Міністерство освіти І науки, молоді І спорту України

Міністерство освіти і науки, молоді і спорту України

„ЗАТВЕРДЖУЮ”

1. 
   Принципи процесу фотолітографії, проекційна та контактна фотолітографія.
   
2. 
   Епітаксія з газової фази Si та Ge.
   
3. 
   Іонна імплантація в технології ІМС.
   
4. 
   Планарна технологія виготовлення біполярних ІС.
   
5. 
   Дифузія в планарній технології.
   
6. 
   Фізико-металургійні основи утворення сплавленого р-п-переходу.
   
7. 
   Технологія отримання сплавлених р-n-структур.
   
8. 
   Вакуумтермічна технологія тонкоплівкових резисторних, конденсаторних і RC-структур.
   
9. 
   Кристалографічна орієнтація напівпровідникових пластин. Різка. Шліфування. Полірування.
   
10. 
    Основні методи епітаксійного осадження, рідинно-фазна епітаксія.
    
11. 
    Планарно-епітаксійна технологія виготовлення ІМС.
    
12. 
    Поняття про технологічні маршрути при виготовленні приладів та ІМС.
    
13. 
    Виготовлення плівок методом термічного напилення.
    
14. 
    Катодне розпилення.
    
15. 
    Лазерне та магнетронне напилення
    
16. 
    Методи виготовлення плівок сполук і сплавів.
    
17. 
    Епітаксія з парової фази.
    
18. 
    Рідинна епітаксія.
    
19. 
    Молекулярно-променева епітаксія.
    
20. 
    Товщина плівок та методи її визначення.
    
21. 
    Методи визначення складу плівок.
    
22. 
    Механічні властивості плівок.
    
23. 
    Електричні властивості плівок.
    
24. 
    Основні положення зонної теорії. Метали, напівпровідники, діелектрики з точки зору зонної теорії.
    
25. 
    Концентрація носіїв заряду в напівпровіднику в стані термодинамічної рівноваги.
    
26. 
    Концентрація носіїв заряду та положення рівня Фермі в невиродженому напівпровіднику. Сильно вироджені напівпровідники.
    
27. 
    Концентрація носіїв заряду та положення рівня Фермі у власному напівпровіднику.
    
28. 
    Рівняння електронейтральності для домішкового напівпровідника. Температурна залежність рівня Фермі та концентрації носіїв заряду в донорному та акцепторному напівпровідниках.
    
29. 
    Електрична провідність напівпровідників. Залежність рухливості носіїв заряду та електропровідності від температури.
    
30. 
    Ефект Холла в напівпровідниках.
    
31. 
    Край власного поглинання, правило Урбаха.
    
32. 
    Екситонне поглинання випромінювання в напівпровідниках.
    
33. 
    Фотопровідність і фоточутливість напівпровідників.
    
34. 
    Релаксація фотопровідності, лінійна та квадратична рекомбінація.
    
35. 
    Ширина і форма спектральних ліній випромінювання.
    
36. 
    Фундаментальні властивості квантового випромінювання.
    
37. 
    Квантові підсилювачі, основні їх характеристики.
    
38. 
    Твердотільні лазери.
    
39. 
    Газові та хімічні лазери.
    
40. 
    Напівпровідникові лазери.
    
41. 
    Модуляція та управління лазерним випромінюванням.
    
42. 
    Оптична голографія.
    
43. 
    Електронно-дірковий перехід. Енергетична діаграма p-n переходу у рівноважному стані. Контактна різниця потенціалів.
    
44. 
    Робота p-n переходу при зовнішньому зміщенні. Енергетичні діаграми.
    
45. 
    Типи p-n переходів: симетричні, несиметричні, лінійні.
    
46. 
    Вольт-амперна характеристика ідеального p-n переходу. Вплив товщини базових областей на ВАХ.
    
47. 
    Методика визначення параметрів p-n переходу з дослідження вольт-фарадних характеристик.
    
48. 
    Біполярний транзистор. Структура, основні режими роботи і характеристики.
    
49. 
    Польові транзистори з p-n переходом. Провідний канал. Характеристики і параметри.
    
50. 
    МДН транзистори. Принцип роботи, характеристики і параметри.
    
51. 
    Аналогові пристрої: класифікація, електричні параметри (вхідний, вихідний опір, АЧХ, коефіцієнт передачі сигналу).
    
52. 
    Підсилювачі на біполярних транзисторах зі схемою із загальним емітером. Параметри, принцип роботи.
    
53. 
    Операційні підсилювачі. Властивості ідеальних і реальних операційних підсилювачів.
    
54. 
    Диференційні підсилювачі на транзисторах і операційних підсилювачах. Властивості, параметри, характеристики.
    
55. 
    Логічні елементи. Логічні схеми. Функціональні системи логічних елементів.
    
56. 
    Цифрові суматори. Однорозрядні та багаторозрядні суматори.
    
57. 
    Тригери. Типи тригерів. Використання тригерів для побудови регістрів.
    
58. 
    Пристрої напівпровідникової пам’яті. Статичні та динамічні ОЗУ. Пристрої енергонезалежної пам’яті.
    
59. 
    Мультиплексори і демультиплексори.
    
60. 
    Перетворювачі кодів. Шифратори і дешифратори.
    
61. 
    Призначення мікропроцесорів. Класифікація мікропроцесорів за: складом, способом керування, архітектурою, системою команд.
    
62. 
    Мікропроцесорні системи, склад та будова. Організація та структура основних типів мікропроцесорних систем.
    
63. 
    Архітектура та будова ПК.
    
64. 
    Наноструктури з двовимірним, одновимірним, нуль-вимірним електронним газом.
    
65. 
    Квантово-розмірні ефекти в системах зі зниженою розмірністю.
    
66. 
    Квантово-розмірна частка в потенціальній ямі різної форми (прямокутна, параболічна, гіперболічна).
    
67. 
    Двовимірний електронний газ в гетеропереході.
    
68. 
    Кулонівська блокада та одноелектронні процеси.
    
69. 
    Одноелектронний транзистор.
    
70. 
    Перехід напівметал-напівпровідник у надгратках.
    
71. 
    Лазери з квантовими ямами і точками.
    
72. 
    Фотоприймачі на квантових ямах.
    
73. 
    Структура сучасних нанотранзисторів типу НЕМТ на сполуках А³В⁵.
    
74. 
    Скануюча зондова мікроскопія STM і AFM в наноелектроніці.
    
75. 
    Вуглецеві нанотрубки. Вуглецева наноелектроніка.
    

1. 
   Нанотехнологии в электронике / Под ред. Ю. А. Чаплыгина. – М.:Техносфера. – 2005. – 448с.
   
2. 
   Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. –Новосибирск: Изд-во НГТУ. – 2004. – 496 с.
   
3. 
   Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. – М.: КомКнига. – 2006. – 592 с.
   
4. 
   Пул Ч., Оуэнс Ф. Нанотехнологии. – М.:Техносфера. – 2005. – 336 с.
   
5. 
   Шик А.Я., Бакуева Л.Г., Мусихин С.Ф., Рыков С. А. Физика низкоразмерных систем. – СПб:Наука. – 2001. – 160 с.
   
6. 
   Щука А.А. Электроника. Учебное пособие. СПб:БХВ-Петербург. – 2006. – 800 с.
   
7. 
   Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.:Лаборатория базовых знаний. – 2003. – 488 с.
   
8. 
   Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л.Бонч-Бруевич, С.Г.Калашников. – М.:Наука. – 1990. – 688 с.
   
9. 
   Готра З.Б. Фізичні основи електронної техніки / З.Б.Готра, І.Є.Лопатинський, Б.А.Лукіянець, З.М.Микитюк, І.В.Петрович. – Львів: Бескид-Біт. – 2004. – 880 с.
   
10. 
    Ю П., Кардона М. Основы физики полупроводников. – М.:Физматлит. – 2002. – 560 с.
    
11. 
    Balkanski M., Wallis R. F. Semiconductor Physics and Applications. – Oxford University Press. – 2000. – 487 p.
    
12. 
    Заячук Д. М. Нанотехнології і наноструктури. – Львів:Вид-во Львівської політехніки. – 2009. – 580 с.
    
13. 
    Технология тонких пленок. Справочник под ред. Л.Майсела, Р.Гленга. – М.: Сов.радио. – 1977, Т. 1. – 664 с.
    
14. 
    Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В.Шалимова. – М:Энергия. – 1976. – 416 с.
    
15. 
    Прищепа М.М., Погрібняк В.П. Мікроелектроніка. В 3ч. Ч.1. Елементи мікроелектроніки. Навч. посіб. – Київ:Вища школа. – 2004. – 431с.
    
16. 
    Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. – М.: Высшая школа. – 1986. – 385 с.
    
17. 
    Росадо Л. Физическая электроника и микроэлектроника / Л.Росадо. – М.:Высшая школа. – 1991. – 352 с.
    
18. 
    Зи С. Физика полупроводниковых приборов / С.Зи. – М.:Мир. – 1984. – 456 с.
    
19. 
    Сугано Т. Введение в микроэлектронику / Т.Сугано, Т.Икома, Е.Такэиси. – М.: Мир. – 1988. – 320 с.
    
20. 
    Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. – М: Наука. – 1977. –366 с.
    
21. 
    Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках.– М: Мир. – 1973.–456с.
    
22. 
    Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М: Физматгиз. – 1963. – 494 с.
    
23. 
    Верещагин И.К., Косяченко Л.А., Кокин С.М. Введение в оптоэлектронику. – М.:Высшая школа. – 1991. – 186 с.
    
24. 
    Василевский А.М., Кропаткин М.А., Тихонов В.В. Оптическая электроника. – Л.:Энергоатомиздат. – 1990. – 320 с.
    
25. 
    Схемотехніка електронних систем. Кн. 1. Аналогова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. – К.: Вища школа. – 2004. –423 с.
    
26. 
    Схемотехніка електронних систем. Кн. 2. Аналогова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. – К.: Вища школа. – 2004. –423 с.
    
27. 
    Схемотехніка електронних систем. Кн. 3. Аналогова схемотехніка.: Підручник / Бойко В.І., Гуржій А.М. та ін. – К.: Вища школа. – 2004. –423 с.