Затверджую icon

Затверджую




Скачати 184.76 Kb.
НазваЗатверджую
Дата04.06.2012
Розмір184.76 Kb.
ТипДокументи

Міністерство освіти і науки, молоді та спорту України

Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича


ЗАТВЕРДЖУЮ



Ректор                            С. В. Мельничук


“_____” ___________________ 2012 р.





ПРОГРАМА

ФАХОВОГО ІСПИТУ



для вступників на освітньо-кваліфікаційний рівень

“магістр”

(повна форма навчання)

галузь знань 0508 – Електроніка

спеціальність 8.05080201 – Електронні прилади та пристрої


Схвалено

Вченою радою фізичного факультету

Протокол №   5   від   31 січня    2012р.


Голова ради Гуцул І. В.


Чернівці-2012
^

ПРОГРАМА ДЛЯ ВСТУПНИКІВ


на здобуття кваліфікаційного рівня "Магістр"

Спеціальність 8.05080201 – Електронні прилади та пристрої

Фізичний факультет. Кафедра електроніки і енергетики


^ Технологічні основи електроніки

Класи чистоти і категорії поділу виробничих технологічних приміщень за мікрокліматом. Забезпечення вимог класів чистоти і категорії мікроклімату у технологічних приміщеннях. Використання води в технологічних операціях і вимоги до її чистоти. Опишіть процес отримання деіонізованої води. Вимоги до чистоти матеріалів напівпровідникового виробництва. Позначення і способи вираження класів чистоти. Методи очистки матеріалів від домішок за допомогою кристалізації з розплавів. Рівноважний та ефективний коефіцієнти розподілу. Формування діелектричних шарів SiO2 на поверхні кремнію методом термічного окислення та чинники, що впливають на швидкість росту шару. Опишіть процес введення домішкових атомів методом іонної імплантації.


^ Матеріали і компоненти електроніки

Основні властивості та застосування металів високої електропровідності та сплавів високого опору в електронній техніці. Явище надпровідності, основні властивості та застосування надпровідних матеріалів в електронній техніці. Основні властивості та застосування тугоплавких металів в електронній техніці. Основні властивості та застосування германію в електронній техніці. Основні властивості та застосування кремнію в електронній техніці. Основні властивості та застосування арсеніду галію в електронній техніці. Будова, властивості і застосування високочастотних та низькочастотних полімерних матеріалів в електронній техніці.


^ Вступ в електроніку

Принцип роботи та схема найпростішого підсилювача інформаційних сигналів. Принцип роботи та схема найпростішого генератора гармонійних електричних сигналів.


^ Вакуумні та кріогенні системи

Вимірювання величини тиску за допомогою теплових та електронних перетворювачів. Ротаційні пластинчасті, дифузійні та кріоадсорбційні насоси. Посудини для зберігання рідкого гелію і пристрої для вимірювання рівня, чистоти і швидкості випаровування гелію, сифони.


^ Фізика твердого тіла

Тверді та аморфні тіла. Типи твердих тіл (ідеальні монокристали, монокристали з дефектами, полікристали). Типи міжатомної взаємодії (ковалентний, іонний, металевий, Ван-дер-ваальсівський зв’язки). Кристалічна гратка твердих тіл. Типи кристалічних сингоній і комірок Браве.


^ Фізичні основи електроніки

Температурна залежність концентрації електронів в напівпровіднику n-типу. Температурна залежність електропровідності для напівпровідника n-типу. Температурна залежність рухливості, механізми розсіювання електронів. Термоерс і ефект Холла в напівпровідниках. Механізми оптичного поглинання в напівпровідниках.


^ Твердотільна електроніка

Електронно-дірковий перехід. Утворення. Енергетична діаграма p-n-переходу у рівноважному стані. Контактна різниця потенціалів. Робота p-n-переходу при постійній зовнішній напрузі. Енергетичні діаграми. Вольт-амперна характеристика ідеального p-n-переходу. Вплив товщини базових областей на ВАХ. Бар’єрна і дифузійна ємність p-n-переходу. Пробій p-n-переходу. Види пробою та умови його виникнення. Тунельний діод. Утворення. Енергетичні діаграми та ВАХ. Методика визначення параметрів p-n-переходу з досліджень вольт-фарадних характеристик.


^ Фізична електроніка

Структур тонких плівок. Дефекти в тонких плівках. Плівкові елементи ІМС (плівкові резистори, конденсатори, індуктивності). Плівкові датчики (датчики Холла, температури). Тонкоплівкові сонячні елементи. Охарактеризувати процеси росту тонких плівок. Охарактеризувати механізми провідності в тонких діелектричних плівках.


^ Квантова електроніка

Принцип роботи і основні характеристики напівпровідникового лазера.


Фізичні основи електромагнітної техніки і

магнітоелектроніки

Класифікація та коротка охарактеристика основних магнітних станів речовини. Процеси намагнічування і перемагнічування феромагнетиків. Петля гістерезису. Особливості структури та процесів намагнічення тонких магнітних плівок. Циліндричні магнітні домени. Процеси запису, зберігання та відтворення інформації на основі циліндричних магнітних доменів. Магнітна анізотропія та магнітострикція у феромагнетиках. Особливості виникнення високої магнітної проникності нікель-цинкових феритів.


^ Фукціональна електроніка

Проаналізуйте найважливіші властивості різних фаз рідких кристалів. Опишіть взаємодію в металі електронів з довгохвильовими акустичними коливаннями гратки. Акустоелектричний ефект. Ефект підсилення і поглинання акустичних хвиль дрейфуючими електронами. Ефект Ганна. Формування електричних доменів у діоді Ганна.


^ Основи спінтроніки

Ефект гігантського та колосального магнітоопору. Прилади. Напівпровідниковий спіновий транзистор. Напівпровідниковий спіновий діод.


^ Основи техніки фізичного експерименту та метрологія

Будова і принцип дії приладів магнітоелектричної та індукційної систем. Будова і принцип дії приладів електромагнітної та електростатичної систем. Будова і принцип дії приладів електродинамічної та термоелектричної систем. Електронні аналогові вольтметри постійного струму.


^ Електроніка перетворювальних систем

Класифікація перетворювачів електричних сигналів. Основні види модуляції сигналів в перетворювачах. Робота лінійних стабілізаторів (параметричного та компенсаційного). Принцип роботи понижуючого імпульсного стабілізатора напруги.


^ Теорія електричних та електронних кіл

Основні закони теорії електричних кіл. Однофазне коло змінного струму (частота, амплітуда, діючі значення, активні та реактивні опори, потужності). Електричні фільтри. Основні поняття та властивості (НЧ, ВЧ, ПФ). Принцип роботи трансформатора. Коефіцієнт трансформації. Трифазні електричні кола. Основні поняття та параметри (фаза, обертове магнітне поле, лінійна та фазна напруга, потужність). Визначення активної, реактивної та повної потужності при несінусоідалних струмах та напругах.


^ Енергетична електроніка

Призначення силових електронних ключів та їх основні типи. Однофазні випрямлячі (однопівперіодна, двопівперіодна та мостова схеми)


^ Електроніка НВЧ

Принципова схема електронного підсилювача (генератора) НВЧ. Призначення та будова відбивного клістрона.


Електронна медична апаратура

Класифікація датчиків медикобіологічної інформації за принципом дії та особливості підсилювачів біоелектричних сигналів. Будова та принцип роботи електрокардіографа. Будова та принцип роботи реоенцефалографа.


^ Пристрої автомобільної електроніки

Класифікація автомобільного електрообладнання (система живлення, пуску тощо). Система живлення автомобільного електрообладнання. Принцип роботи системи електростартерного пуску двигуна внутрішнього згоряння. Удосконалення систем запалювання (контактна- безконтактна- мікропроцесорна).


^ Нетрадиційні і відновлювальні джерела живлення на транспорті

Аналіз і особливості застосування сонячних батарей для транспортних засобів. Види акумуляторних батарей і їх застосування для електромобілів. Особливості будови і експлуатації транспортних засобів, які використовують в якості палива водень.


^ Пристрої аналогової електроніки

Параметри аналогових пристроїв (коефіцієнт передачі, АЧХ, електричні параметри). Підсилювачі на біполярних транзисторах. Підсилювачі на операційних підсилювачах. Диференційні підсилювачі. Зворотній зв’язок в підсилювачах. Види зворотного зв’язку.


^ Пристрої цифрової електроніки

Логічні елементи. Призначення, функціонування. Перетворювачі кодів (дешифратори, шифратори). Тригери. Призначення. Функціонування. Пристрої напівпровідникової пам’яті. Мультиплексори та демультиплексори.


^ Теорія сигналів

Класифікація сигналів за критерієм просторово-часового зображення, апріорної визначеності та області існування сигналів в часі. Енергія та потужність сигналів. Поняття про модуляцію. Види модульованих сигналів. Спектр вузькосмугових сигналів з кутовою модуляцією.


^ Електронні системи

Поняття про сигнали. Детерміновані сигнали (періодичні та неперіодичні). Їхні спектри. Поняття про код. Ознаки оптимального коду. Коди Шеппона-Фано і Хафмана. Теорема Котельникова та відтворення сигналу після його дискретизації. Поняття про ентропію. Міра інформації за Хартлі і Шеппоном. Властивості ентропії дискретних повідомлень. Яка різниця між ентропією і кількістю інформації.


^ Вакуумна та плазмова електроніка

Емісія електронів із металу. Явище термоелектронної емісії, густина струму при термоелектронній емісії, основні фактори, що впливають на густину струму. Вакуумна електронна лампа, діод. Режими струмопроходження в діоді. Закон степені 3/2 (трьох других) в діоді; використання діодів. Тріод. Розподіл потенціалу в тріоді. Поняття діючої напруги в тріоді. Статичні характеристики в тріоді. Диференційні статичні параметри в тріоді.


^ Моделювання в електроніці

Базові елементи функціональних схем (генератори сигналів, безінерційні елементи, інерційні лінійні елементи, інерційні нелінійні елементи): їх умовні графічні позначення, функції перетворення, застосування. Алгоритми моделювання базових безінерційних елементів: генераторів сигналів, безінерційних статичних елементів та динамічних елементів.


^ Економіка та організація виробництва

Характеристика промислового підприємства, загальна та виробнича структура. Кількісні та якісні показники виробництва.


^ Список питань


        1. Класи чистоти і категорії поділу виробничих технологічних приміщень за мікрокліматом. Забезпечення вимог класів чистоти і категорії мікроклімату у технологічних приміщеннях.

        2. Використання води в технологічних операціях і вимоги до її чистоти. Опишіть процес отримання деіонізованої води.

        3. Вимоги до чистоти матеріалів напівпровідникового виробництва. Позначення і способи вираження класів чистоти.

        4. Методи очистки матеріалів від домішок за допомогою кристалізації з розплавів. Рівноважний та ефективний коефіцієнти розподілу.

        5. Формування діелектричних шарів SiO2 на поверхні кремнію методом термічного окислення та чинники, що впливають на швидкість росту шару.

        6. Опишіть процес введення домішкових атомів методом іонної імплантації.

        7. Основні властивості та застосування металів високої електропровідності та сплавів високого опору в електронній техніці.

        8. Явище надпровідності, основні властивості та застосування надпровідних матеріалів в електронній техніці.

        9. Основні властивості та застосування тугоплавких металів в електронній техніці.

        10. Основні властивості та застосування германію в електронній техніці.

        11. Основні властивості та застосування кремнію в електронній техніці.

        12. Основні властивості та застосування арсеніду галію в електронній техніці.

        13. Будова, властивості і застосування високочастотних та низькочастотних полімерних матеріалів в електронній техніці.

        14. Принцип роботи та схема найпростішого підсилювача інформаційних сигналів.

        15. Принцип роботи та схема найпростішого генератора гармонійних електричних сигналів.

        16. Вимірювання величини тиску за допомогою теплових та електронних перетворювачів.

        17. Ротаційні пластинчасті, дифузійні та кріоадсорбційні насоси.

        18. Посудини для зберігання рідкого гелію і пристрої для вимірювання рівня, чистоти і швидкості випаровування гелію, сифони.

        19. Тверді та аморфні тіла. Типи твердих тіл (ідеальні монокристали, монокристали з дефектами, полікристали).

        20. Типи міжатомної взаємодії (ковалентний, іонний, металевий, Ван-дер-ваальсівський зв’язки).

        21. Кристалічна гратка твердих тіл. Типи кристалічних сингоній і комірок Браве.

        22. Температурна залежність концентрації електронів в напівпровіднику n-типу.

        23. Температурна залежність електропровідності для напівпровідника n-типу.

        24. Температурна залежність рухливості, механізми розсіювання електронів.

        25. Термоерс і ефект Холла в напівпровідниках.

        26. Механізми оптичного поглинання в напівпровідниках.

        27. Електронно-дірковий перехід. Утворення. Енергетична діаграма p-n-переходу у рівноважному стані. Контактна різниця потенціалів.

        28. Робота p-n-переходу при постійній зовнішній напрузі. Енергетичні діаграми.

        29. Вольт-амперна характеристика ідеального p-n-переходу. Вплив товщини базових областей на ВАХ.

        30. Бар’єрна і дифузійна ємність p-n-переходу.

        31. Пробій p-n-переходу. Види пробою та умови його виникнення.

        32. Тунельний діод. Утворення. Енергетичні діаграми та ВАХ.

        33. Методика визначення параметрів p-n-переходу з досліджень вольт-фарадних характеристик.

        34. Структур тонких плівок. Дефекти в тонких плівках.

        35. Плівкові елементи ІМС (плівкові резистори, конденсатори, індуктивності).

        36. Плівкові датчики (датчики Холла, температури).

        37. Тонкоплівкові сонячні елементи.

        38. Охарактеризувати процеси росту тонких плівок.

        39. Охарактеризувати механізми провідності в тонких діелектричних плівках.

        40. Принцип роботи і основні характеристики напівпровідникового лазера.

        41. Класифікація та коротка охарактеристика основних магнітних станів речовини.

        42. Процеси намагнічування і перемагнічування феромагнетиків. Петля гістерезису.

        43. Особливості структури та процесів намагнічення тонких магнітних плівок. Циліндричні магнітні домени.

        44. Процеси запису, зберігання та відтворення інформації на основі циліндричних магнітних доменів.

        45. Магнітна анізотропія та магнітострикція у феромагнетиках.

        46. Особливості виникнення високої магнітної проникності нікель-цинкових феритів.

        47. Проаналізуйте найважливіші властивості різних фаз рідких кристалів.

        48. Опишіть взаємодію в металі електронів з довгохвильовими акустичними коливаннями гратки.

        49. Акустоелектричний ефект.

        50. Ефект підсилення і поглинання акустичних хвиль дрейфуючими електронами.

        51. Ефект Ганна. Формування електричних доменів у діоді Ганна.

        52. Ефект гігантського та колосального магнітоопору. Прилади.

        53. Напівпровідниковий спіновий транзистор.

        54. Напівпровідниковий спіновий діод.

        55. Будова і принцип дії приладів магнітоелектричної та індукційної систем.

        56. Будова і принцип дії приладів електромагнітної та електростатичної систем.

        57. Будова і принцип дії приладів електродинамічної та термоелектричної систем.

        58. Електронні аналогові вольтметри постійного струму.

        59. Класифікація перетворювачів електричних сигналів.

        60. Основні види модуляції сигналів в перетворювачах.

        61. Робота лінійних стабілізаторів (параметричного та компенсаційного).

        62. Принцип роботи понижуючого імпульсного стабілізатора напруги.

        63. Які основні закони теорії електричних кіл?

        64. Охарактеризуйте однофазне коло змінного струму (частота, амплітуда, діючі значення, активні та реактивні опори, потужності).

        65. Електричні фільтри. Основні поняття та властивості (НЧ, ВЧ, ПФ).

        66. Поясніть принцип роботи трансформатора. Коефіцієнт трансформації.

        67. Що таке трифазні електричні кола. Основні поняття та параметри (фаза, обертове магнітне поле, лінійна та фазна напруга, потужність).

        68. Як визначити активну, реактивну та повну потужності при несінусоідалних струмах та напругах?

        69. Призначення силових електронних ключів та їх основні типи.

        70. Однофазні випрямлячі (однопівперіодна, двопівперіодна та мостова схеми)

        71. Принципова схема електронного підсилювача (генератора) НВЧ.

        72. Призначення та будова відбивного клістрона.

        73. Класифікація датчиків медикобіологічної інформації за принципом дії та особливості підсилювачів біоелектричних сигналів.

        74. Будова та принцип роботи електрокардіографа.

        75. Будова та принцип роботи реоенцефалографа.

        76. Класифікація автомобільного електрообладнання (система живлення, пуску тощо).

        77. Система живлення автомобільного електрообладнання.

        78. Принцип роботи системи електростартерного пуску двигуна внутрішнього згоряння.

        79. Удосконалення систем запалювання (контактна- безконтактна- мікропроцесорна).




        1. Аналіз і особливості застосування сонячних батарей для транспортних засобів.

        2. Види акумуляторних батарей і їх застосування для електромобілів.

        3. Особливості будови і експлуатації транспортних засобів, які використовують в якості палива водень.

        4. Параметри аналогових пристроїв (коефіцієнт передачі, АЧХ, електричні параметри).

        5. Підсилювачі на біполярних транзисторах.

        6. Підсилювачі на операційних підсилювачах.

        7. Диференційні підсилювачі.

        8. Зворотній зв’язок в підсилювачах. Види зворотного зв’язку.

        9. Логічні елементи. Призначення, функціонування.

        10. Перетворювачі кодів (дешифратори, шифратори).

        11. Тригери. Призначення. Функціонування.

        12. Пристрої напівпровідникової пам’яті.

        13. Мультиплексори та демультиплексори.

        14. Класифікація сигналів за критерієм просторово-часового зображення, апріорної визначеності та області існування сигналів в часі.

        15. Енергія та потужність сигналів. Поняття про модуляцію. Види модульованих сигналів.

        16. Спектр вузькосмугових сигналів з кутовою модуляцією.

        17. Поняття про сигнали. Детерміновані сигнали (періодичні та неперіодичні). Їхні спектри.

        18. Поняття про код. Ознаки оптимального коду. Коди Шеппона-Фано і Хафмана.

        19. Теорема Котельникова та відтворення сигналу після його дискретизації.

        20. Поняття про ентропію. Міра інформації за Хартлі і Шеппоном. Властивості ентропії дискретних повідомлень. Яка різниця між ентропією і кількістю інформації.

        21. Емісія електронів із металу. Явище термоелектронної емісії, густина струму при термоелектронній емісії, основні фактори, що впливають на густину струму.

        22. Вакуумна електронна лампа, діод. Режими струмопроходження в діоді. Закон степені 3/2 (трьох других) в діоді; використання діодів.

        23. Тріод. Розподіл потенціалу в тріоді. Поняття діючої напруги в тріоді. Статичні характеристики в тріоді. Диференційні статичні параметри в тріоді.

        24. Базові елементи функціональних схем (генератори сигналів, безінерційні елементи, інерційні лінійні елементи, інерційні нелінійні елементи): їх умовні графічні позначення, функції перетворення, застосування.

        25. Алгоритми моделювання базових безінерційних елементів: генераторів сигналів, безінерційних статичних елементів та динамічних елементів.

        26. Характеристика промислового підприємства, загальна та виробнича структура. Кількісні та якісні показники виробництва.



ЛІТЕРАТУРА


  1. Хомяк В.В. Технологічні основи електроніки: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 2008. – 303с.

  2. Хомяк В. В. Технологія очистки і вирощування монокристалів – основа сучасного електронного приладобудування: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 2007. – 134с.

  3. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Технология полупроводниковых материалов. – М.: Высш. шк., 1991. – 272с.

  4. Готра З.С. Технология микроэлектронных устройств: Справ. – М.: Радио и связь,1991. – 528с.

  5. Савицький А.В. Фізико-хімічні основи матеріалознавства напівпровідників. – Чернівці: Рута, 1999. – 102с.

  6. Черняев В. Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА. –М.: Высш. шк., 1987. – 376 с.

  7. Парфенов. О. Д. Технология микросхем. – М.: Высш. шк., 1986. – 320 с.

  8. Ефимов И. Е., Козырь. И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника: физические и технологические основы, надежность. – М.: Высш. шк., 1986. – 463 с.

  9. В.О. Москалюк Фізика електронних процесів К.: Політехніка, 2004

  10. Ю П. Кардона М. Основы физики полупроводников. – М: ФИЗМАТЛИТ. – 2002. – 560 с.

  11. Шалимова К.В. Фізика полупроводников М. Энергия. 1976. – 416 с.

  12. Бонч-Бруевич В.Л., Калашникова С.Г. Фізика полупроводников. М.: Наука. 1977.

  13. Киреев П.С. Фізика полупроводников. М.: Высш. Школа. 1979.

  14. Ансельм А.И. Введение в теорію полупроводников. М.: Наука. 1978.

  15. Основи теорії електричних кіл: У 3 кн. Кн. 1. Аналіз лінійних електричних кіл. Часова область: Підручник / М.Б. Гумен, А.М. Гуржій, В.М.Співак; За ред. М.Б. Гумена. – К.: Вища шк., 2003. – 399с.

  16. Основи теорії електричних кіл: У 3 кн. Кн. 3. Аналіз нелінійних електричних кіл. Підручник / М.Б. Гумен, А.М. Гуржій, В.М.Співак, Ю.Г. Савченко; За ред. М.Б. Гумена. – К.: Вища шк., 2004. – 391с.

  17. Основы теории цепей: Учебник для вузов/ Г.В. Зевеке, П.А. Ионкин, А.В.Нетушил, С.В. Страхов.– 5-е изд., перераб.– М.: Энергоатомиздат, 1989.– 528с.

  18. Бессонов Л.А. Теоретические основы электротехники: Электрические цепи: Учебник для электротехн., энерг., приборостроит. специальностей вузов.– 9-е изд., перераб. и доп.– М.: Высш. Шк., 1996.– 638с.

  19. Москатов Е.А. Электронная техника.– Таганрог, 2004. – 121с.

  20. Радевич Я.І., Фрасуняк В.М. Твердотільна електроніка: Електронні процеси в p-n переходах. Навчальний посібник Чернівці: Рута, 1999.– 84 с.

  21. Радевич Я.І. Твердотільна електроніка: Функціональні властивості діод них структур з одним p-n переходом. Навчальний посібник Чернівці: Рута, 1999. – 84 с.

  22. Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов М.: Радио и связь, 1990. – 264 с.

  23. Пасынков В. В.. Чиркин Л. К. Полупроводниковые приборы. – М.: ВШ, 1987. – 479 с.

  24. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 1, 2. – М.: Мир, 1984. – 456 с.

  25. Тугов Н. М., Глебов Б. А., Чарыков Н. А. Полупроводниковые приборы. – М.: Энергоатомиздат, 1990. - 264 с.

  26. Епифанов Г. И., Мома Ю. А. Твердотельная электроника. – М.: ВШ, 198. – 84 с.

  27. Преснухин Л.Н., Ворбьев Н.В., Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств.Учебное пособие. -М.: Выща школа, 1991.

  28. Миллер Р. Теория переключательних систем. В 2-х т.- М.: Наука, 1970, 1971.

  29. Алексеенко А.Г., Шагурин И.И. Микросхемотехника. Учебное пособие. -М.: Радио и связь, 1982.

  30. Буняк А.М. Електроніка та мікросхемотехніка. –Київ, СМП Астон, 2001.

  31. Схемотехніка електронних систем. Кн. 2. Цифрова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. –К.: Вища школа, 2004. –423 с

  32. Ефимов И. Е., Козырь И. Я., Горбунов Ю. И. Микроэлектроника: проектирование. Виды микросхем, функциональная микроэлектроника. – Москва: ВШ, 1987. – 416 с.

  33. Функціональна мікроелектроніка: прилади із зарядовими зв’язками, циліндричні магнітні домени, давачі: навчальний посібник / О. Ю. Гордієнко. – Київ: ІСДО, 1996. – 416 с.

  34. Богданов С. В. Основы акустоэлектроники. – Новосибирск: НГУ, 1977. – 279 с.

  35. Царапкин Д. П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. – Москва: Радио и связь, 1981. – 112 с.

  36. Речицкий В. И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. Элементы и устройства на поверхностных акустических волнах. – Москва: Сов. Радио, 1980. – 262 с.

  37. Зюбрик Л. И. Акустоэлектроника. – Киев, 1980. – 100 с.

  38. Рычина Т. А., Зеленский А. В. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы. – Москва: Радио и связь, 1989. – 350 с.

  39. В.П.Бабак. А.Я.Білецький. Детерміновані сигнали і їх спектри. –К.: Техніка. 2003.-455с.

  40. А.Г.Зюко. Основы теории передачи сигналов. Ч.I. Передача сигналов. Уч .пособие: Одесса.1968.-95с.

  41. Френкс Л. Теория сигналов. – М.:Сов.радио,1974.- 344с.

  42. В.В.Александров, В.В.Брайловський, Л.Ф.Політанський. Сигнали та процеси в радіотехніці. Ч.I.Чернівці «Рута»,2000.-140с.

  43. В.П.Бабак, В.С.Хандецький, Е.Шрюфер. Обробка сигналів.- К.:Либідь, 1999.-496с.

  44. Мар’янчук П. Д. Метрологія і стандартизація: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 2005. – 84 с.

  45. Мар’янчук П. Д. Енергетична електроніка: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 2007. – 96 с.

  46. Мар’янчук П. Д. Основи вакуумної та кріогенної техніки: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 2003. – 90 с.

  47. Гавалешко Н.М. Електронні системи: Навчальний посібник. – Чернівці: Рута, 2006. – 88 с.



КРИТЕРІЇ

оцінювання відповідей вступників

на освітньо-кваліфікаційний рівень магістр

(спеціальність 8.05080201 – Електронні прилади та пристрої)


Абітурієнт одержує білет, у якому є три теоретичні завдання. Після підготовки відбувається усна бесіда абітурієнта з членами комісії. Члени комісії оцінюють відповідь абітурієнта за 200-бальною шкалою.

^ Оцінка «відмінно» (176-200 балів). Абітурієнт дає глибоку і аргументовану відповідь, що розкриває питання і свідчить про відмінне знання матеріалу, вміння цілеспрямовано аналізувати матеріал, робити висновки, чіткий логічний і послідовний виклад думок, розуміння суті теми. Крім того, абітурієнт обізнаний з основною та додатковою літературою з відповідної проблематики, вміє творчо аналізувати інформацію, наводити адекватні приклади та аргументи.

^ Оцінка «добре» (150-175 балів). Абітурієнт достатньо повно володіє теоретичним матеріалом і навиками практичного застосування дисциплін, добре орієнтується у основній та додатковій літературі з відповідної проблематики. Однак відповідь містить неточності, які суттєво не впливають на розкриття змісту розв'язуваного завдання, недостатньо повно розкрито фізичну суть питання або розв'язок практичного завдання не доведено до числових значень.

^ Оцінка «задовільно» (124-149 балів). Абітурієнт демонструє загальну обізнаність в матеріалі, розуміє в цілому зміст основних понять і фактів, однак відповіді на питання розкриваються неповністю, фрагментарно і мають характер не стільки свідомого, скільки механічного відтворення, а наведені аргументи і висновки є недостатньо переконливими.

^ Оцінка «незадовільно» (0-123 балів). Абітурієнт не розуміє змісту ключових понять і фактів з спеціальності, неспроможний дати базову характеристику відповідних проблем, необізнаний з літературою, не вміє аналізувати поставлені перед ним питання, аргументовано відповідати та здійснювати правильні висновки.

Екзаменаційний білет на комплексному фаховому іспиті складається з трьох теоретичних питань, які оцінюються наступним чином: перше питання – 70 балів, друге питання – 70 балів, третє питання – 60 балів. Максимальна сума балів, яку може отримати абітурієнт на фаховому іспиті складає 200 балів.


Зав. каф. електроніки і енергетики Мар’янчук П. Д.


Затверджено

Вченою радою фізичного факультету, протокол №  5  від   31 січня  2012  р.


Голова Вченої ради

фізичного факультету Гуцул І. В.

Схожі:

Затверджую icon«затверджую» «затверджую» Проректор з наукової роботи Національного університету «Львівська політехніка»

Затверджую icon«затверджую» «затверджую» Проректор з наукової роботи Національного університету «Львівська політехніка»

Затверджую iconФорма навчання навч
Дисципліна Загальна гідрологія „затверджую” „затверджую”
Затверджую iconФорма навчання навч
Дисципліна Меліорація птк „затверджую” „затверджую”
Затверджую iconЗатверджую затверджую
Примітка: послідовність занять залежать від наявності тематичних хворих в клініці
Затверджую iconЗатверджую затверджую
Примітка: послідовність занять залежать від наявності тематичних хворих в клініці
Затверджую iconЗатверджую затверджую
Примітка: послідовність занять залежать від наявності тематичних хворих в клініці
Затверджую iconЗатверджую затверджую
Примітка: послідовність занять залежать від наявності тематичних хворих в клініці
Затверджую iconЗатверджую» Декан медичного ф-ту №1 Проф. Івнєв Б. Б. «Затверджую»
Графік консультацій викладачами кафедри дерматовенерології у (8) семестрі 2011-2012 н р
Затверджую iconЗатверджую Директор Інституту післядипломної педагогічної освіти Чернівецької області Г.І. Білянін Затверджую
Розробка методичних рекомендацій щодо підготовки до І-ІІ етапів Всеукраїнських олімпіад з базових дисциплін
Затверджую iconЗатверджую затверджую
Б. Б. Івнєв проф. А. Г. Джоджуа 2011 р. 2011 р
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи