Харьковская государственная академия icon

Харьковская государственная академия




НазваХарьковская государственная академия
Сторінка1/3
Дата23.06.2012
Розмір0.61 Mb.
ТипЛабораторная работа
  1   2   3



МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ УКРАИНЫ

ХАРЬКОВСКАЯ ГОСУДАРСТВЕННАЯ АКАДЕМИЯ

ГОРОДСКОГО ХОЗЯЙСТВА




К печати разрешаю

Первый проректор

Г.В.Стадник


МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

К ЛАБОРАТОРНЫМ РАБОТАМ

ПО КУРСУ «ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ»



для студентов ІІ курса дневной

и заочной форм обучения

специальностей 7.090.603, 7.090.605, 7.0922.02


Рассмотрено кафедрой

Протокол №1 от 20.08.2001г.


Харьков 2001


Методические указания к лабораторным работам по курсу «Электротехнические материалы» для студентов ІІ курса дневной и заочной форм обучения специальностей 7.090.603, 7.090.605, 7.0922.02/ Сост. Е.Д.Дьяков, - Харьков: ХГАГХ, 2001, - 48с.


Составитель: ДЬЯКОВ Евгений Дмитриевич


Ответственный за выпуск В.Ф.Рой


Редактор Н.З. Алябьев


План 2001, поз.252


_____________________________________________________________

Подп. к печ. . Формат 60х84 1/16. Бумага офисная

Печать офсетная. Усл. печ. л. 3, 02.. Уч.-изд.л. 2,78. Зак. №

Тираж 100 экз. Цена договорная

_____________________________________________________________

ХГАГХ. 61002, Харьков, ул. Революции, 12.

Сектор оперативной полиграфии ИВЦ ХГАГХ


^

Л а б о р а т о р н а я р а б о т а № 1


ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ


1.1. Цель работы


Изучить методики определений объемного и удельного поверхностного сопротивлений и провести экспериментальные исследования зависимости данных параметров от внешних факторов для различных образцов твердых диэлектриков.


^ 1.2.Общие положения

Следует знать, что все практически применяемые электроизоляционные материалы под действием приложенного постоянного напряжения пропускают некоторый (обычно весьма незначительный) ток, называемый током утечки. Данный ток можно представить в виде двух составляющих.

Переменная составляющая, изменяющаяся во времени по экспоненциальному закону, называется током абсорбции и обусловлена процессами поляризации, происходящими в диэлектрике.

Постоянная составляющая тока утечки называется сквозным током диэлектрика и, в свою очередь, может быть представлена в виде двух составляющих: поверхностного и объемного токов.

Поверхностный ток обусловлен наличием тонкого электропроводящего слоя влаги с растворенными в нем веществами, образующегося вследствие соприкосновения образца с окружающей средой.

Объемный ток представляет собой ток, протекающий непосредственно через объем диэлектрика.

Этим двум составляющим соответствуют два сопротивления: поверхностное электрическое сопротивление диэлектрика RS и объемное электрическое сопротивление диэлектрика RV. Величины, обратные объемному и поверхностному сопротивлениям, называются соответственно объемной и поверхностной проводимостью.

Объемное и поверхностное сопротивления зависят как от материала диэлектрика, так и от его геометрических размеров.

Для сравнения качества различных диэлектриков пользуются величинами удельных сопротивлений.

Удельное объёмное сопротивление в системе СИ численно равно сопротивлению куба материала с ребром в один метр, измеренному при постоянном напряжении, когда ток проходит от одной грани куба к другой.

Для образца с постоянным поперечным сечением, равным площади электродов, удельное объемное сопротивление определяется по формуле

(1.1)

где Rv - объемное сопротивление образца диэлектрика, Ом;

S – площадь измерительного электрода, м2 ;

h - толщина диэлектрика, м.

Удельное поверхностное сопротивление численно равно сопротивлению плоского участка поверхности твердого диэлектрика в форме квадрата, измеренному при постоянном напряжении, когда ток проходит от одной грани квадрата к другой.

Для участка диэлектрика расположенного между параллельными друг другу электродами, удельное поверхностное сопротивление определяется по формуле

, (1.2)

где Rs –поверхностное сопротивление образца диэлектрика, Ом;

b - длина электрода, м;

a - расстояние между электродами, м.

При использовании для измерения Rs электродов в виде двух коаксиальных цилиндров формула для определения имеет вид

, (1.3)

где Rs – поверхностное сопротивление образца диэлектрика, Ом;

D – внутренний диаметр кольцевого электрода, м;

d - диаметр измерительного электрода, м.

Под влиянием различных внешних факторов величины удельных сопротивлений могут существенно изменятся. Так, при повышении температуры удельное объемное сопротивление твердых и жидких диэлектриков, как правило, уменьшается по экспоненциальному закону

(1.4)

где - удельное объемное сопротивление при температуре окружающей среды, Омм;

 - температурный коэффициент удельного сопротивления, С-1;

t - температура С.

Уменьшение сопротивления диэлектриков при их нагревании обусловлено ослаблением молекулярных связей и уменьшением вязкости вещества. Кроме того, вследствие температурной диссоциации молекул увеличивается концентрация ионов и растет их подвижность.

Однако, в некоторых случаях с увеличением температуры сопротивление диэлектрика в определенном диапазоне температур может возрастать. Данное явление наблюдается, например, для электроизоляционных смол при их полимеризации и связанном с этим процессом значительным повышением вязкости.

Существенное влияние на величину сопротивления оказывает влажность окружающей среды в связи с тем, что большинство диэлектриков способны поглощать влагу из воздуха, содержащего водяные пары. Наличие влаги в диэлектрике резко уменьшает его сопротивление, так как вода способствует диссоциации на ионы молекул самого вещества и, кроме того, имеющиеся в воде примеси также диссоциируют на ионы.

При нагреве до высоких температур диэлектрики, содержащие воду, теряют ее, в результате чего их сопротивление увеличивается.

На величину сопротивления диэлектрика влияет также значение приложенного напряжения. При увеличении напряжения сопротивление диэлектриков, как правило, уменьшается. Исключение составляет высококачественные диэлектрики, у которых сопротивление при увеличении напряжения остается практически неизменным. Причинами уменьшения сопротивления могут являться возникновение объемных зарядов в диэлектрике, перераспределения влаги в порах диэлектрика или возникновение дополнительной электропроводности в результате вырывания электронов силами поля из частиц диэлектрика.


^ 1.3.Приборы и оборудование

Для определения сопротивления образца диэлектрика применяют прямой или косвенный метод измерения. Прямой метод измерения основан на использовании приборов, которые позволяют производить отсчет измеряемого сопротивления непосредственно по шкале прибора. В качестве таких приборов могут быть использованы электронные омметры (мегаомметры, тераоометры) или мосты постоянного тока следующих марок: Е6-13А, ЕК6-7, Е6-14, Е6-17, Ф4101, Р4053, Р4060, Р4056.

При косвенных измерения значение сопротивления определяют расчетным путем по результатам измерения тока, протекающего в образце при фиксированном напряжении, или измеряя падение напряжения на образце при известном токе в нем. Для измерения тока и напряжений применяют чувствительные магнитоэлектрические или электростатические приборы с электронными или фотогальванометрическими усилителями.

В лабораторной работе для испытаний материалов используется метод непосредственного измерения электрического сопротивления.

Определение сопротивлений производится на плоских образцах электроизоляционных материалов. Для испытаний используется система из трех электродов: измерительного, напряжения (высоковольтного) и охранного. Два электрода имеют цилиндрическую форму, третий выполнен в виде кольца. В зависимости от измеряемой величины одни и те же электроды могут выполнять различные функции.

На рис. 1.1 показаны схемы подключения измеряемых образцов для определения сопротивлений: объемного (рис. 1.1,а), и поверхностного (рис. 1.1,б). Схемы содержат: высоковольтный электрод 1; образец диэлектрика 2; охранное кольцо 3; измерительный электрод 4.

Применение для измерений системы из трех электродов позволяет разделить объемные и поверхностные токи. В схеме (рис. 1.1,а) заземление охранного электрода позволяет исключить влияние поверхностного тока на результат измерения. Аналогичным образом заземление высоковольтного электрода в схеме (рис. 1.1,б) исключает влияние на результат измерения объемного тока. Электроды расположены в термошкафу, который снабжен защитной блокировкой. Температура внутри шкафа измеряется термометром.


а)


б)


Рис.1.1. Схемы измерения сопротивления диэлектриков


1.4.Порядок выполнения работы

1. Собрать схему для определения объемного сопротивления в соответствии с рис. 1.1,а. Штекер «Э» прибора Е6-17 должен быть заземлен.

2. В присутствии преподавателя включить питание измерительного прибора. Продолжительность времени установления рабочего режима прибора 15 мин.

3. Измерить и записать в табл. 1.1 параметры охранного кольца, измерительного электрода и исследуемых образцов диэлектриков.


Таблица 1.1

Параметры исследуемых образцов диэлектрика и основные размеры электродов

Наименование диэлектрика

h,

м

Измерительный электрод

Охранное кольцо







d, м

S, м2

D, м



4.Установить переключатель поддиапазонов в положение

«1 МОм».

5.Произвести проверку состояния электрического нуля прибора. Для этого отключить коаксиальный штекер кабеля от коаксиального гнезда прибора и нажать на кнопку «Измерение». Если при этом наблюдается отклонение стрелки прибора от нулевого значения, необходимо осуществить корректировку с помощью ручки .

После корректировки отпустить кнопку «Измерение» и подключить коаксиальный штекер к соответствующему гнезду прибора.

6. Расположить один из образцов исследуемых диэлектриков между электродами.

7. Нажать на кнопку «Измерение» и определить значение сопротивления измеряемого диэлектрика. При незначительном отклонении стрелки прибора от значения «» отпустить кнопку «Измерение» и переключить поддиапазон измерения. В зависимости от выбранного поддиапазона измерения отсчет проводится по соответствующей шкале прибора после достижения измеряемой величины установившегося значения. Результаты измерения записать в табл. 1.2. По окончании измерения переключатель поддиапазонов переключить в положение «1 МОм».


Таблица 1.2

Результаты экспериментальных исследований сопротивлений твердых диэлектриков

Наименование

диэлектрика

Т,

С

RV,

Ом

RS,

Ом



Омм



Ом

8. Произвести измерение объемного сопротивления остальных образцов твердых диэлектриков согласно методике, изложенной в п.п. 6-7. Результаты измерений записать в табл. 1.2.

9. В присутствии преподавателя собрать схему для измерения поверхностного сопротивления исследуемых диэлектриков в соответствии с рис. 1.1б.

10. Произвести измерение поверхностного сопротивления твердых диэлектриков. Результаты измерения записать в табл. 1.2.

11. Измерить с помощью термометра температуру в помещении. Результат измерения записать в табл. 1.2.

12. Определить зависимость поверхностного и объемного сопротивлений от температуры. Для этого по указанию преподавателя один из образцов диэлектриков поместить в термостат и при трех-четырех значениях температуры измерить значения поверхностного и объемного сопротивлений диэлектрика. Результаты измерений записать в табл. 1.2.

13. Провести расчет удельных объемных и удельных поверхно-стных сопротивлений исследуемых диэлектриков, используя формулы (1.1), (1.3). Результаты расчета записать в табл. 1.2.

14. Построить графики зависимости удельного объемного и удельного поверхностного сопротивлений от температуры:

и

15. Полученные расчетные значения удельных сопротивлений сравнить по справочным данным.

16. Составить отчет о работе, который должен содержать формулировку цели работы, принципиальные электрические схемы измерений сопротивлений, заполненные табл. 1.1, 1.2, графики зависимостей , и выводы по работе.


Контрольные вопросы

1. Дайте определение понятия «диэлектрик» и приведите конкретные примеры твердых, жидких и газообразных диэлектриков.

2. Объясните электрические схемы для измерения объемного и поверхностного сопротивлений твердых диэлектриков.

3. Укажите факторы, которые оказывают влияние на величину объемного сопротивления.

4. Объясните физическую сущность процесса электропроводности диэлектриков.

5. Перечислите параметры, характеризующие электропроводность диэлектриков.

6. Назовите токи, которые протекают через диэлектрик, находящийся в переменном и постоянном электрических полях.

7. Объясните причину измерения сопротивления диэлектрика через одну минуту после подачи напряжения на образец.

8. Укажите факторы, которые оказывают влияние на величину поверхностного сопротивления.

9. Объясните механизм электропроводности в жидких диэлектриках.

10. Укажите причины, в связи, с которыми измерение сопротивлений диэлектриков производится на постоянном напряжении.

11. Объясните механизм электропроводности в газообразных диэлектриках.


Л и т е р а т у р а : [1, с. 30-43; 2]


Л а б о р а т о р н а я р а б о т а № 2


^ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ

ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ ПРИ ПОВЫШЕННЫХ ЧАСТОТАХ


  1. ^ Цель работы

Изучить методику экспериментального определения относительной диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, мощности, рассеиваемой в диэлектрике, и провести исследование зависимости данных параметров от внешних факторов.


  1. ^ Общие положения

Следует знать, что относительная диэлектрическая проницаемость характеризует свойство диэлектриков поляризоваться в электрическом поле. Данный параметр является количественной характеристикой процесса поляризации.

Величина относительной диэлектрической проницаемости показывает, во сколько раз при неизменном напряжении увеличивается емкость или заряд конденсатора заданных геометрических размеров при замене вакуума между обкладками конденсатора данным диэлектриком.

Относительную диэлектрическую проницаемость определяют по формуле


(2.1)


где Q0 - заряд конденсатора в случае, когда между его пластинами находится вакуум;

Qд - заряд, обусловленный поляризацией диэлектрика.

Из формулы (2.1) следует, что диэлектрическая проницаемость любого вещества больше единицы и равна единице только для вакуума. Для твердых диэлектриков r может иметь различные числовые значения в связи с разнообразием их структур, обладающих различными видами поляризации.

Относительная диэлектрическая проницаемость плоского диэлектрика, помещенного между круглыми электродами,

, (2.2)


где Cд - емкость конденсатора с данным диэлектриком, Ф;

h - толщина диэлектрика, м;

S - площадь электрода, м2;

- электрическая постоянная, 0=8,85410-12 Ф/м.

Абсолютная диэлектрическая проницаемость равна произведению относительной диэлектрической проницаемости на электрическую постоянную:

.

Характер влияния температуры на относительную диэлектрическую проницаемость определяется видом поляризации, присущим данному диэлектрику. Так, для материалов с электронной поляризацией относительная диэлектрическая проницаемость практически не зависит от температуры. Для материалов с ионной поляризацией при повышении температуры относительная диэлектрическая проницаемость возрастает в следствие уменьшения сил взаимодействия между ионами кристаллической решетки.

Материалы с дипольно-релаксиционным механизмом поляризации при нагреве имеют более сложный характер изменения относительной диэлектрической проницаемости, вследствие уменьшения вязкости материала, относительная диэлектрическая проницаемость возрастает, а затем уменьшается из-за усиливающегося теплового хаотического движения молекул.

Диэлектрическими потерями называется мощность, рассеиваемая в диэлектрике при воздействии на него электрического поля и вызывающая нагрев диэлектрика.

Потери энергии в диэлектриках наблюдаются как при переменном, так и при постоянном напряжениях. Диэлектрические потери при постоянном напряжении обусловлены, в основном, током сквозной проводимости, так как время протекания зарядного и абсорбцирнных токов после включения напряжения незначительно. При переменном напряжении через диэлектрик протекают, периодически изменяясь, не только ток сквозной проводимости, но также ток абсорбции и ток смещения. По своей величине ток абсорбции может превосходить ток сквозной проводимости и ток смещения. В связи с этим диэлектрические потери при переменном напряжении в основном обусловлены токами абсорбции, которые являются средствами поляризационных процессов в диэлектрике.

При высоких напряжения дополнительные диэлектрические потери возникают вследствие ионизации воздушных включений в диэлектрике. Кроме того, на величину диэлектрических потерь оказывает влияние неоднородность структуры диэлектрика.

Различают полные и удельные диэлектрические потери. Полные диэлектрические потери - это активная мощность, рассеиваемая во всем объеме диэлектрика.

Полные диэлектрические потери при переменном напряжении

, (2.3)

где U - рабочее напряжение, В;

 - угловая частота, с-1;

C - емкость конденсатора с данным диэлектриком, Ф;

tg - тангенс угла диэлектрических потерь.

Выражение для определения удельных диэлектрических потерь имеет вид


, (2.4)

где p – удельные потери, Вт/м3 ;

Е - напряженность электрического поля, В/м.

Для оценки способности диэлектрика рассеивать мощность в электрическом поле можно использовать угол диэлектрических потерь, а также тангенс этого угла.

Углом диэлектрических потерь называется угол, дополняющий до 90 угол фазового сдвига между током и напряжением в емкостной цепи.

Значение tg для различных диэлектрических изменяется в широких пределах (от 0,00001 до 0,3).

Характер влияния температуры на тангенс угла диэлектрических потерь определяется составом и структурой материала.

Для неполярных диэлектриков характерно увеличение tg при повышении температуры, так как увеличивается электропроводность диэлектрика, а относительная диэлектрическая проницаемость практически не изменяется.

Зависимость tg от температуры для полярных диэлектриков имеет более сложный характер, так как при повышении температуры одновременно с увеличением потерь на электропроводность происходить нелинейное изменение потерь на поляризацию.

Существенное влияние на величину tg оказывают также частота приложенного напряжения и его величина.


  1. ^ Приборы и оборудование

Определение емкости и tg различных диэлектриков производится с помощью прибора Е7-11, принцип работы которого основан на использовании мостового метода измерения. Принципиальная электрическая схема прибора приведена на рис. 2.1. На схеме показан измерительный электрод 1, охранное кольцо 2, образец диэлектрика 3, высоковольтный электрод 4.

В первое плечо измерительного моста, между вершинами I и II, включается конденсатор, емкость которого необходимо измерить. В данной работе – это плоский конденсатор, обкладки которого представляют собой два электрода цилиндрической формы. Диэлектриком служит плоский образец той или иной толщины. Для уменьшения погрешности измерения используется третий электрод – охранное кольцо, которое заземляется с целью отвода поверхностных токов на землю.


Рис. 2.1. Принципиальная схема для измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь


Второе плечо измерительного моста, находящееся между вершинами II и III, разделено на семь поддиапазонов от 1 Ом до 1 Мом. Смена поддиапазонов осуществляется переключателем "Пределы".

Третье плечо, между вершинами III и IV, состоит из последовательно включенных декадного механизма сопротивлений и одного переменного резистора, условно показанных на схеме (рис. .2.1) в виде одного сопротивления R3. На лицевой панели прибора этим плечом является устройство "Множитель".

Четвертое плечо, находящееся между вершинами I и IУ, состоит из образцового конденсатора Со и переменного резистора R4, компенсирующего потери в измеряемом конденсаторе. Сопротивление R4 отградуировано в величинах тангенса диэлектрических потерь и установлено на лицевой панели прибора.

Питание на диагональ I - III может подаваться как от генератора, установленного в приборе, так и от внешнего генератора. К диагонали II - IУ подключен индикатор баланса измерительной схемы.

При равновесии моста выполняются условия:

; . (2.5)

Таким образом, емкость измеряемого конденсатора Сх и tg определяется через известные величины измерительного моста. Для непосредственного отсчета по шкалам прибора сопротивление R2 и R3 градуируются в значениях емкости, а сопротивление R4 - в значениях tg.


  1. Порядок выполнения работы

1.Подключить электроды, используемые для измерений, к соединительным кабелям прибора в соответствии со схемой (рис. 2.1).

2.Установить органы управления прибора следующим образом:

переключатель «L, C, R» в положение «С»;

переключатель «Q05, Q0,5, tg» в положение «tg»;

переключатель «Частота» в положение, соответствующее частоте, на которой предполагается производить измерения;

переключатель «Пределы» в крайнее правое положение;

шкалу «tg» на нулевое значение.

3. В присутствии преподавателя включить измерительный прибор. Время прогрева прибора15 мин.

4. Измерить и записать в табл. 2.1 параметры исследуемых образцов и измерительного электрода.

Т а б л и ц а 2.1

Параметры исследуемых образцов диэлектрика и измерительного электрода


Наименование

h,

Измерительный электрод

диэлектрика

м

d, м

S, м2

5. Разместить один из исследуемых образцов между электродами.

6. Произвести выбор предела измерения. Для этого на шкале «Множитель» установить значение 1,090. Ручку «Чувствительность» перевести в положение, соответствующее 70 делениям на индикаторе разбаланса. Нажать кнопку «Выбор предела», и вращением переключателя «Пределы» влево изменять установленный предел до тех пор, пока знак фазы напряжения разбаланса на индикаторе прибора не изменится на противоположный. Определив предел, на котором будут производится измерения, необходимо отпустить кнопку «Выбор предела».

7.Произвести уравновешивание моста. Для этого, постепенно изменяя показания шкалы переключателей «Множитель», добиться минимального отклонения индикатора разбаланса от нулевого значения. Затем перейти к уравновешиванию моста по потерям.

Регулировка производится при постепенном увеличении чувствительности до тех пор, пока любое измерение рукояток «Множитель» и «tg» приводит к увеличению показаний индикатора разбаланса.

8. Произвести отсчет результата измерения. Измеренная величина емкости равна отсчету по шкале «Множитель», умноженному на значение емкости, указанное в таблице (расположенной на передней панели прибора), для соответствующего положения переключателя «Пределы».

При измерении емкости на частоте 100 Гц отсчет результата измерения должен быть увеличен в 10 раз.

Измеренная величина тангенса угла диэлектрических потерь отсчитывается непосредственно по шкале «tg».

9.Результаты измерений записать в табл. 2.2.

10. С помощью термометра определить температуру окружающей среды. Результаты измерения записать в табл. 2.2.

Таблица 2.2

Результаты экспериментальных и расчетных значений

Наименование

диэлектрика

T, C

Cx

r

tg

Р, Вт

11.Ручку «Чувствительность» установить в крайнее левое положение и в присутствии преподавателя заменить образец диэлектрика. Провести измерения емкости и tg установленного образца в соответствии с методикой, изложенной в п.п. 2-9.

12.Определить зависимость относительной диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь от температуры. Для этого один из образцов исследуемых диэлектриков (по указанию преподавателя) разместить в термостате и произвести измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь для трех-четырех значений температуры.

13. Определить относительную диэлектрическую проницаемость исследуемых диэлектриков, использую формулу (2.2). Результаты расчета записать в табл. 2.2.

14. Построить графики зависимостей относительной диэлектрической проницаемости от температуры и тангенса угла диэлектрических потерь от температуры .

15. Определить мощность, рассеиваемую в исследуемых диэлектриках, используя формулу (2.3). Результаты расчета записать в табл. 2.2.

  1. Составить отчет о работе, который должен содержать формулировку цели работы, принципиальную электрическую схему, используемую при измерениях, заполненные табл. 2.1 и 2.2, графики зависимостей , и выводы по работе.


Контрольные вопросы


  1. Объясните физическую сущность процесса поляризации ди-электриков.

  2. Назовите основные виды поляризации диэлектриков.

  3. Дайте определение относительной диэлектрической проницаемости и приведите конкретные значения данного параметра для различных диэлектриков.

  4. Укажите факторы, которые оказывают влияние на величину относительной диэлектрической проницаемости, и приведите примеры таких зависимостей.

  5. Назовите основные параметры, характеризующие диэлектрические потери.

  6. Приведите электрические схемы замещения, используемые для определения диэлектрических потерь, и постройте их векторные диаграммы.

  7. Назовите основные виды диэлектрических потерь.

  8. Укажите внешние факторы, которые оказывают влияние на величину диэлектрических потерь.

  9. Приведите конкретные примеры зависимости диэлектрических потерь от внешних факторов для различных диэлектриков.

10. Опишите принцип работы электрической схемы экспериментальной установки.


Литература [1, с. 43-58; 2, с. 200-211].


  1   2   3

Схожі:

Харьковская государственная академия iconХарьковская государственная академия городского хозяйства
...
Харьковская государственная академия iconМинистерство образования и науки украины харьковская государственная академия городского хозяйства
Методические указания к выполнению курсовой работы «Проектирование совмещенного производства каменных и монтажных работ» (для студентов...
Харьковская государственная академия iconМетодические указания по плаванию для студентов групп отделений общей физической подготовки и спортивного совершенствования
Рецензент: доц., канд пед наук В. В. Шадрина (Харьковская государственная академия физической культуры и спорта)
Харьковская государственная академия iconМинистерство образования и науки Украины Харьковская национальная академия городского хозяйства
Харьковская национальная академия городского хозяйства по учебной дисциплине «водоотведение»
Харьковская государственная академия iconХарьковская государственная академия городского хозяйства
Индивидуальные задания и исходные данные к выполнению курсового проекта по курсу “Механика грунтов, основания и фундаменты” (для...
Харьковская государственная академия iconМинистерство образования и науки украины харьковская государственная академия городского хозяйства р. С. Ладыженская экономика туризма
Р. С. Ладыженская. Экономика туризма: Учебное пособие для студентов специальностей гостиничного хозяйства и туризма. – Харьков, 2003....
Харьковская государственная академия iconХарьковская государственная академия городского хозяйства пособие к практическим занятиям и курсовой работе по технологии очистки сточных вод и микробиологии.
Пособие к практическим занятиям и курсовой работе по “Технологии очистки сточных вод и микробиологии” (для студентов 3-4 курсов всех...
Харьковская государственная академия iconОдесская государственная академия строительства и архитектуры
Влияние масштабного фактора на формирование технологической повреждённости бетона
Харьковская государственная академия iconШеремет А. И. Донбасская государственная машиностроительная академия
Усовершенствование автоматизированной электромеханической системы для виброобработки металлических деталей
Харьковская государственная академия iconПервое информационное письмо уважаемые коллеги!
Нижегородская государственная медицинская академия мз РФ при поддержке министерства образования нижегородской области
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи