Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V icon

Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V




Скачати 28.78 Kb.
НазваДослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V
Дата30.06.2013
Розмір28.78 Kb.
ТипДокументи

УДК 621.382.2, 535.37, 537.3


ДОСЛІДЖЕННЯ АКСІАЛЬНОГО РОЗПОДІЛУ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНТНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ НАПІВІЗОЛЮЮЧОГО CdTe:V


Курик А. О.1, Будзуляк С. І.1, Корбутяк Д. В.1, Паранчич Л. Д.2, Андрійчук М. Д. 2, Парфенюк О. А. 2, Ілащук М. І. 2

1 Інститут фізики напівпровідників ім. В. Є. Лашкарьова НАН України

03028, м. Київ, пр. Науки, 41, a.kuryk@isp.kiev.ua

2 Чернівецький національний університет ім. Юрія Федьковича

58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2, o.parfenyuk@chnu.edu.ua


Незважаючи на велику кількість робіт, присвячених дослідженню високоомного CdTe, легованого різними домішками, досі залишається неоднозначним пояснення домішково-дефектної структури цього матеріалу. Загальною особливістю всіх досліджень була їх спрямованість на доведення успішного і ефективного використання даного матеріалу в якості фоторефрактивного елемента.

В даній роботі проведено дослідження спектрів низькотемпературної фотолюмінесценції (ФЛ) напівізолючого CdTe, легованого домішкою ванадію (NV=1·1019 см-3) по довжині кристалу в напрямку росту з огляду на можливість використання його в якості детектора X- і γ-випромінювання. Дослідження аксіального розподілу ФЛ властивостей та їх порівняння з подібним розподілом електрофізичних властивостей дозволяє визначити вплив технологічних особливостей синтезу на вирощування кристалів CdTe:V.

Кристали вирощували методом Бріджмена з попередньо синтезованого матеріалу. Синтез проводили при температурі плавлення, при цьому, для рівномірного розподілу домішки в кристалі, піч приводили в коливний рух протягом двох годин. Чистота компонент Cd і Te становила 6N. Проведені електрофізичні та гальваномагнітні дослідження показали, що зразки, виготовлені з початку (нижньої частини) і середини кристалу, володіють n-типом провідності, а з кінця (верхньої частини) кристалу  змішаною провідністю. Питомий опір всіх зразків становив ~ 109 Ом·см. Для зразків з монополярною провідністю було визначено концентрацію носіїв заряду 4–7·106 см-3 (що практично відповідає власній провідності) і рухливість носіїв 540–590 см2/В·с.

Спектри ФЛ, зображені на рис. 1, були отримані при збудженні
He-Ne лазером (632,8 нм) у парах He (5 К) на зразках, на яких були проведені електрофізичні дослідження. На спектрах помітні лінії в екситонній зоні, інтенсивність яких зростає від зразка, виготовленого з початку кристалу до максимальної інтенсивності в кінці кристалу. Це може бути пояснено погіршенням структурної досконалості на початку кристалу, пов’язані з деякими напруженнями, що утворилися при його рості, оскільки на початку кристалу спостерігалася багатоблочна структура, яка переходить у 2-3 блоки у середині і кінці кристалу. Також можна розпізнати лінії D0(X) при 1,594 еВ і A0(X) 1,590 еВ, яким відповідає випромінювання екситонів, зв’язаних на нейтральних донорах та акцепторах, відповідно. Поруч зі смугою A0(X) помітна поличка при 1,591 еВ, що в літературі позначається G – лінією і пояснюється випромінюванням екситонів, зв’язаних на складних комплексах (наприклад, VCd-2D). Також присутня лінія W, яка притаманна високоомним зразкам. Вона пов’язується з випромінюванням екситонів на складних акцепторних центрах VCd-D, де D донор, в якості якого виступають неконтрольовані донорні домішки. Про високу якість зразків свідчить наявність лінії випромінювання вільних екситонів (FE).

В енергетичній області 1,52-1,57 еВ зафіксовано широку смугу з її фононним повторенням. Вони пов’язані з випромінювальними переходами зона провідності – акцептор (e-A0) і донорно-акцепторні переходи (D-A). Енергетичне положення даних переходів характеризується малою різницею енергії, тому частіше всього вони фіксуються як одна широка смуга. Слабке свічення для зразка з початку кристала корелює з причиною низького рівня інтенсивності в екситонній зоні.




Рис. 1. − Спектри ФЛ зразків вирізаних з різних ділянок кристалу


Висновок

Проведені ФЛ дослідження вказують на високу якість зразків і разом з отриманими значеннями питомого опору і рухливості носіїв свідчать про перспективу їх використання для виготовлення детекторів
X- і γ-випромінювання.

Схожі:

Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconПрограма предмет Методи дослідження властивостей матеріалів (Р-32)
Основна увага приділена дослідженню властивостей напівпровідникових та діелектричних матеріалів. Крім дослідження об'ємних властивостей...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconУдк 336. 713 Дослідження факторів формування й розподілу прибутку
Актуальність даного дослідження полягає в тому, що факторів формування й розподілу прибутку велика кількість. Тому виникає необхідність...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconКонтрольні питання з курсу “Теорії ймовірностей”
Закони розподілу дискретної випадкової величини (ряд розподілу, багатокутник розподілу, функція розподілу)
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconМетодичні вказівки до лабораторної роботи «дилатометричний метод дослідження властивостей металів»
Методичні вказівки до виконання лабораторної роботи «Дилатометричний метод дослідження властивостей металів» з курсу «Фізичні властивості...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconМетод дослідження теоретично-розрахунковий, застосування закону розподілу
Транспортні потоки : Наукова робота: «Методика вибору законів розподілу міжнародних потоків вантажних транспортних засобів в автомобільному...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconInvestigation of thin film solar cells on cdTe base
С during 25 min. CdCl2 treatment results in the significant recrystallization of CdTe layer. The average grain size of the film increases...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconПаспорт спеціальності 05. 02. 01 – матеріалознавство І. Формула спеціальності
Розроблення методів дослідження й оцінювання фізичних, хімічних, технологічних властивостей матеріалів, показників якості та споживчих...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconРішення щодо реалізації товарів. З цих позицій дисципліна „Маркетингова політика розподілу
Метою якої є формування системи науково-теоретичних і практичних знань про методи дослідження, створення і функціонування каналів...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconЛабораторна робота №6 Дослідження дифракції Фраунгофера на одній щілині
Дослідження дифракції Фраунгофера І встановлення закономірності розподілу інтенсивності лазерного випромінювання в дифракційній картині...
Дослідження аксіального розподілу фотолюмінесцентних властивостей напівізолюючого cdTe: V iconЛабораторна робота №2 Дослідження параметрів галогенних ламп розжарювання
Мета роботи: Визначення електричних І світлових параметрів малогабаритної галогенної лампи розжарювання, дослідження розподілу температури...
Додайте кнопку на своєму сайті:
Документи


База даних захищена авторським правом ©zavantag.com 2000-2013
При копіюванні матеріалу обов'язкове зазначення активного посилання відкритою для індексації.
звернутися до адміністрації
Документи