Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М icon

Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М




НазваРеферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М
Мартинюк Р.В
Дата13.10.2012
Розмір8.3 Kb.
ТипРеферат

Реферат до декл пат України на винахід №54007А


Автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р.В.; доцент , канд.фіз.-мат. наук Матюшин В.М.


МПК H01L21/00, H01L21/22


СПОСІБ ВИГОТОВЛЕННЯ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУР


Винахід, що заявляється, відноситься до галузі напівпровідникової електроніки, зокрема до виготовлення напівпровідникових приладів.

В основу винаходу поставлено завдання удосконалення способу виготовлення напівпровідникових структур шляхом поліпшення електрофізичних параметрів одержуваних напівпровідникових структур за рахунок зниження температури процесу дифузійного легування і зменшення дефектності структури легованих шарів напівпровідникових пластин.

Поставлене завдання досягається тим, що в способі виготовлення напівпровідникових структур, що заявляється, після нанесення плівок дифузанта на монокристалеві напівпровідникові пластини твердофазне дифузійне легування проводять під впливом атомарного водню при температурі 27-570С

Схожі:

Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconРеферат до декл пат на кор модель №
Автори: співробітники кафедри „Електропостачання промислових підприємств” (епп), доцент, канд техн наук. Авдєєв І. В., аспірант Шрам...
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconРеферат до деклараційного патенту України на винахід №58793а автори: д-р техн наук Волчок І. П., доц кафедри технології металів, канд техн наук Мітяєв О. А., аспірант Рязанов С. Г
Автори: д-р техн наук Волчок І. П., доц кафедри технології металів, канд техн наук Мітяєв О. А., аспірант Рязанов С. Г
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconСумський державний педагогічний університет імені А. С. Макаренка Розробка №14 Назва розробки
Автори. Тарасова Т. Б. – канд психол наук, доцент, Тарасов Л. В. – канд фіз мат наук, професор
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconЕлектрофізичні властивості та кристалічна структура плівок алюмінію а. Г. Басов, здобувач; А. О. Степаненко, аспірант; А. М. Чорноус, канд фіз мат наук, доц
А. Г. Басов, здобувач; А. О. Степаненко, аспірант; А. М. Чорноус, канд фіз мат наук, доц
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconЕлектрофізичні властивості та кристалічна структура плівок алюмінію а. Г. Басов, здобувач; А. О. Степаненко, аспірант; А. М. Чорноус, канд фіз мат наук, доц
А. Г. Басов, здобувач; А. О. Степаненко, аспірант; А. М. Чорноус, канд фіз мат наук, доц
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconРеферат до декл пат на корисну модель № Автори: співробітники кафедри „Радіотехніки, доцент Щєкотихін О. В., професор Піза Д. М., старший викладач Мисленков В.І. Мпк н04К 1/10
Автори: співробітники кафедри „Радіотехніки”, доцент Щєкотихін О. В., професор Піза Д. М., старший викладач Мисленков В.І
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconО. Крамар, канд фіз мат наук; Ю. Скоренький, канд фіз мат наук; Ю. Довгоп’ятий

Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconРеферат до деклараційного патенту України на винахід №69719а автори: Флора В. Д., канд техн наук,доц каф. „ЕМ; електрична машина постійного струму з імпульсним збудженням винахід
Винахід відноситься до галузі електричних машин постійного струму, які працюють в двигуновому або генераторному режимах в тяговому...
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconРеферат до деклараційного патенту України на винахід №69720а автори: Флора В. Д., канд техн наук,доц каф. „ЕМ"; Флора Ю. В., арт директор рекламно-виробничої фірми „flight"
Винахід відноситься до галузі електричних машин постійного струму, застосовуваних в електроприводах та джерелах живлення, використовуваних...
Реферат до декл пат України на винахід №54007а автори: аспірант кафедри мікроелектроніки та напівпровідникових приладів Мартинюк Р. В.; доцент, канд фіз мат наук Матюшин В. М iconСумський державний педагогічний університет імені А. С. Макаренка Розробка №1 Назва розробки: «Спосіб видалення оксигену з флуоридних розплавів»
Автори: Бугаєнко В. В. – канд хім наук, професор кафедри хімії Сумдпу, Пшеничний Р. М. – аспірант, Касьяненко Г. Я. – канд хім наук,...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи