3 Хімічний зв’язок icon

3 Хімічний зв’язок




Назва3 Хімічний зв’язок
Сторінка4/4
Дата12.07.2012
Розмір0.65 Mb.
ТипДокументи
джерело
1   2   3   4
1. /219_КЛ_Ч.2_Будова речовини_Марченко Л._/Часть 2.doc
2. /219_КЛ_Ч.2_Будова речовини_Марченко Л._/титулка.doc
3 Хімічний зв’язок
До друку та в світ

Рисунок 11 – Елементарна комірка кристалічної решітки



Певна зовнішня форма кристалів є наслідком їх внутрішньої структури, що пов’язана з кристалічною решіткою.


Кристалічна решітка –це просторова сітка вузлів,

як у процесі створення паралельно розміщуються

у просторі і в яких можуть розміщуватися

атоми, іони або молекули речовини.


Основою кристалічної решітки є елементарна комірка – паралелепіпед з характерними для цього типу решітки гранями а, b, с і кутами між ними , , , які збігаються з кристалографічними параметрами даного кристала. Спрощено елементарну комірку можна визначити як найменшу частину кристалічної решітки, яка ще виявляє характерні особливості її кристалів. Якщо взяти велику кількість елементарних комірок і заповнити ними щільно одна до одної певний об’єм, зберігаючи паралельність граней та ребер, то утвориться монокристал ідеальної будови. Але найчастіше спостерігаються полікристали, в яких регулярні структури існують у певних межах, за якими орієнтація регулярності різко змінюється.

Залежно від співвідношення довжин ребер а, b, с і кутів , ,  між гранями елементарної комірки розрізняють сім систем або сингоній кристалів (табл. 5).

Однак елементарна комірка може бути побудованою й таким чином, що вона має додаткові вузли, які розміщуються всередині її об’єму чи на її гранях – такі решітки називаються відповідно об’ємно-центрованими і гранецентрованими, тому існує всього 14 типів кристалічних решіток.


Таблиця 5 - Характеристики кристалічних сингоній


Сингонія

Співвідношення кристалографічних осей

Кут між осями

Кубічна


А=b=с

===900

Тетрагональна


А = b с

===900

Ромбічна


А  b с

===900

Моноклінна


а  b с

==900, 900

Триклінна


а  b с

900

Гексагональна


а = b с

==900, =1200

Ромбоедрична


а = b =с

==900


Зовнішня форма і особливості внутрішньої будови кристалів визначаються принципом найщільнішого “пакування”:


Найбільш стійкою, а тому й найбільш імовірною

структурою є така, що відповідає найбільш

щільному укладенню частинок у кристалі і в

якій залишається найменший за об’ємом вільний

простір.


4.5.4 Типи кристалічних решіток


Залежно від природи частинок, що містяться у вузлах кристалічної решітки, а також від характеру сил взаємодії між ними, розрізняються чотири основні типи кристалічних решіток.

Іонні решітки побудовані з різнойменних іонів, які розміщені у вузлах решітки і пов’язані силами електростатичного притягання. Тому структура іонної кристалічної решітки повинна забезпечити їхню електронейтральність. Іони можуть бути простими (Na+, Cl-) або складними (NH4+, NO3-). Внаслідок ненасиченості і ненапрямленості іонного зв’язку іонні кристали характеризуються великими координаційними числами.


Координаційним числом називається число

однакових найближчих частинок, розміще-

них на найкоротшій відстані від даної частинки.


Так, у кристалах NaCl координаційне число іона Na+ та іона Cl- дорівнює 6, а іонів Cs+ i Cl- у кристалі CsCl – 8.

Речовини з іонними кристалічними решітками мають порівняно високу твердість, вони достатньо тугоплавкі та малолеткі. Електричний струм проводять не лише їх розплави, але й розчини, оскільки більшість іонних сполук легко розчиняються і дисоціюють у полярних розчинниках. На відміну від металів іонні сполуки дуже крихкі, тому що навіть невеликий зсув у кристалічній решітці наближає один до одного однойменно заряджені іони, відштовхування між якими призводить до розриву іонних зв’язків і як наслідок - до появи у кристалі тріщин або до його руйнування.

Атомні решітки побудовані з атомів, пов’язаних між собою ковалентним зв’язком. Вони, в свою чергу, поділяються на три типи: каркасні, шаруваті та ланцюжкові структури.

Каркасну структуру має, наприклад, алмаз – одна з найтвердіших речовин. Завдяки sp3- гібридизації атома вуглецю будується тримірна решітка, яка складається виключно з атомів вуглецю з однаковими зв’язками і однаковими валентними кутами між ними.

Шаруваті структури можна розглядати як двомірні молекули. Ці структури характеризуються ковалентними зв’язками всередині кожного шару і слабкою вандерваальсівською взаємодією між шарами. Класичним прикладом речовини з шаруватою структурою є графіт, в якому кожен атом вуглецю перебуває в стані sp2- гібридизації і утворює в одній площині три ковалентні -зв’язки з трьома іншими атомами вуглецю. Четвертий валентний електрон кожного атома вуглецю нелокалізований, тому ці електрони утворюють слабкі вандерваальсівські зв’язки між шарами. Тому якщо прикласти навіть невеличке зусилля, шари легко починають ковзати один вздовж одного. Цим пояснюється, наприклад, властивість графіту писати. На відміну від алмазу графіт добре проводить електрику: під впливом електричного поля нелокалізовані електрони можуть переміщатися вздовж площини шарів, і, навпаки, у перпендикулярному напрямку графіт майже не проводить електричного струму.

Ланцюжкові структури характерні, наприклад, для оксиду сірки (У1), яка кристалізується у вигляді тонких блискучих голок (SO3)n, а також для багатьох аморфних полімерів і для деяких силікатних матеріалів, таких, як азбест.

Речовин з атомною будовою кристалічних решіток порівняно небагато. Усі вони характеризуються високою твердістю, тугоплавкістю і нерозчинністю практично ні в яких розчинниках. Такі їх властивості зумовлені міцністю ковалентного зв’язку.

Металічні решітки містять у вузлах атоми металів, між якими вільно рухаються спільні для всіх атомів електрони, що утворюють металічний зв’язок. Особливість кристалічних решіток металів полягає у великих координаційних числах (8-12), які свідчать про велику щільність пакування атомів металів. Це пояснюється тим, що “остови” атомів, позбавлені зовнішніх електронів, укладаються у просторі як кульки однакового радіусу. Для металів характерні три типи кристалічних решіток: кубічна гранецентрована з координаційним числом 12, кубічна об’ємно центрована з координаційним числом 8 і гексагональна найщільніша упакування з координаційним числом 12.

Особливі характеристики металічного зв’язку і металічних решіток зумовлюють такі найважливіші властивості металів, як високі температури плавлення, електро- і теплопровідність, ковкість, пластичність.

У вузлах молекулярних решіток розміщені молекули, пов’язані між собою слабкими міжмолекулярними силами – вандерваальсівськими чи водородними зв’язками. Наприклад, лід складається з молекул води, що утримуються у кристалічній решітці водородними зв’язками. До такого самого типу належать кристалічні решітки твердих Н2, О2, N2, галогенів, СО2, усіх благородних газів та багатьох органічних сполук. Оскільки сили міжмолекулярної взаємодії слабкіші, ніж сили ковалентного або металічного зв’язку, молекулярні кристали мають невелику твердість; вони легкоплавкі та леткі.


4.5.5 Будова реального кристала


Кристалічний стан речовини характеризується жорстко закономірним розміщенням частинок у кристалічній решітці, який періодично повторюється і відповідає мінімальному значенню енергії системи, що узгоджується з наявністю ближнього і дальнього порядків. Кристал з таким розміщенням частинок називається ідеальним. Однак кожний реальний кристал має цілий ряд відхилень від досконалої структури, які мають назву дефектів кристалічної решітки. Вони утворюються у процесі зростання кристала внаслідок нерівноважності умов зростання і наявності домішок, а також під впливом механічних і теплових дій, електричних і магнітних полів або під дією іонізуючого випромінювання.

За походженням дефекти в кристалах поділяються на мікродефекти (порушення в періодичності розміщення частинок у кристалічній структурі) і макродефекти (тріщини, укорінення молекул газу або маточного розчину).

За своєю природою дефекти кристалічної структури поділяються на електронні і атомні.

Електронні дефекти. До них належать надлишкові електрони провідності в кристалі та незаповнені валентні зв’язки або вакантні орбіталі – позитивні дірки. Для кристала, який перебуває у стані рівноваги, кількості електронів провідності і позитивних дірок однакові. Саме електрони і дірки зумовлюють електропровідність твердих речовин. За певних умов, за наявності у кристалі хімічних домішок, що входять до його структури, кількість електронів і дірок може не збігатися – такий стан спостерігається у напівпровідниках.

Атомні дефекти поділяються на точкові, лінійні (або дислокації), поверхневі і об’ємні.

Основний тип – точкові дефекти, які існують у вигляді вакантних вузлів кристалічної решітки (вакансій), у вигляді зміщення частинки з вузла кристалічної решітки у простір між вузлами (дефект укорінення) або у вигляді проникнення чужорідних атомів чи іонів у кристалічну решітку (тверді розчини). В іонних кристалах вакансії повинні бути скомпенсовані таким чином, щоб кристал у цілому був електронейтральним, тому точкові дефекти в кристалі виникають парами та бувають різнойменно заряджені. Комбінація однакових кількостей катіонних і аніонних вакансій – дефект за Шотткі (рис.12а), вакансія у сполученні з укоріненим катіоном – дефект за Френкелем (рис.12б).


+ - + - + - + - + - +


- - + - + - - + - +


+ - + - + - + - + - + -


- + + - + - + - + +


+ - + - + - - + - + -


+ + - + + - + + - +


а б


Рисунок 12 – Точкові дефекти в іонних кристалах:

а – дефекти за Шотткі; б – дефекти за Френкелем;, - - вузли кристалічної решітки; - вакансія; - катіон укорінення


Відносний вміст вакансій у кристалах порівняно невеликий (~ 10-12 %), але швидко збільшується при підвищенні температури (~ 10-5 % при 600 К). Незважаючи на це, дефекти за Шотткі і Френкелем суттєво впливають на стехіометрію твердих речовин, зумовлюючи існування сполук змінного складу і впливаючи на електропровідність, механічну міцність, оптичні та інші фізичні властивості кристалічних речовин.

Лінійні дефекти, або дислокації, виникають у місцях обриву площин кристалічної решітки (крайові дислокації), при закручуванні цих площин (гвинтові дислокації), а також при послідовному поєднанні точкових дефектів (ланцюжкові дислокації). Дислокації можуть переміщатися у тілі кристала, накопичуватися на ділянках найбільших напружень, а також виходити на поверхню і порушувати поверхневий шар.

Наявність дислокацій та їх рухливість викликають зміну пластичності кристалів, зумовлюють напруження і можуть призводити до повного руйнування структури.

Поверхневі дефекти утворюються між двома кристалічними поверхнями, що повернуті і зміщені одна відносно одної; при неправильній упаковуванні частинок у шарі; на межі укорінень іншої фази у вигляді мережі дислокацій.

Об’ємні дефекти –це нагромадження вакансій, порожнеч, пор, каналів усередині кристала; частинки, що вкоренилися у кристал під час його створення (розчинник, бульбочки газу), зародки нової кристалічної фази, які виникають за рівноважних умов існування кристала.

Дефекти будь-якого типу впливають на властивості кристалів, зокрема на механічну міцність . Разом з тим для проведення багатьох гетерогенних процесів буває потрібне тверде тіло з дуже розвиненою внутрішньою поверхнею внаслідок існування мережі каналів, пор, тріщин, тому для одержання таких кристалічних речовин використовуються спеціальні методи створювання об’ємних дефектів. Регулювання кількості дефектів кристалічної решітки дозволяє змінювати певні хімічні і фізичні властивості речовин у потрібному напрямку, що, в свою чергу, дозволяє отримувати нові типи матеріалів з наперед заданими ознаками.


4.5.6 Основи зонної теорії


Властивості твердого тіла залежать від електронної структури та особливостей взаємодії всіх його елементів і ядер, для описування яких використовується спрощена модель за назвою зонної теорії твердого тіла.


Зонною теорією називається метод молекулярних

орбіталей, розповсюджений на ансамбль частинок,

що пов’язані у кристалі.


Згідно з методом МО взаємодія атомів приводить до виникнення зв’язувальних і розпушувальних молекулярних орбіталей, тобто атомні енергетичні стани розщеплюються на молекулярні. Вже при взаємодії двох однакових атомів дискретні атомні енергетичні рівні перетворюються на одну зв’язувальну і одну розпушувальну орбіталі, причому енергія зв’язувальної орбіталі менша, а енергія розпушувальної орбіталі більша, ніж енергія орбіталей ізольованого атома. У системі, що складається з 1 моль атомів, кожен атомний енергетичний стан розщеплюється на NA молекулярних станів (NA=6,021023), оскільки утворюється NA молекулярних орбіталей. Завдяки дуже великому числу сусідніх молекулярних орбіталей, вони енергетично настільки близькі одна до одної, що зміна енергії електронів на NA молекулярних орбіталях являє собою безперервну смугу енергетичних рівнів – зону.


Енергетична зона – це сукупність великої кілько-

сті дуже близьких за енергією дискретних енерге-

тичних рівнів.

Загальна ширина енергетичної зони, тобто різниця між найнижчим і найвищим рівнями, не залежить від кількості атомів, а зумовлюється рівноважною відстанню між атомами у кристалі.

Енергетичні рівні, на яких містяться валентні електрони, утворюють валентну зону. Вільні енергетичні рівні, що розміщені енергетично вище валентної зони (а в деяких випадках і в її межах), формують зону провідності. Залежно від природи атомів і типу кристалічної решітки валентна зона і зона провідності можуть перекривати або не перекривати одна одну. В останньому випадку між ними виникає розрив – зона заборони. Залежно від типу атомних орбіталей (s,p, d, f) енергетичні зони кристалу поділяються на s-, p-, d-, f-зони. Орбіталі енергетичної зони заповнюються електронами як звичайні молекулярні орбіталі з урахуванням принципу Паулі та принципу найменшої енергії, тому максимальна кількість електронів у s-зоні дорівнює 2NA, у p-зоні - 6NA, у d-зоні - 10NA і у f-зоні - 14NA.

Хоч зонна теорія має описовий характер, вона дозволяє не тільки пояснити існування різних типів твердих тіл (провідників, напівпровідників, діелектриків), але й зрозуміти оптичні і магнітні властивості кристалів. Проте найважливіше значення зонної теорії полягає в тому, що вона надає можливість регулювати численні фізичні властивості твердих речовин і створювати на їх основі нові матеріали зі спеціальними властивостями.


4.5.7 Типи твердих тіл


Відповідно до ширини забороненої зони і характеру заповнення електронами валентної зони тверді тіла поділяються на діелектрики (ізолятори), напівпровідники та провідники.

Речовини, у яких ширина забороненої зони становить  0,1-4,0 еВ, належать до напівпровідників, а речовини з  > 4,0 еВ – до діелектриків. У провідників заборонена зона відсутня.

Провідники мають, як правило, частково заповнену валентну зону, яка перекривається із зоною провідності. Це зумовлює здатність валентних електронів вільно переміщуватися по об’єму кристала або напрямлено рухатися під дією зовнішнього поля. Відсутність забороненої зони у металів пояснюється тим, що в їх кристалах s- і p-зони перекриваються, а кількість валентних електронів надзвичайно мала порівняно з числом вільних орбіталей у валентній зоні.

Електрони валентної зони можуть вільно переходити з нижніх енергетичних рівнів, де вони перебувають у спареному стані, на вільні рівні, в тому числі й на вільні рівні зони провідності. Це й зумовлює високу електропровідність металів. Найвищу електро-провідність, з точки зору зонної теорії, мають метали, в яких кількість електронів у валентній зоні дорівнює числу електронних рівнів у зоні провідності. За цієї умови всі електрони можуть переходити у квазівільний стан і брати участь в перенесенні електрики. До металів з високою електропровідністю належать лужні метали (Li, Na, K), d-метали І групи (Cu,Ag,Au), а також метали II групи (Mg, Ca, Sr та Zn, Cd, Hg), у яких спостерігається перекривання валентної зони та зони провідності.

Діелектрики мають повністю заповнену валентну зону і значну ширину забороненої зони. Електрони валентної зони, навіть при сильному збудженні атомів (нагрівання, опромінювання тощо), не здатні подолати заборонену зону і перейти в зону провідності.

До діелектриків належать тверді речовини з кова-лентним (алмаз, кварц) або іонним типом зв’язку (оксиди MgO, Al2O3, TiO2, солі NaCl, CaF2 тощо).

Для іонних кристалів ширина забороненої зони перевищує 6еВ. У молекулярних кристалів енергетичні рівні локалізовані у межах молекул і енергетичні зони не виникають, тому такі речовини – діелектрики.

Напівпровідники займають проміжне положення між провідниками і діелектриками. Валентна зона у них заповнена повністю, а зона провідності містить невелику кількість електронів, за рахунок яких може відбутися перенесення електричного струму, що забезпечує n-про-відність (від лат. слова negative). Однак, якщо під дією зовнішнього електричного поля електрони з валентної зони переходять у зону провідності, на їх місцях виникають не повністю зайняті електронами енергетичні рівні – електронні вакансії, або дірки, кількість яких дорівнює кількості електронів. А у валентній зоні електрон, що розміщується поряд із діркою, переміщується на це вільне місце, тому виникає нова дірка, на яку переміщується наступний електрон, залишаючи дірку після себе, і т.д. Подібний дрейф електронів еквівалентний переміщенню дірок у протилежному напрямку. В електричному полі такі дірки поводять себе як позитивні заряди, але слід зауважити, що переміщення дірки – це не рух носія електричного заряду, а наслідок перескакування електронів. Це явище одержало назву р-провідності (від лат. слова - positive).

Усі напівпровідники можна поділити на прості і складні, а прості, в свою чергу – на власні і домішкові. Власним напівпровідникам (Si, Ge, Se, Te, B) притаман-на р-провідність. У домішкових напівпровідниках кількість електронів не дорівнює кількості дірок, тому що домішки, атоми яких містяться в кристалічній решітці основної речовини, можуть або віддавати електрони (донорні домішки), або захоплювати їх (акцепторні домішки). Наприклад, донорні домішки Р, As, Sb у кристалічній структурі германію віддають електрони, внаслідок чого електронна провідність таких напівпровідників перебільшує діркову. Якщо ж у кристалічну решітку германію ввести акцепторні домішки (Al, Ga, In), то діркова провідність такого напівпровідника переважатиме електронну.

Складні напівпровідники відрізняються нестехіометричним складом і містять одночасно донорні та акцепторні домішки. При близькості концентрацій донорних і акцепторних домішок напівпровідник називається зкомпенсованим. Залежно від того, який компонент є надлишковим, складний напівпровідник може виявляти провідність n- або p-типу.

До складних напівпровідників належать сполуки

р-елементів ІІІ групи з р-елементами У групи (GaP, InP, InSb), p-елементів ІІ групи з елементами УІ групи (ZnS, ZnTe, CdSe, CdS), p-елементів ІУ групи (ShC). Відомо багато напівпровідників більш складного складу

(GaAsxP1-x, InxGa1-xSb, ZnS1x). У подібних напівпровідни-ках варіювання провідності досягається за рахунок змінення співвідношення атомів металу і неметалу в кристалі. Знайдені напівпровідникові речовини й серед органічних сполук.

Напівпровідники широко застосовуються для виготовлення електронних приладів, що використо-вуються для перетворення та передачі інформації (діоди, транзистори, фото- і термоелектронні прилади), а також як лазерні матеріали, у голографії тощо.


4.6 Завдання для самоперевірки


  1. Як змінюється агрегатний стан речовини залежно від співвідношення потенціальної і кінетичної енергії частинок?

  2. Охарактеризуйте плазмовий стан речовини.

  3. Що являє собою діаграма стану речовини, з яких областей вона складається?

  4. У чому полягає фізичний зміст потрійної точки? Яка температура називається критичною?

  5. Опишіть модель ідеального газу.

  6. Як рівняння Ван-дер-Ваальса враховує властивості реального газу?

  7. За яких умов і чому допустимо використовувати рівняння Менделєєва-Клапейрона?

  8. Які сили називаються вандерваальсівськими? У чому суть орієнтаційної, індукційної і дисперсійної міжмолекулярної взаємодії?

  9. Порівняйте характер властивостей рідкого стану з властивостями твердого і газоподібного станів.

  10. Що таке поверхневий натяг рідин?

  11. Які матеріали належать до конструкційних, а які – до функціональних?

  12. Охарактеризуйте твердий стан речовини.

  13. Чим відрізняється аморфний стан твердої речовини від кристалічного?

  14. Визначте поняття анізотропії, поліморфізму, ізоморфізму.

  15. Визначте поняття кристалічної решітки, вузлів кристалічної решітки, елементарної комірки, монокристала, полікристала.

  16. Сформулюйте закон сталості гранних кутів і принцип найщільнішого пакування.

  17. Яка система використовується для описування форми кристалу, що таке сингонії?

  18. Охарактеризуйте іонні кристалічні решітки, наведіть приклади речовин. Що таке координаційне число?

  19. На які типи поділяються атомні кристалічні решітки?

  20. Які властивості металів та чому зумовлюються структурою металічної кристалічної решітки?

  21. У чому полягає різниця між будовою ідеального і реального кристалів?

  22. Що таке дефекти кристалічної решітки, на які типи вони поділяються?

  23. Охарактеризуйте типи атомних дефектів кристалічної решітки.

  24. Як зонна теорія пояснює електронну структуру твердих тіл?

  25. За яким принципом тверді речовини поділяються на певні типи?

  26. Чим з точки зору зонної теорії, зумовлюється висока електропровідність провідників?

  27. Що таке провідність n- i p-типів?

  28. На які групи і за якою ознакою можна поділити прості напівпровідники?

ЗМІСТ



3 Хімічний зв’язок……………………………………….. 3

3.1 Загальні положення . Природа хімічного зв’язку…. 3

3.2 Ковалентний зв’язок………………………………… 8

3.2.1 Метод валентних зв’язків………………………. 10

3.2.2 Валентність……………………………………….. 11

3.2.3 Механізм утворення ковалентного зв’язку…….. 14

3.2.4 Гібридизація атомних електронних орбіталей…. 15

3.2.5 Характеристики ковалентного зв’язку…………. 20

3.2.6 Властивості сполук з ковалентним зв’язком…… 27

3.3 Іонний зв’язок………………………………………. 27

3.3.1 Теорія іонного зв’язку……………………………. 28

3.3.2 Характеристики іонного зв’язку ……………….. 30

3.3.3 Структура і міцність іонних сполук……………. 32

3.4 Металічний зв’язок…………………………………. 35

3.5 Водневий зв’язок…………………………………… 37

3.6 Запитання для самоперевірки……………………… 41

3.7 Завдання для самостійної роботи………………….. 43

4 Будова газів, рідин і твердих тіл…………………….. 45

4.1 Агрегатний стан речовини………………………… 45

4.2 Газоподібний стан…………………………………. . 48

4.3 Міжмолекулярна взаємодія…………………………. 49

4.4 Рідкий стан речовини………………………………. 51

4.5 Будова і властивості твердих тіл……………………. 54

4.5.1 Твердий стан речовини…………………………… 54

4.5.2 Аморфний та кристалічний стан твердих речовин 55

4.5.3 Форма кристалів……………………………………. 58

4.5.4 Типи кристалічних решіток………………………... 60

4.5.5 Будова реального кристала………………………… 63

4.5.6 Основи зонної теорії ………………………………..66

4.5.7 Типи твердих тіл……………………………………. 68

4.6 Завдання для самоперевірки…………………………. 71
1   2   3   4

Схожі:

3 Хімічний зв’язок iconХімічний склад деяких конструкційних сталей

3 Хімічний зв’язок iconEcts – інформаційний пакет хімічний факультет
move to 0-16521314
3 Хімічний зв’язок iconРозв`язок олімпіадних завдань ( типу „ситуаційні задачі”)
Вони сприяють правильній організації мислення, що прискорює розв`язок задач, на відміну від „стихійного” методу розв`язку
3 Хімічний зв’язок iconПрограма з курсу "Вища, математика" Матриці. Визначники матриць. Системи рівнянь першої степені
Розв'язок системи "n" рівнянь з "n" невідомими, правило Крамера. Розв'язок І дослідження систем рівнянь першої степені методом повного...
3 Хімічний зв’язок iconПерелік питань Модуль Загальна та спеціальна вірусологія
Канонічні та неканонічні віруси. Морфологія, ультраструктура та хімічний склад вірусів
3 Хімічний зв’язок iconАкція хімічний факультет
Йдеться про побутові хімічні джерела електричного струму електричної ємності до 7 Ампер годин
3 Хімічний зв’язок iconЛекції
Десмургія. Визначення поняття “перев’язка” та “пов’язка”. Види пов’язок. Сучасні вимоги до перев’язочного матеріалу. Типи бинтових...
3 Хімічний зв’язок iconУ громадських будівлях, у тому числі в проектованій, розрізняють також
Й склад І взаємозв'язок формують на основі функціональних схем, в яких у вигляді прямокутників зображуються окремі елементи функціонального...
3 Хімічний зв’язок iconОснови біохімії ● Основи товарознавства продуктів харчування та сенсорний та фізико-хімічний аналіз продуктів харчування та косметичних засобів
Основи товарознавства продуктів харчування та сенсорний та фізико-хімічний аналіз продуктів харчування та косметичних засобів
3 Хімічний зв’язок iconХімічний квк
Ведучий Кожна команда привела з собою багато вболівальників. Вони зайняли свої місця у залі. Перед початком гри вивчемо з вболівальниками...
3 Хімічний зв’язок iconПленарне засідання наукової конференції 19 травня, 1000 актовий зал головного корпусу університету порядок денний
Радіо С. В., в о завідувача ндч, н с кафедри неорганічної хімії, хімічний факультет
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи