутаційне легування, легування радіаційними дефектами. Взаємодія лазерного випромінення з речовиною. Процеси відпалу дефектів та легування під дією лазерного випромінювання.

  2. Мезанізми і особливості дифузії в одно- та багатокомпонентних матеріалах. Дифузія при постійній поверхневій концентрації домішки та з обмеженого джерела. Локальна дифузія, дефекти в дифузійних шарах. Способи проведення і стимуляції дифузії. Контроль параметрів шарів. Кінетика процесу термічного окислення.

  3. Літографічні процеси. Механізми взаємодії світлових, рентгенівських і електронних потоків з полімерними матеріалами. Фоторезисти та їх властивості. Позитивні та негативні фоторезисти. Фотошаблони та вимоги, що пред'являються до них. Технологія фотолітографічного процесу. Особливості одержання мезаструктур. Види браку при фотолітографії та їх вплив на параметри приладів. Голографічні методи літографії. Сутність рентгенолітографії. Електронно-променева літографія.

  4. Виготовлення підкладок. Методи різки злитків на пластини, особливості шліфовки і поліровки. Контроль порушених шарів після механічної обробки. Очистка підкладок хімічним травленням. Лазерна та плазмохімічна обробка поверхонь підкладок. Обробка підкладок в кристалізаційному середовищі, технологія буферних шарів.

  5. Формування маскуючих та діелектричних плівок на поверхні підкладок. Термічне окислення кремнію та механізми росту плівок SіО2. Хімічне і електрохімічне окислення одно- та багатокомпонентних напівпровідникових матеріалів. Нанесення маскуючих плівок з газової фази, методи контролю їх параметрів.

  6. Технологія нанесення металевих плівок при вакуумному напиленні, хімічному та електрохімічному осадженні і методи контролю їх параметрів. Омічні контакти і вимоги, що пред'являються до них. Технологія виготовлення бар’єрів Шоттки і методи контролю їх характеристик. Проблеми металізації в технології дискретних напівпровідникових приладів та інтегральних схем.

  7. Технологічні дефекти кристалічної структура що вносяться при виготовленні приладів електронної техніки; Вплив дефектів, що вносяться на параметри приладів. Гетерування, основні методи та механізми гетерування домішок і дефектів.


^ IV. Елементи фізики напівпровідникових приладів


  1. Основи фізики р-n-переходу, вольтамперна та вольтємнісна характеристики. Технологія виготовлення сплавних, дифузійних, епітаксійних діодів, діодів, отриманих методом імплантації, та діодів на основі бар'єрів Шоттки. Діоди Ганна. НВЧ транзистори. Принцип роботи, основні характеристики та застосування випрямляючих діодів, імпульсних та НВЧ-діодів, діодів з накопиченням заряду, стабілітронів, варикапів, світлодіодів, фотодіодів, варисторів.

  2. Принцип дії, схеми підключення та основні характеристики біполярних транзисторів. Технологія пленарних дрейфових, гетероструктурних, варизонних біполярних транзисторів та біполярних транзисторів на гарячих носіях. Інтегральні схеми на біполярних транзисторах з ізольованим р-п-переходом, з діелектричною ізоляцією.

  3. Полеві транзистори з р-n-переходом, бор'єром Шоттки, ізольованим затвором на основі кремнію та сполук типу А3В5. Основні характеристики та технологія віготовлення по-левих транзисторів. Тонкоплівкові та гетероструктурні полеві транзистори з квантоворозмірним каналом. Основні типи інтергальних схем з полевими транзисторами та технологія їх виготовлення.

  4. Основні типи приладів функціональної електроніки: діоди Ганна, тунельні, лавино-прольотні діоди, оптрони, прилади з зарядовим зв'язком, акустоелектронні прилади, прилади на основі інтегральної оптики, магнітоелектроніки. Особливості їх виготовлення, основні характеристики та області застосування. :

  5. Прилади енергетичної електроніки: фотоелектричні перетворювачі сонячної енергії. Силові діоди, транзистори та тиристори на основі елементарних напівпровідників і сполук типу А3В5 та А2В6. Основні характеристики та технологія виготовлення. Прилади енергетичної електроніки з гетеропереходами, їх переваги та особливості технології виготовлення.

  6. Прилади сенсорної електроніки; основні типи, їх функції та параметри. Особливості технології виготовлення датчиків тиску, магнітного поля, температури, електромагнітного випромінювання, радіації, хімічного складу. Фотоприймачі на основі елементарних напівпровідників та сполук А3В5, А2В6, А4В6.


^ V. Виробництво матеріалів та приладів електронної техніки.


  1. Виробництво монокристалів напівпровідникового кремнію: технологічні процеси та обладнання для одержання технічного кремнію, синтезу, очистки хлорсиланів та моносилана кремнію; одержання полікристалічного кремнію-сирцю, кремнію високого ступеня чистоти методами безтигельної зонної плавки та для вирощування монокристалів з заданими параметрами методами Чохральського та Степанова.

  2. Виробництво монокристалів арсеніду галію: технологічні процеси та обладнання для одержання та очистки галію, миш'яку, синтезу арсеніду вирощування монокристалів арсеніду галію з заданими параметрами методами Чохральського та направленою кристалізацією. Одержання монокристалів бездислокаційного арсеніду галію. Структури діелектрик-арсенід галію.

  3. Виробництво епітаксійних структур: технологічні процеси та обладнання для виготовлення підкладок та обробки їх поверхні, вирощування епітаксійних структур кремнію та арсеніду галію методами відновлення хлоридів, піролізом гідридів і металорганічних сполук, молекурярнопроменевою та рідкофазною епітаксією. Тонкі шари з заданою неоднорідністю розподілу домішок. Кремній на діелектрику та кремній на сапфірі.

  4. Матеріали тонкоплівкової технології. Технологія провідних резистивних та діелектричних матеріалів. Отримання резистивних сплавів та їх властивості.

  5. Процеси товстоплівкової технології. Порошки і пасти для провідників і резисторів на основі паладію, срібла, золота, рутенію, іридію, кадмію.


^ VI. Обладнання для виробництва компонентів електронної техніки


  1. Виробництво приладів електронної техніки, основні стадії, класифікація застосовуваного обладнання, технологічна та конструкторська документація. Основи комплексної механізації та автоматизації виробництва приладів, автоматизовані поточні лінії, промислові роботи в виробництві виробів електронної техніки.

  2. Чисті виробничі приміщення, чисті виробничі зони, мінічисті об'єми. Очистка повітря, контроль температури, вологості та інших параметрів в чистих приміщеннях. Технологія та обладнання для очистки води та технологічних газів (водню, інертних газів), методи контролю їх чистоти.

  3. Виробництво, напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем та застосовуване обладнання; технологія і обладнання для виробництва планарних сплавних дискретних та інтегральних безкорпусних і корпусованих приладів, методи контролю їх параметрів.

  4. Параметри якості виробів :електронної техніки. Класифікація методів випробувань та обладнання для їх реалізації: випробування на стійкість до механічних, кліматичних, радіаційних впливів, випробування на надійність та довговічніть.

  5. Техніко-економічні показники технологічного та виробничого процесів. Вихід придатних виробів. Шляхи підвищення ефективності виробництва. Параметри ефективності наукових досліджень.

  6. Одно- і багатопозиційні установки вакуумного нанесення плівок. Внутрішньо камерне оснащення установок. Установки катодного, іонно-плазмового і магнетронного розпилення. Системи напівбезперервної та безперервної дії. Технологічне обладнання для виробництва тонко- та товстоплівкових ІС. Конвеєрні системи безперервної дії. Автоматичні установки контролю і підгонки плівкових елементів.

  7. Установки нанесення, ІЧ і НВЧ сушіння фоторизистів. Установки формування зображення, сполучення і контактного експонування проекційної фотолітографії електронно-променевого експонування, рентгенолітографії. Редукційні камери, генератори зображень і фотоповторювачі.

  8. Системи дифузійного легирування. Установки нарощування епітаксіальних шарів з вертикальним та горизонтальним реакторами.

  9. Установки молекулярно променевої епітаксії. Установки іонного легирування типу ВЕЗУВІЙ: різновиди, параметри і базові елементи.

  10. Установки скрайбування і розбраковки структур: на напівпровідникових пластинах і діелектричних підкладках.

  11. Гнучкі автоматизовані модулі (одно- і багатоопераційні) для монтажу кристалів, мікрозварювання і герметизації.

  12. Установки термокомпресійного і ультразвукового мікрозварюваня. Установка для  приєднання кристалів до стрічкових носіїв.

  13. Технологічне обладнання для герметизації.


VII. Контроль якості у виробництві електронної техніки


  1. Методи вимірювання електричних параметрів напівпровідників. Вимірювання питомого опору, рухливості та концентрації носіїв заряду. Способи вимірювання товщини епітаксійних шарів. Методи визначення профілю розподілу легуючих домішок. Вимірювання електрофізичних параметрів стуктур діелектрик-напівпровідник.

  2. Методи дослідження реальної структури кристалів, визначення фазового складу, параметрів ґратки. Методи вивчення дефектів.

  3. Дослідження поверхневих шарів монокристалів.

  4. Методи іонної та електронної спектроскопії та їх можливості для вивчення елементного складу поверхні та границь розділу у приладових структурах.

  5. Основні поняття якості, класифікація видів контролю радіоелектронної апаратури (РЕА), використання у виробництві. Види статистичного контролю виробництва РЕА.

  6. Використання технологічних тест-структур при вибірковому контролі виробництва.

  7. Операційний контроль у технології виробництва РЕА.

  8. Контроль друкованих плат. Методи і засоби операційного контролю у технології мікрозбірок і ІС.

  9. Приннципи побудови і загальні вимоги до організації систем управління якістю. Оцінка ефективності управління якістю.

  10. Автоматизовані системи контролю технологічних процесів виробництва РЕА. Апаратні засоби мікропроцесорних систем.

  11. Класифікація методів неруйнівного контролю (НК). Основні методи і засоби НК у виробництві ЕТ і мікроелектрониці: оптичні, радіохвильові, вихрострумові, електричні.

  12. Методи контролю і вимірювання параметрів напівпровідників: питомого опору, товщини пластин і епітаксійних шарів, концентрації та рухомості носіїв заряду. Контроль структури кристалічної ґратки. Класифікація і виявлення дефектів.

  13. НВЧ методи діагностики напівпровідників, резонатори і вимірювальні перетворювачі. Фотомодуляцїйний метод діагностики напівпровідників.

  14. Загальні принципи зменшення впливу заважаючих факторів при діагностиці напівпровідників.


VIII. Моделювання процесів твердотільних пристроїв електронної техніки


  1. Вимоги до математичних моделей моделювання електродифузійних і рекомбінаційних процесів у напівпровідникових структурах.

  2. Чисельне моделювання гіланарних біполярних напівпровідникових елементів.

  3. Особливості моделювання планарних МОН-елементів.

  4. Схемно-технологічне та фізико-топологічне моделювання напівпровідникових ІС.

  5. Моделювання пристроїв функціональної мікроелектроніки.

  6. Побудова і ієрархічні рівні і підсистеми САПР інтегральних схем (ІС), великих інтегральних схем (ВІС) та надвеликих інтегральних схем (НВС).


^ IX. Технологічні процеси в виготовленні електронних пристроїв на основі рідких кристалів


  1. Рідкі кристали, їх характеристика, електрооптичні ефекти в них. Типи електронних пристроїв на основі рідких кристалів.

  2. Технологія виготовлення рідкокристалічних електронних пристроїв. Створення прозорих електродів: хімічна очистка скляних пластин; матеріали для електропровідних покрить; способи нанесення прозорих електродів.

  3. Створення орієнтуючих покрить: механічні способи орієнтації; орієнтація за допомогою неорганічних і органічних плівок; орієнтація на сколах монокристалів; спеціальні методи створення рельєфу.

  4. Склеювання рідкокристалічних пристроїв, заповнення пакету пристроїв рідким криста-лом. Герметизація рідкокристалічних пристроїв. Монтаж поляризаційної оптики. Контроль структури рідкого кристалу і електрооптичних параметрів.


Література


  1. Крапухин В.В., Соколов И.А, Кузнецов Г.Д. Технология материалов электронной техники. - М: МИСИС, 1995 - 492 с.

  2. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых и диэлектрических мате-риалов. - М: Высшая школа, 1990 - 423.

  3. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. - М: Металлургия, 1988 - 574 с.

  4. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллических по-лупроводниках. - М: Металлургия, 1984 — 256 с.

  5. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств.- М: Радио и связь, 1991-528с.

  6. Тугов Н.М., Глебов Б.А., Чарыков Н.А. Полупроводниковые приборы. -М: Энергоатом-издат, 1990-575 с.

  7. Черняев В.Н. Технология производства интегральннх микросхем и микропроцессоров. - М: Радио и связь, 1987 — 464 с.

  8. Беляев А.И. Физико-химические основы очистки металлов и полупроводникових ма-териалов. — М: Металлургия, 1973 — 222 с.

  9. Девятых Г.Г., Еллиев Ю.Е. Глубокая очистка веществ.-М: Высшая школа, 1990 -192с.

  10. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М: Радио и связь, 1990-264 с.

  11. Технология СБИС: В 2-х кн./под ред. С. Зи. - М: Мир, 1986.

  12. Чистые помещения /под ред. И. Хоякавы. - М: Мир, 1990.

  13. Блинов И.Г., Кожитов Л.В. Оборудование полупроводникового производства, — М: Машиностроение, 1986.

  14. Двуреченский А.В., Качурин Г.А., Нидаев Е.В., Смирнов Л.С. Импульсний отжиг полу-проводниковых материалов. - М: Наука, 1982.

  15. Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника. Пер. с исп. Баскакова С.И./под ред. Терехова В.А. - М: Высшая школа, 1991 - 351 с.

  16. Тилл У., Лаксен Дж. Интегральные схемы. Материалы, прибоы, изготовление./пер. с англ. - М: Мир, 1995 - 501 с.

  17. Каур М., Густ В. Диффузия на границах зерен и фаз /пер. с англ. - М: Машиностроение, 1991 -445 с.

  18. Овсиенко Б. Зарождение и рост кристаллов из расплава. - К: Наук.думка, 1994-254 с.

  19. Стасевич В.Н. Технология монокристаллов. - М: Радио и связь, 1990 - 271 с.

  20. Готра З.Ю., Микитюк З.М. Структура жидких кристаллов. - Киев: Наук.думка, 1989- 109 с.

  21. Сухариер А.С. Жидкокристаллические индикаторы. - М: Радио и связь, 1991-254 с.

  22. Бешхем 3. Поверхности и границы раздела полупроводников. М: Мир, 1990.

  23. Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М: Мир, 1989.

  24. Бубенников А.Н., Садовников А.Д. Физико-топологическое проектирование биполяр-    ных элементов кремниевих БИС. М: Радио и связь, 1991.

  25. Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессо-      ров. М: Высшая школа, 1987.

  26. 26.Приборы для неразрушающего контроля материалов и изделий. В 2-х книгах. Кн.1/под ред. Клюева В.В. - 2-е изд., перераб. и доп. - М: Машиностроение, 1986.

  27. Бушминский И.П., Даутов О.Ш., Достанко Л.П. и др. Технология и автоматизация производства РЭА. Учебник для вузов. - М: Радио и связь, 1989

  28. Митрофанов С.П., Куликов Д.Д., Миляев О.Н. и др. . Технологическая подготовка      ГПС. Л: Машиностроение, 1987.

  29. Глудкин О.И., Обичкин .Ю.Г., Блохин В.Г. Статистические методы в технологии производства РЭА.- М.: Энергия, 1977.



Схожі:

Міністерство освіти І науки україни iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "А. С. Макаренко" Міністерства освіти І науки України
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "Василь Сухомлинський" Міністерства освіти І науки України
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "Софія Русова" Міністерства освіти І науки України
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconРішення про нагородження Нагрудним знаком ухвалюється Колегією Міністерства освіти І науки України, затверджується наказом Міністра І публікується в газеті "Освіта України"
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconРішення про нагородження Нагрудним знаком ухвалюється Колегією Міністерства освіти І науки України, затверджується наказом Міністра І публікується в газеті "Освіта України"
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconРішення про нагородження Нагрудним знаком ухвалюється Колегією Міністерства освіти І науки України, затверджується наказом Міністра І публікується в газеті "Освіта України"
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconМіністерство освіти І науки україни 01135, м. Київ, проспект Перемоги
Міністерства освіти і науки України від 17. 04. 2009 року №341 «Про затвердження Плану дій щодо вдосконалення викладання дисципліни...
Міністерство освіти І науки україни iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "Петро Могила" Міністерства освіти І науки України
Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської І севастопольської міських...
Міністерство освіти І науки україни iconМіністерство освіти І науки україни пр. Перемоги
Міністерство освіти і науки Автономної Республіки Крим, управління (департаменти) освіти і науки обласних, Київської і Севастопольської...
Міністерство освіти І науки україни iconМіністерство освіти І науки україни пр. Перемоги
Міністерство освіти і науки, молоді та спорту Автономної Республіки Крим, управління (департаменти) освіти і науки обласних, Київської...
Міністерство освіти І науки україни iconМіністерство освіти І науки україни пр. Перемоги
Міністерство освіти і науки, молоді та спорту Автономної Республіки Крим, управління (департаменти) освіти і науки обласних, Київської...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи