Міністерство освіти України icon

Міністерство освіти України




Скачати 83.81 Kb.
НазваМіністерство освіти України
Дата02.07.2012
Розмір83.81 Kb.
ТипДокументи


Міністерство освіти України


ТИПОВА ПРОГРАМА КАНДИДАТСЬКОГО ІСПИТУ ІЗ

СПЕЦІАЛЬНОСТІ

05.27.01

ТВЕРДОТІЛЬНА ЕЛЕКТРОНІКА










Основою програми по спеціальності є такі вузькі дисципліни: "Фізика напівпровідннків і діелектриків", "Фізика напівпровідникових приладів", "Технологія напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем", "Основи мікросхемотехніки", "Фізичні основи мікроелекгроніки”.

^ 1. Фізика напівпровідників

Природа хімічного зв'язку в напівпровідниках. Структура кристалів. Ідеальні і реальні кристали. Дефекти в кристалах. Властивості основних монокристалічних матеріалів мікроелектроніки.

Полікрасталічні і аморфні напівпровідники. Зонна теорія твердого тіла. Енергетичні спектри електронів у металах, напівпровідниках, діелектриках. Зона провідності і валентна зона. Ефективна маса електрона. Власні та домішкові на-півпровідники. Роль донорних та акцепторних домішок.

Основи статистичної фізики. Функція розподілу Фермі-Дірака. Концентрація електронів і дірок у зонах. Температурні залежності. Розподіл Больцмана. Критерій виродження електронного газу. Вироджені та невироджені напівпровідники.

Рекомбінація носіїв. Рекомбінація "зона-зона" і рекомбінація через домішки і дефекти. Теорія рекомбінації Шоклі-Ріда. Дифузійна довжина і час життя носіїв. Поверхневарєкомбінація.

Електропровідність напівпровідників. Носії заряду в слабкому електричному полі. Взаємодія з фононами, домішковими атомами, дефектами. Рухливість електронів і дірок. Умова електронейтральності. Дифузія і дрейф носіїв заряду. Співвідношення Ейнштейна. Носії заряду в сильному електричному полі Гарячі електрони. Лавинне помноження в напівпровідниках. Електричні домени і струмові шнури. Ефект Ганна

Рівняння для густини електричного струму в напівпровідниках. Рівняння неперервності. Рівняння Пуассона.

Елекгронво-дірковнй (р-п) перехід. Інжекція і екстракція неосновних носіїв заряду. Вольт-амперна характеристика р-п переходу. Струми носіїв заряду в р-п переході, квазірівні Фермі. Коефіцієнт інжекції. Генерація та рекомбінація носіїв у р-п переході. Бар'єрна і дифузійна ємності. Пробій р-п переходу: тепловий, лавинний, тунельний.

Гетеропереходи. Контакт метал-напівпровідник. Омічний і випрямляючий переходи Шотткі.

Поверхневі стани. Структури метал-діелектрик-напівпровідник (МДН). Польовий ефект у МДН-структурах. Емність МДН-структур.

Теплопровідність напівпровідників. Термоелектричні явища. Ефект Холла.

Поглинання випромінювання у напівпровідниках. Власне та домішкове поглинання випромінювання, поглинання екситонами та вільними носіями. Фотопровідність. Спектральні характеристики фотопровідності. Інші види внутрішнього фотоефекту.

Ефекти випромінювання у напівпровідниках. Прямі та непрямі переходи носіїв заряду. Види люмінесценції: інжекційна, катодо-, фото­люмінесценція. Електролюмінесценція порошкових та плівкових напівпровідників. Основні матеріали оптоелектроніки: сполуки А'В5 і А2В6.

Електро-, магніто- і акустооптичні ефекти в твердих тілах.

^ 2. Прилади твердотільної електроніки і мікроелетроніка

Напівпровідникові діоди. Основні параметри і характеристики діодів, їх залежність від температури і режиму. Еквівалентні схеми. Імпульсні і частотні властивості діодів.

Випрямляючі та імпульсні діоди. Діоди з накопиченням заряду. Варікапи. Стабілітрони. Тунельні та обернені діоди. Лавинно-пролітні діоди. Діоди Шотткі. Діоди Ганна. Діоди для СВЧ.

Біполярні транзистори. Структура і принцип дії. Розподіл носіїв у областях транзисторів. Ефект Ерлі. Основні параметри і характеристики транзисторів, їх залежність від температури і режиму. Еквівалентні схеми і математичні моделі транзистора: мо-делі Еберса-Молла, Лінвілла, зарядова.Імпульсні і частотні властивості транзисторів. Робота транзисторів при високому рівні ін-жекції. Пробій транзистора і перекриття переходів. Шуми в транзисторах. СВЧ-транзистори.

Тиристори, принцип їх дії і класифікація. Основні параметри і характеристики.

Польові транзистори МДН, з р-п переходом і з бар'єром Шотткі. Принцип дії. Модуляція глибини каналу. Основні параметри і характеристики польових транзисторів. Еквівалентні схеми польових транзисторів. Частотні та імпульсні властивості польових транзисторів. Шуми польових транзисторів у диапазоні низьких частот і на СВЧ. МДН транзистори з індукованим та вбудованим каналами. МДОН-структури.

Інтегральні мікросхеми. Елементи ІС: транзистори, конденсатори, конденсатори в складі ІС. Класифікація ІС за конструктивно-технологічними та функціональними ознаками. Цифрові і аналогові ІС. Напівпровідникові ЗП і мікропроцесори. Біполярні ТТЛ, ЕСЛ і І2Л-схеми, МДН-ІС: з р- і п-каналамн, К/МОН. Основні різновиди матричних ВІС і НВІС. Принципи побудови та системотехнічні можливості ПЛІС і ПЛМ.

Прилади з зарядовим зв'язком. Принцип дії. Основні параметри і області застосування.

Оптоелектронні прилади. Призначення і області застосування. Фотоприймачі: фотодіоди, фототранзистори, фоторезистори, лавинні фотодіоди. Основні параметри і характеристики: фоточутливість, виявна здатність, швидкодія. Сонячні батареї. Напівпровідникові випромінювачі: світлодіоди і лазери. Прилади для систем відображення інформації. Оптрони і оптоелектронні інтегральні мікросхеми.

Термоелектричні і гальваномагнітні напівпровідникові прилади. Твердотільні давачі, разом з мікроелектронними перетворювачами інформації.

Акустоелектроніка, магнітоелектроніка, кріоелектроніка (загальні поняття). Функціональна електроніка.

^ 3. Технологічні процеси у виробництві напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем

Визначення кристалографічної орієнтації напівпровідників. Орієнтоване різання, шліфування та полірування пластин. Станки для механічної обробки напівпровідників.

Хімічне травлення і хімічне полірування германію, кремнію і арсеніду галію. Хіміко-механічне полірування. Фінішне очищення пластин. Методи контролю якості очищення.

Планарна технолгія. Фізичні основи процесу дифузії. Основні рівняння. Граничні умови і розрахункові формули для найважливіших - окремих випадків дифузії. Практичні методи проведення дифузійних процесів. Структурні схеми дифузійних печей.

Методи одержання електронних та іонних пучків. Іонне легування. Плазмохімічні та іонно-плазмові методи обробка напівпровідникових, діелектричних і металічних шарів. Дефекти, що вносяться електронно-іонною обробкою, їх усунення. Конструктивні схеми основних типів обладнання для електронно-іонної та іонно-хімічної обробки.

Епітаксія. Практичні методи епітаксиального нарощування. Методи контролю епітаксиальних шарів. Розподіл домішок в епітаксиальному гетеропереході. Вирощування епітаксіальних плівок А3В5. Обладнання для епітаксіального нарощування плівок. Порівняння газотранспортної, рідкофазної та молекулярної епітаксій.

Термічне окислення кремнію в парах води, в сухому та вологому кисні; розпилення і конденсація окислів кремнію у вакуумі; анодне окислення; хімічне осадженая окислу з газової фази. Маскуюча здатність плівок двоокису кремнію. Заряджені домішки в плівках, методи зміни заряду плівок. Плівки нітриду кремнію.

Одержання тонких плівок термічним випаровуванням у вакуумі. Іонно-плазмове розпилення. Хімічне осадження з газової фази. Обладнання для одержання тонких плівок. Матеріали тонкоплівкової технології.

Фотолітографія. Основні типи обладнання для фотолітографії. Проекційна фотолітографія, електронолітографія та рентгенолітографія. Фотошаблони та їх виготовлення. Дефекти мікросхем, пов'язані з фотолітографічними процесами.

Основи конструювання структури напівпровідникових ІС. Методи ізоляції елементів. Ізопланарна технологія, епік-процес, технологія "кремній на ізоляторі". Структура і властивості елементів ІС.

Зборка і монтаж напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем. Корпуси напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем. Методи герметизації. Безкорпусні прилади. Методи відводу тепла в потужних напівпровідникових приладах.

Тенденція розвитку планарної технології. Субмікронна технологія.


^ 4. Питання забезпечення якості та надійності напівпровідникових приладів та інтегральних мікросхем

Організація контролю якості напівпровідннкових приладів та інтегральних мікросхем. Методи вимірювання статичних, дінамічних та імпульсних параметрів. Методи вимірювання шумових характеристик напівпровідникових приладів. Методи контролю ВІС та НВІС.

Види виробничих випробувань. Кількісні характеристики надійності. Експлуатаційна надійність. Надійність елементів ІС. Класифікація та основні види відмов. Механізми відмов. Статичні та фізичні методи аналізу та прогнозування відмов. Методи підвищення надійності напівпровідникових приладів та ІС. Дія радіації на напівпровідникові прилади та мікросхеми.

Література


1. У.Тилл, Дж.Лаксон. Иитегральные схемы. Матерриалы, прибоы, изготовление: Пер. с англ. под ред. М.В. Галь-перива.- М.: Мир,.985.- 501 с.

2. А. Блихер. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов: Пер. с англ. под ред. И.В. Грехова.- Л.: Знерго-атомиздат. Ленингр. Отд-ние, 1986.-248 с

3. Курносов А.Й., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Учеб. пособие для вузов по спец. "Полупроводники и диэлектрики" и "Полупроводниковые прнборы".- 3-є изд., перераб. и доп.- М.: Высшая школа, 1986.- 368 с.

4. Арсенид галия в мнкроэлектронике: Пер.с англ.с сокращ. и доп. Под ред. Айнспрука, У.Уиссмена.-М.: Мир, 1988,- 223 с.

5. Р. Маллер, Т.Кейминс. Злементы интегральных микросхем: Пер. с англ.- М.: Мир, 1989.- 630 с.

  1. Бодаренко В.М., Захарова С.В. Расчет ИС на МДП-структурах с нспользованием дискретных моделей для ме-тода СКП.- К.: изд. 1990.- 25 с.

  2. Абрамов И.И., Харитонов В.В. Численное моделирование алементов иитегральных схем.- Минск: Вышэйш.шк. 1990.- 223 с.

8. Готра З.Ю., Бобицький Я.В. Лазерні методи обробки в мікроелектроніці.- Львів: Світ, 1991.- 166 с.

9. Интелектуальные интегрированные САПР РЭА и БИС: Сб. науч. тр.. АН СССР, Ин-т автоматизации проектирова-ния.-М.: Наука, 1990.-124 с.

  1. Крюков Ю.Г., Ус Н.А. Схемотехника и автоматизация проектирования линейных интегральных схем с инжекционным питание.- Воронеж, 1990.- 168 с.

  2. Михайлов С.А. Проектирование матричних свнрхбольших интегральных схем.- К: Техника, 1991.-143 с.

12. Моро Уэйн. Микролитография: Принципы, методы, материалы. (в 2 частях).- Мир, 1900.- 4.1 - 606 а, ч.2 -1239 с.

13. Росадо Л. Физическая злектроника в микроэлектронике, М.: Высш. шк., 1991.- 330 с.

14. Румак Н.В. Компоненты МОП-интегральных микросхем.- Минск: Навука і тэхніка,1991.-311с.

15. Технология полупроводниковых приборов н изделий микроелектроники: в 10 кн.- М.: Высш.шк.,-1990.

16. Черняев АВ. Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия- М.: Радио в связь, 1990.- 85 с.

17. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника.- М.: Радио и связь .1990.- 495 с.

18. Березин А.С, Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем.- М.: Радио и связь, 1992.- 320 с.

19. Прохоров Э.Д Твердотельная электроника: Текст лекций.- X: ХГУ, 1991.-ч.З.-109 с.

Схожі:

Міністерство освіти України iconМіністерство освіти І науки України Департамент міжнародного співробітництва та європейської інтеграції
Міністерство освіти І науки України інформує, що Федеральним агентством з питань освіти Російської Федерації для громадян України...
Міністерство освіти України iconМіністерство освіти І науки україни 01135, м. Київ, проспект Перемоги
Міністерства освіти і науки України від 17. 04. 2009 року №341 «Про затвердження Плану дій щодо вдосконалення викладання дисципліни...
Міністерство освіти України iconМіністерство освіти І науки україни міністерство охорони здоров’я україни сумський державний університет медичний інститут факультет післядипломної медичної освіти
Етіопатогенез виразкової хвороби шлунка та дванадцятипалої кишки
Міністерство освіти України iconМіністерство освіти І науки україни міністерство охорони здоров’я україни сумський державний університет медичний інститут факультет післядипломної медичної освіти
Механічне подразнення назостравохідним зондом і трахеостомічною трубкою
Міністерство освіти України iconПоложення про Міністерство освіти І науки України, далі Замовник, І (назва установи, організації, підприємства, його підпорядкованість, місце знаходження) в особі, (посада, піб)
Сторони, Міністерство освіти І науки України в особі заступника міністра Стріхи Максима Віталійовича, який діє на підставі Положення...
Міністерство освіти України iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "А. С. Макаренко" Міністерства освіти І науки України
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти України iconМіністерство освіти І науки, молоді та спорту україни міністерство охорони здоров’я україни сумський державний університет медичний інститут факультет післядипломної медичної освіти
Оптимізація хірургічного лікування ушкоджень селезінки з урахуванням архітектоніки її судин
Міністерство освіти України iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "Василь Сухомлинський" Міністерства освіти І науки України
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти України iconПоложення про нагородження нагрудним знаком "Софія Русова" Міністерства освіти І науки України
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Міністерство освіти України iconМіністерство освіти та науки України Міністерство освіти та науки України
Орієнтований перелік пріоритетних складових для використання при оцінці екологічних ризиків
Міністерство освіти України iconРішення про нагородження Нагрудним знаком ухвалюється Колегією Міністерства освіти І науки України, затверджується наказом Міністра І публікується в газеті "Освіта України"
Міністерству освіти І науки України Міністерство освіти І науки Автономної Республіки Крим, управління освіти І науки обласних, Київської...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи