Програма Предмет: "напівпровідникова електроніка" Спеціальність: 070201 "Радіофізика І електроніка" Факультет електроніки, форма навчання денна
Скачати 69.9 Kb.
|
Зміст Зміст програми4. Основна і додаткова література |
|
Робоча навчальна програмаПредмет: “НАПІВПРОВІДНИКОВА ЕЛЕКТРОНІКА”Спеціальність: 6.070201 – “Радіофізика і електроніка” Факультет електроніки, форма навчання – денна. Витяг з навчального плану
Пропонований курс читається для студентів спеціальності 7.070201 і присвячений викладанню основ фізики напівпровідникової електроніки. На основі цих знань у другій частині курсу викладається фізика функціонування основних напівпровідникових приладів. Базовими курсами до розглядуваного є “Теорія твердого тіла” і “Фізична електроніка”.
2. Основи зонної теорії твердих тіл. Класифікація твердих тіл за електропровідністю (емпірична). Енергетичні зони, стаціонарні стани та енергетичний спектр носіїв у твердому тілі. Заповнення зон носіями: метали, діелектрики, напівпровідники. Розрахунок концентрації електронного газу в твердому тілі. Властивості електронного газу. Особливості руху електронів у твердому тілі при накладанні зовнішнього електричного поля. 3. Власні і домішкові напівпровідники. Розрахунок рівноважної концентрації електронів і дірок у власному напівпровіднику. Розрахунок рівноважної концентрації електронів і дірок у домішкових напівпровідниках. Поведінка рівня Фермі з температурою.
5. Основні рівняння, що описують струмопроходження в напівпровідниках. Рівняння неперервності.
8. Електропровідність напівпровідників в сильних електричних напівпровідниках. Ефект Гана. Термоелектронна іонізація Френкеля. Ефект Зінера. Струмові нестійкості в сильних електричних полях. Особливості електропровідності полікристалічних напівпровідників. Електропровідність аморфних напівпровідників. Тензорезистивний ефект у напівпровідниках. 9.Біполярні транзистори. Принцип дії та основні параметри, Статичні характеристики транзистора. Розподіл носіїв та струмів в базі. Ефект Ерлі. Дрейфові транзистори. Гетероструктурні транзистори. Частотні властивості БІП-транзисторів. 10. Напівпровідникові прилади з S-подібною ВАХ. Тиристори. Фототиристори. Умови виникнення від’ємного опору. 11. Польові транзистори (ПТ). ПТ з р-п переходом у ролі затвору. Статичні ВАХ та основні параметри. МДН-транзистори. Польові транзистори Шоткі. Швидкодія польових транзисторів. НВЧ- польові транзистори на двомірному електронному газі. Фізичні та технологічні обмеження мінімальних розмірів елементів ПТ. Властивості електронного газу в каналі провідності МДН-транзисторів. 12. Джерела та приймачі світлового випромінювання, фоторезистори та фото діоди. Сонячні фотоприймачі. Світло діоди та напівпровідникові лазери. Фізичні основи роботи та основні параметри. Основи практичного використання. 13. Елементи схемотехніки на основі напівпровідникових приладів. Електронні ключі на БІП- та польових транзисторах. Швидкодія ключа. 14. Цифрові логічні елементи. Діодно-транзисторна логіка. Транзисторно-транзисторна логіка. Емітерно-зв’язана логіка. Логічні елементи на МДН-транзисторах. Тригери (RS, RST, D). Запам’ятовуючі пристрої. Програмовані та репрограмовані ПЗП. Елементи пам’яті ОЗП статичного типу. Елементи пам’яті динамічного типу. 15. Пристрої на ефекті Гана. 16. Основи наноелектроніки. Спінотроніка. 3. Список лабораторних робіт
^
Програму уклав доцент Коман Б.П. | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
